Présentation

Article

1 - CONTEXTE

2 - ENJEUX POUR UNE SIMULATION DE L’ALD

3 - MÉTHODOLOGIE MULTI-ÉCHELLE

  • 3.1 - Monte Carlo cinétique : quelques notions de base
  • 3.2 - Apport du calcul intensif

4 - EXEMPLES D’APPLICATIONS

5 - CONCLUSIONS ET PERSPECTIVES

Article de référence | Réf : RE259 v1

Méthodologie multi-échelle
Simulation à l’échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces

Auteur(s) : Alain Estève, Mehdi Djafari Rouhani, Carole Rossi

Date de publication : 10 oct. 2016

Pour explorer cet article
Télécharger l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !

Sommaire

Présentation

Version en anglais English

RÉSUMÉ

La simulation à l’échelle atomique permet de prédire, quantifier et interroger avec force détails la chimie des interactions entre atomes et d’en déduire leur organisation à l’échelle des interfaces. Cet article a pour ambition de présenter une démarche de la simulation à l’échelle atomique qui combine calculs quantiques et simulations par Monte Carlo Cinétique respectivement pour prédire la chimie des processus élémentaires qui gouvernent le dépôt par ALD et pour bâtir une simulation à l’échelle du procédé technologique. Quelques exemples d’étude concernant le dépôt d’oxydes pour la microélectronique et la réalisation de couches barrières pour les matériaux énergétiques seront proposés.

Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.

Lire l’article

Auteur(s)

  • Alain Estève : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France

  • Mehdi Djafari Rouhani : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France

  • Carole Rossi : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France

INTRODUCTION

Points clés

Domaine : Modélisation des procédés technologiques, nanotechnologies

Degré de diffusion de la technologie : en croissance

Technologies impliquées : ALD, CVD, MOCVD, dépôts par voie chimique …

Domaines d’application : microélectronique, énergie, biochimie, couches de protection

Principaux acteurs français :

  • Pôles de compétitivité :

  • Centres de compétence :

  • Industriels :

Autres acteurs dans le monde : C.B. Musgrave (Univ. Du Colorado, USA)

S. Elliott (Tyndall, Irlande)

Contact : [email protected]

Depuis le début des années 2000, la simulation à l’échelle atomique a épousé les contours applicatifs de l’ALD, tout d’abord pour la micro-électronique, puis pour le développement de nombreuses autres applications, énergie, couches barrières, électrochimie, biologie… L’objet de cet article est de situer les enjeux d’une simulation de l’ALD et de décrire les grands axes méthodologiques qui permettent d’y répondre. Pour illustration, nous nous appuyons sur des résultats obtenus dans le cadre d’études sur le dépôt d’oxydes à forte permittivité ainsi que sur le dépôt de couches barrières pour les matériaux énergétiques. Nous montrons comment les calculs quantiques permettent de comprendre des points clefs de la chimie des interactions molécules/surfaces. Nous présentons des mécanismes réactionnels qui sont d’intérêt générique pour la compréhension/réalisation de couches minces : phénomènes de coopérativité, densification, réduction des surfaces. Au plan méthodologique, nous montrons comment ces connaissances permettent d’établir une modélisation plus phénoménologique, toujours à l’échelle atomique, mais permettant une simulation à l’échelle du procédé (temps, température et pressions de gaz).

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 95% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-re259


Cet article fait partie de l’offre

Innovations technologiques

(177 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Lecture en cours
Présentation
Version en anglais English

3. Méthodologie multi-échelle

En matière de modélisation à l’échelle atomique, ces deux dernières décennies ont vu l’émergence, puis la démocratisation des outils et simulations quantiques de type Fonctionnelle de la Densité électronique (DFT) dans quasiment tous les secteurs de recherche (Physique, chimie, biologie…). Leur succès est lié à leur fort pouvoir prédictif, la quasi--totalité de la table périodique des éléments étant accessible. Cependant, la lourdeur des calculs limite cette approche à des tailles de systèmes ne dépassant pas quelques centaines d’atomes dans le meilleur des cas, et à des durées d’expérience de l’ordre de la picoseconde. Or, les technologies, qu’elles soient fondamentalement issues de démarches « top-down » ou « bottom-up », impliquent des millions d’atomes sur des durées d’expériences pouvant atteindre des minutes ou des heures. Une seule approche de simulation, même à fort pouvoir prédictif ne peut résoudre à elle seule les problèmes complexes posés par les nouvelles générations de composants et de systèmes. Il faut donc coupler des modèles plus simplifiés aux modèles précis de la mécanique quantique, c’est la simulation multi-niveaux au sens large : multi-échelles aux plans dimensionnel et temporel, et multi-modèles.

La figure 1 donne une vision globale des différents modèles disponibles pour simuler la matière. Les modèles sont hiérarchisés dans leur capacité à rendre compte des phénomènes suivant les deux dimensions du temps d’expérience et de la taille du système que l’on désire simuler.

La très grande majorité des calculs à l’échelle atomique qui ont été effectués jusqu’ici pour l’ALD l’ont été dans le cadre de la DFT. Elle est basée sur la résolution de l’équation de Schrödinger indépendante du temps, au travers des équations de Khon-Sham et autres approximations liées à la prise en compte des phénomènes d’échange et corrélation (GGA, LDA), à la prise en compte ou non de tous les électrons du système (pseudo-potentiels)… La DFT assure certainement le compromis méthodologique le plus abouti pour décrire les aspects microscopiques de la matière, la nature des interactions entre atomes...

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 94% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Innovations technologiques

(177 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Lecture en cours
Méthodologie multi-échelle
Sommaire
Sommaire

BIBLIOGRAPHIE

  • (1) -   *  -  International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), www.itrs.net.

  • (2) - WILK (G.D.), WALLACE (R.M.), ANTHONY(J.M) -   High-k gate dielectrics : current status and materials properties considerations,  -  J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).

  • (3) - HALL (S.), BUIU (O.), MITROVIC (I.Z.), LU (Y.), DAVEY (W.M.) -   Review and perspective of high-k dielectrics on silicon,  -  Journal of Telecommunication and information Technology, 33 (2007).

  • (4) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B) -   Quantum chemical study of the mechanism of aluminum oxide atomic layer deposition,  -  Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002).

  • (5) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B.) -   Atomic layer deposition of hafnium oxide : A detailed reaction mechanism from first principles,  -  J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).

  • (6) - ESTÈVE (A.), DJAFARI...

1 Sites Internet

International Technology Road map for Semiconductors http://www.itrs.net

Materials genome Initiative http://www.mgi.gov

HAUT DE PAGE

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 93% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Innovations technologiques

(177 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS