Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article passe en revue les différentes techniques fondées sur la microscopie à force atomique, capables de fournir une information électrique avec une résolution spatiale de l'ordre du nanomètre ou de la dizaine de nanomètres. Les grandeurs mesurées peuvent être le courant, la capacité, le champ ou le potentiel électrique. Chaque technique est décrite précisément au moyen d'exemples tirés de la recherche en micro-nanoélectronique, et le périmètre de ses performances est délimité. Les aspects métrologiques de telles mesures appliquées aux nanocircuits sont mis en avant, les sources d'erreur identifiées et des pistes d'amélioration proposées.
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This article reviews the different techniques based on atomic force microscopy that can provide information on electrical quantities with a spatial resolution close to a few nanometers or tens of nanometers. The quantities to be measured are electric current, capacitance, electric field and electric potential. Each technique is precisely described, with its strengths and weaknesses, and examples from current research in micro-electronics are given. The metrological aspects of the techniques applied to nano-circuits are emphasised, sources of error are identified, and possible ways to improve them are suggested.
Auteur(s)
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Brice GAUTIER : Professeur des Universités, Institut des Nanotechnologies de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Université de Lyon, UMR CNRS 5270, Villeurbanne, FRANCE
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Pascal CHRÉTIEN : Ingénieur de Recherche CNRS, Laboratoire de Génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France
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Khalifa AGUIR : Professeur des Universités, Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (IM2NP), UMR CNRS 7334 Marseille, France
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Frédéric HOUZÉ : Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France
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Olivier SCHNEEGANS : Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France
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Johannes HOFFMANN : Ingénieur, Institut fédéral de métrologie, METAS, Bern-Wabern, Suisse
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Nicolas CHEVALIER : Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France
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Łukasz BOROWIK : Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France
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Dominique DERESMES : Ingénieur de recherche, IEMN (Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) UMR 8520, CNRS, Université de Lille, Villeneuve d'Ascq, France
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Pierre GOURNAY : Physicien Principal, Bureau International des Poids et Mesures, Sèvres, France
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Philippe MAILLOT : Responsable Qualité/Métrologie en Recherche et Développement, STMicroelectronics, Centre Technologique, Rousset, France
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François PIQUEMAL : Ingénieur Chercheur, Laboratoire national de métrologie et d'essais, Trappes, France
INTRODUCTION
Les techniques de mesure décrites dans cet article relèvent de la micro-scopie en champ proche adaptée aux mesures locales de grandeurs électriques à l’échelle nanométrique, communément appelée microscopie à sonde locale électrique ou encore en anglais eSPM pour electrical Scanning Probe Microscopy. Ces techniques mettent en œuvre un mécanisme de balayage d’une pointe à proximité ou sur la surface d’un échantillon afin d’en obtenir, simultanément ou non, l’image topographique et les propriétés physiques locales à l’échelle nanométrique. Lorsque les pointes utilisées sont conductrices, l’application d’une excitation électrique entre la pointe et la surface à imager permet de mesurer des grandeurs locales telles que le courant et l’impédance (résistance et capacité) ou encore le champ électrique et le potentiel de surface via la mesure de gradients de force électrostatique.
Les techniques eSPM sont largement utilisées par l’industrie de la micro-électronique au cours des étapes de recherche, développement et qualification (test de défaillance) des nanocircuits et nanocomposants électroniques. Notamment, elles permettent d’extraire des propriétés clés pour leur fonctionnement telles que, par exemple, la distribution de la densité des porteurs de charge d’une structure semi-conductrice, le profil bidimensionnel de la concentration de dopants dans la région source-drain d’un transistor, le travail de sortie de différents grains dans un film métallique ou une feuille de graphène, ou encore le courant de fuite ou le champ électrique de claquage dans une couche diélectrique très fine.
Cependant, en dépit de progrès considérables réalisés lors des deux dernières décennies, la microscopie à sonde locale électrique n’est pas encore admise comme une véritable technique expérimentale quantitative par manque d’outils métrologiques adaptés (étalons de références électriques, méthodes d’étalonnage, protocoles de mesure, modélisation multi-grandeur). En particulier, l’influence sur les résultats de mesure de paramètres non suffisamment contrôlés, tels que l’usure du revêtement et la forme de la pointe, la nature du contact pointe-échantillon, les grandeurs électriques parasites (capacité), les conditions environnementales (humidité, température, contaminants, champs électriques…) reste encore mal évaluée ou non comprise, et constitue un frein à l’évaluation d’incertitudes de mesure fiables indispensables pour l’établissement d’une démarche métrologique correcte. Ainsi, encore aujourd’hui, dans la plupart des cas, l’incertitude des mesures excède les 100 %.
