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EnglishRÉSUMÉ
La simulation à l’échelle atomique permet de prédire, quantifier et interroger avec force détails la chimie des interactions entre atomes et d’en déduire leur organisation à l’échelle des interfaces. Cet article a pour ambition de présenter une démarche de la simulation à l’échelle atomique qui combine calculs quantiques et simulations par Monte Carlo Cinétique respectivement pour prédire la chimie des processus élémentaires qui gouvernent le dépôt par ALD et pour bâtir une simulation à l’échelle du procédé technologique. Quelques exemples d’étude concernant le dépôt d’oxydes pour la microélectronique et la réalisation de couches barrières pour les matériaux énergétiques seront proposés.
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Alain Estève : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France
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Mehdi Djafari Rouhani : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France
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Carole Rossi : CNRS, LAAS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, France - Université de Toulouse, LAAS, F-31400 Toulouse, France
INTRODUCTION
Domaine : Modélisation des procédés technologiques, nanotechnologies
Degré de diffusion de la technologie : en croissance
Technologies impliquées : ALD, CVD, MOCVD, dépôts par voie chimique …
Domaines d’application : microélectronique, énergie, biochimie, couches de protection
Principaux acteurs français :
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Pôles de compétitivité :
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Centres de compétence :
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Industriels :
Autres acteurs dans le monde : C.B. Musgrave (Univ. Du Colorado, USA)
S. Elliott (Tyndall, Irlande)
Contact : [email protected]
Depuis le début des années 2000, la simulation à l’échelle atomique a épousé les contours applicatifs de l’ALD, tout d’abord pour la micro-électronique, puis pour le développement de nombreuses autres applications, énergie, couches barrières, électrochimie, biologie… L’objet de cet article est de situer les enjeux d’une simulation de l’ALD et de décrire les grands axes méthodologiques qui permettent d’y répondre. Pour illustration, nous nous appuyons sur des résultats obtenus dans le cadre d’études sur le dépôt d’oxydes à forte permittivité ainsi que sur le dépôt de couches barrières pour les matériaux énergétiques. Nous montrons comment les calculs quantiques permettent de comprendre des points clefs de la chimie des interactions molécules/surfaces. Nous présentons des mécanismes réactionnels qui sont d’intérêt générique pour la compréhension/réalisation de couches minces : phénomènes de coopérativité, densification, réduction des surfaces. Au plan méthodologique, nous montrons comment ces connaissances permettent d’établir une modélisation plus phénoménologique, toujours à l’échelle atomique, mais permettant une simulation à l’échelle du procédé (temps, température et pressions de gaz).
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3. Méthodologie multi-échelle
En matière de modélisation à l’échelle atomique, ces deux dernières décennies ont vu l’émergence, puis la démocratisation des outils et simulations quantiques de type Fonctionnelle de la Densité électronique (DFT) dans quasiment tous les secteurs de recherche (Physique, chimie, biologie…). Leur succès est lié à leur fort pouvoir prédictif, la quasi--totalité de la table périodique des éléments étant accessible. Cependant, la lourdeur des calculs limite cette approche à des tailles de systèmes ne dépassant pas quelques centaines d’atomes dans le meilleur des cas, et à des durées d’expérience de l’ordre de la picoseconde. Or, les technologies, qu’elles soient fondamentalement issues de démarches « top-down » ou « bottom-up », impliquent des millions d’atomes sur des durées d’expériences pouvant atteindre des minutes ou des heures. Une seule approche de simulation, même à fort pouvoir prédictif ne peut résoudre à elle seule les problèmes complexes posés par les nouvelles générations de composants et de systèmes. Il faut donc coupler des modèles plus simplifiés aux modèles précis de la mécanique quantique, c’est la simulation multi-niveaux au sens large : multi-échelles aux plans dimensionnel et temporel, et multi-modèles.
La figure 1 donne une vision globale des différents modèles disponibles pour simuler la matière. Les modèles sont hiérarchisés dans leur capacité à rendre compte des phénomènes suivant les deux dimensions du temps d’expérience et de la taille du système que l’on désire simuler.
La très grande majorité des calculs à l’échelle atomique qui ont été effectués jusqu’ici pour l’ALD l’ont été dans le cadre de la DFT. Elle est basée sur la résolution de l’équation de Schrödinger indépendante du temps, au travers des équations de Khon-Sham et autres approximations liées à la prise en compte des phénomènes d’échange et corrélation (GGA, LDA), à la prise en compte ou non de tous les électrons du système (pseudo-potentiels)… La DFT assure certainement le compromis méthodologique le plus abouti pour décrire les aspects microscopiques de la matière, la nature des interactions entre atomes...
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BIBLIOGRAPHIE
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(1) - * - International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), www.itrs.net.
-
(2) - WILK (G.D.), WALLACE (R.M.), ANTHONY(J.M) - High-k gate dielectrics : current status and materials properties considerations, - J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
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(3) - HALL (S.), BUIU (O.), MITROVIC (I.Z.), LU (Y.), DAVEY (W.M.) - Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, - Journal of Telecommunication and information Technology, 33 (2007).
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(4) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B) - Quantum chemical study of the mechanism of aluminum oxide atomic layer deposition, - Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002).
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(5) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B.) - Atomic layer deposition of hafnium oxide : A detailed reaction mechanism from first principles, - J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).
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(6) - ESTÈVE (A.), DJAFARI...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
ANNEXES
International Technology Road map for Semiconductors http://www.itrs.net
Materials genome Initiative http://www.mgi.gov
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