Cet article concerne le principe de fonctionnement et les diverses architectures de circuits hautes fréquences dédiés à la génération de signal (oscillateur) ou dédiés au mélange ou à la transposition de fréquence (mélangeur, convertisseur de fréquence).

Depuis l'apparition des premiers circuits MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits ou circuit intégré monolithique hyperfréquence), en 1975, cette technologie n'a cessé d'évoluer et a maintenant de nombreuses applications. Cet article présente les performances, technologies et outils de conception de ces circuits. Puis il détaille plus particulièrement les procédés et étapes technologiques tant pour les filières III-V que Silicium.

Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes peuvent être utilisés pour des fonctions d'amplification et de déphasage des signaux micro-ondes. Ce sont des fonctions classiques, mais en haute fréquence, elles requièrent des technologies particulières.   

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les technologies et les modèles électriques des composants passifs relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise de ces composants et de leurs modélisations électriques.

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les principes de fonctionnement des transistors à effet de champ et bipolaires relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise des filières technologiques disponibles aux concepteurs de MMIC, et des diverses approches de modélisation électrique de ces transistors.