Conclusions et perspectives
Simulation à l’échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces

Aujourd’hui, la simulation à l’échelle atomique accompagne une ère technologique nouvelle où le développement des technologies miniaturisées s’appuie sur des moyens de caractérisation et des outils de prédiction plus performants. Dans cet article au travers de quelques exemples illustratifs, nous montrons certains apports essentiels de la modélisation et de la simulation à l’échelle atomique en termes de stratégie de modélisation, mais également en termes de mise en synergie avec l’expérience et la caractérisation des matériaux déposés en couches minces. Deux éléments incontournables de cette méthodologie sont les modèles quantiques de type Fonctionnelle de la Densité électronique et la technique de Monte Carlo Cinétique. La DFT permet de bâtir une connaissance profonde et solide de la chimie des événements microscopiques (mécanismes élémentaires) mis en jeu durant les procédés, de guider les choix de précurseurs. Dans une démarche ascendante (« bottom-up »), ces informations concentrent alors la base fondatrice de modèles phénoménologiques. La simulation Monte Carlo Cinétique est la seule qui permette de poursuivre le double objectif d’effectuer de la simulation procédé tout en se situant à une granularité atomistique de description du système. Difficile à mettre en œuvre, c’est pourtant la méthode de choix pour étudier la qualité des interfaces en relation aux procédés d’élaboration par ALD.