Le développement d’une telle démarche métrologique dédiée à la micro-scopie à sonde locale doit permettre de supporter efficacement la miniaturisation constante vers l’échelle nanométrique des briques élémentaires constituant les circuits électroniques, et le développement de nouvelles technologies comme les circuits intégrés multifonctionnels à trois dimensions, en offrant une analyse quantitative fiable de leurs performances et une compréhension des mécanismes physiques sur lesquels ils reposent. Ainsi, la microscopie à sonde locale électrique répondra aux exigences de l’industrie des technologies de l’information et de la communication (nanoélectronique, capteurs), en médecine (bio-capteurs, laboratoires sur puces), dans le secteur de l’énergie (photovoltaïque, récupérateur d’énergie) mais également aux attentes des comités de normalisation.
L’article décrit dans un premier temps les techniques employées pour les mesures de courant (AFM et TUNA, SSRM, ResiScope) puis aborde les mesures de capacité (SCM, SMM) et de gradients de force électrostatique (EFM, KFM). Des prospectives pour le développement d’une métrologie dédiée à ces instruments sont ensuite discutées, puis illustrées par quelques exemples d’application des techniques eSPM pour la caractérisation de nanodispositifs.
L'expertise technique et scientifique de référence
MOTS-CLÉS
Microélectronique microscopie à force atomique nano-électronique mesure de résistance à l'échelle nanométrique mesure de capacité à l'échelle nanométrique mesure de champ électrique à l'échelle nanométrique
KEYWORDS
microelectronic | atomic force microscopy | nano-electronics | nanoscale electrical measurement of resistance | nanoscale electrical measurement of capacitance | nanoscale electrical measurement of electric field
DOI (Digital Object Identifier)
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Mesures de capacité
En anglais
1. Mesures de courant
1.1 Introduction
1.1.1.1 Structure MOS et claquage diélectrique
La mesure des propriétés de transport des nano-objets (nanocristaux, nanofils, couches extrêmement minces, etc.) est d'une importance cruciale autant dans le domaine de la physique fondamentale, pour la compréhension de la physique à cette échelle, que pour les nombreuses applications qui en découlent.
Par exemple, les composants électroniques reposent en grande partie sur la structure Métal-Oxyde-Semi-conducteur (MOS) (figure 1), dans laquelle source et drain sont des semi-conducteurs de type opposé au substrat. Lors de l'application d'une tension sur la grille, un canal conducteur, constitué de porteurs minoritaires, est créé ou détruit sous l'oxyde diélectrique, permettant ou interdisant le passage du courant entre la source et le drain. Canal et grille sont séparés par un isolant électrique dont le rôle est de créer une capacité dont la valeur conditionne la quantité de courant entre la source et le drain. Si l'oxyde de grille perd son caractère isolant, la structure entière devient inutile. Dans ce contexte, obtenir des informations sur les fuites en courant des structures MOS est une donnée indispensable à la caractérisation des composants.
Or, le claquage diélectrique, qui est à l'origine de la défaillance des transistors en fonctionnement, est un phénomène extrêmement local. Il se produit lorsqu'une tension est appliquée aux bornes d'une couche (très mince dans le contexte des transistors, de l'ordre de quelques nanomètres) d'oxyde isolant électrique. À partir d'une certaine valeur de champ appliqué (le champ de claquage), la couche diélectrique perd son caractère isolant et devient conductrice, laissant alors passer une grande quantité de courant pour la même tension appliquée. La capacité est alors irrémédiablement détruite.
Les mécanismes qui régissent ce phénomène peuvent se décrire comme l'apparition dans la...
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Mesures de courant
BIBLIOGRAPHIE
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(6) - HAUQUIER (F.) et al - * - . – Appl. Surf. Sci. 258...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
ITRS – International Technology Roadmap for Semiconductors
HAUT DE PAGE1.1 Acteurs industriels et académiques
Le Club nanoMétrologie a été à l'initiative de la rédaction de cet article :
http://club-nanometrologie.fr/.
Forum de microscopie locale :
Comité technique IEC TC113. – « Nanotechnology standardization for electrical and electronic products and system ».
Comité ISO/TC 229. – Nanotechnology.
HAUT DE PAGE1.2 Constructeurs de Sondes AFM
NanoAndMore
PrimeNanoInc.
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