Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les technologies et les modèles électriques des composants passifs relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise de ces composants et de leurs modélisations électriques.
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This article aims to describe the several technologies and associated passive devices dedicated for the fabrication of Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC). This article points out the description of integrated passive components and their electrical modeling.
Auteur(s)
-
Gilles DAMBRINE : Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, France
-
Didier BELOT : STMicroelectronics, Crolles, France
-
Pascal CHEVALIER : STMicroelectronics, Crolles, France
INTRODUCTION
Det article se situe dans la suite logique de l’article [E 1426], dédié aux transistors et composants actifs constituants des MMIC ; il traite cette fois de l’ensemble des composants passifs tels que les résistances, capacités, inductances et structures de propagation.
Dans cet article, nous passons en revue la description des composants passifs et leur modélisation ainsi que la description des architectures des circuits de polarisation.
Dans la première section, nous décrivons les principaux types de composants passifs utilisés pour la conception de MMIC ainsi que leur principe de modélisations électriques. La seconde section traite des architectures relatives aux circuits de polarisation des transistors qui sont des dispositifs communs aux circuits MMIC.
L'expertise technique et scientifique de référence
KEYWORDS
Microelectronics | silicon technology | III-V technology
VERSIONS
- Version archivée 1 de mai 2004 par Christian RUMELHARD
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Présentation
Composants passifs et leurs modèles
En anglais
4. Glossaire
Composants passifs ; passive components
Il s’agit du groupe de composants élémentaires, nécessaires à la conception de circuits électroniques, tels que les résistances, les capacités, les inductances, les connexions ou tout autre support de propagation.
Capacité MIM, MOM ; MIM, MOM capacitor
Capacité de type plan comportant deux niveaux de métallisation séparés par un isolant (Metal Insulator Metal) ou d’un oxyde (Metal Oxide Metal).
Ligne ‘microruban’ ; microstrip line
Structure de propagation planaire très utilisée dans les MMIC comportant deux niveaux de métallisation séparés par un matériau diélectrique ou semi-conducteur ; un plan de masse constitue le niveau inférieur, un ruban le niveau supérieur.
Ligne coplanaire ; Coplanar Wave Guide (CPW)
Cette autre structure de propagation planaire est aussi très utilisée dans les technologies MMIC (III-V en particulier) ; elle est constituée de trois métallisations, un ruban central entouré de deux plans de masse.
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Glossaire
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - CASTAGNÉ (C.), DUCHEMIN (J.-P.), GLOANEC (M.), RUMELHARD (Ch.) - Circuits intégrés en arséniure de gallium, - Masson (1989).
-
(2) - GUPTA (K.C.), GARG (R.), BAHL (I.), BHARTIA (P.) - Microstrip lines and slot lines (Lignes microstrip et lignes à fentes) –, - Artech House, Second edition (1996).
-
(3) - WADELL (B.C.) - Transmission line design handbook (Manuel de conception des lignes de transmission), - Artech House (1991).
-
(4) - FERRARI (P.), FLÉCHET (B.), ANGÉNIEUX (G.) - Time domain characterization of lossy arbitrary characteristic impedance transmission lines (Caractérisation temporelle des lignes de transmission à pertes d’impédance caractéristique quelconque), - IEEE Microwave and Guided Wave letters, vol. 4, n° 6, June 1994.
-
(5) - DURAND (E.) - Électrostatique et magnétostatique, - Masson et Cie (1953).
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