Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les technologies et les modèles électriques des composants passifs relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise de ces composants et de leurs modélisations électriques.
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This article aims to describe the several technologies and associated passive devices dedicated for the fabrication of Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC). This article points out the description of integrated passive components and their electrical modeling.
Auteur(s)
-
Gilles DAMBRINE : Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, France
-
Didier BELOT : STMicroelectronics, Crolles, France
-
Pascal CHEVALIER : STMicroelectronics, Crolles, France
INTRODUCTION
Det article se situe dans la suite logique de l’article [E 1426], dédié aux transistors et composants actifs constituants des MMIC ; il traite cette fois de l’ensemble des composants passifs tels que les résistances, capacités, inductances et structures de propagation.
Dans cet article, nous passons en revue la description des composants passifs et leur modélisation ainsi que la description des architectures des circuits de polarisation.
Dans la première section, nous décrivons les principaux types de composants passifs utilisés pour la conception de MMIC ainsi que leur principe de modélisations électriques. La seconde section traite des architectures relatives aux circuits de polarisation des transistors qui sont des dispositifs communs aux circuits MMIC.
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KEYWORDS
Microelectronics | silicon technology | III-V technology
VERSIONS
- Version archivée 1 de mai 2004 par Christian RUMELHARD
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Présentation
Polarisation des composants actifs
En anglais
1. Composants passifs et leurs modèles
Les circuits intégrés monolithiques analogiques comportent de nombreux éléments passifs tels que résistances, capacités, inductances ou lignes de configurations diverses. Ces composants seront plus ou moins les mêmes, quel que soit le choix des composants actifs et du substrat. Seules les inductances sur substrat Si donnent lieu à des études récentes prenant en compte les pertes dans le substrat ou permettant de s’en affranchir. Ce paragraphe donne une idée de la structure, des limites physiques et des modèles de ces composants. Bien que la modélisation d’un composant passif tel qu’une self semble acquise depuis de nombreuses années, il apparaîtra que c’est loin d’être le cas et ce sera l’occasion de montrer dans quelles conditions des modèles peuvent être établis à partir de formulations physiques ou bien à partir de mesures.
1.1 Transistor à effet de champ à VDS = 0 (FET froid)
Une partie des structures de transistors décrites dans l’article [E 1426] peut donner lieu à des composants jouant un rôle très important dans les circuits. Pour le transistor à effet de champ, il s’agit de la structure dans laquelle il n’y a pas de polarisation continue entre les électrodes de source et de drain, d’où le nom de transistor froid. En fonction des connexions des électrodes, cette configuration peut être utilisée comme résistance variable ou comme capacité variable. Pour le transistor bipolaire, la jonction base-collecteur ou la jonction émetteur-base peuvent être utilisées comme capacité variable.
HAUT DE PAGE
La figure 1 représente deux contacts ohmiques (électrodes A et B) et un contact Schottky (électrode G) au-dessus d’un canal correspondant à une technologie MESFET. Une tension continue est appliquée sur l’électrode...
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Composants passifs et leurs modèles
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - CASTAGNÉ (C.), DUCHEMIN (J.-P.), GLOANEC (M.), RUMELHARD (Ch.) - Circuits intégrés en arséniure de gallium, - Masson (1989).
-
(2) - GUPTA (K.C.), GARG (R.), BAHL (I.), BHARTIA (P.) - Microstrip lines and slot lines (Lignes microstrip et lignes à fentes) –, - Artech House, Second edition (1996).
-
(3) - WADELL (B.C.) - Transmission line design handbook (Manuel de conception des lignes de transmission), - Artech House (1991).
-
(4) - FERRARI (P.), FLÉCHET (B.), ANGÉNIEUX (G.) - Time domain characterization of lossy arbitrary characteristic impedance transmission lines (Caractérisation temporelle des lignes de transmission à pertes d’impédance caractéristique quelconque), - IEEE Microwave and Guided Wave letters, vol. 4, n° 6, June 1994.
-
(5) - DURAND (E.) - Électrostatique et magnétostatique, - Masson et Cie (1953).
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ANNEXES
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