Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les technologies et les modèles électriques des composants passifs relatifs aux principales filières technologiques de circuits intégrés hautes fréquences. L’article insiste sur une description précise de ces composants et de leurs modélisations électriques.
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This article aims to describe the several technologies and associated passive devices dedicated for the fabrication of Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMIC). This article points out the description of integrated passive components and their electrical modeling.
Auteur(s)
-
Gilles DAMBRINE : Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, France
-
Didier BELOT : STMicroelectronics, Crolles, France
-
Pascal CHEVALIER : STMicroelectronics, Crolles, France
INTRODUCTION
Det article se situe dans la suite logique de l’article [E 1426], dédié aux transistors et composants actifs constituants des MMIC ; il traite cette fois de l’ensemble des composants passifs tels que les résistances, capacités, inductances et structures de propagation.
Dans cet article, nous passons en revue la description des composants passifs et leur modélisation ainsi que la description des architectures des circuits de polarisation.
Dans la première section, nous décrivons les principaux types de composants passifs utilisés pour la conception de MMIC ainsi que leur principe de modélisations électriques. La seconde section traite des architectures relatives aux circuits de polarisation des transistors qui sont des dispositifs communs aux circuits MMIC.
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KEYWORDS
Microelectronics | silicon technology | III-V technology
VERSIONS
- Version archivée 1 de mai 2004 par Christian RUMELHARD
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Glossaire
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3. Conclusion
L’article décrit les principaux éléments passifs que l’on retrouve dans les circuits intégrés hautes fréquences et plus particulièrement pour les filières de MMIC III-V.
Même si la description de principe et la modélisation électrique de ces composants passifs dans cet article constituent une bonne base pour aborder le cas des filières MMIC silicium, il sera conseillé au lecteur de prendre en compte les spécificités technologiques de ces filières silicium.
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Conclusion
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - CASTAGNÉ (C.), DUCHEMIN (J.-P.), GLOANEC (M.), RUMELHARD (Ch.) - Circuits intégrés en arséniure de gallium, - Masson (1989).
-
(2) - GUPTA (K.C.), GARG (R.), BAHL (I.), BHARTIA (P.) - Microstrip lines and slot lines (Lignes microstrip et lignes à fentes) –, - Artech House, Second edition (1996).
-
(3) - WADELL (B.C.) - Transmission line design handbook (Manuel de conception des lignes de transmission), - Artech House (1991).
-
(4) - FERRARI (P.), FLÉCHET (B.), ANGÉNIEUX (G.) - Time domain characterization of lossy arbitrary characteristic impedance transmission lines (Caractérisation temporelle des lignes de transmission à pertes d’impédance caractéristique quelconque), - IEEE Microwave and Guided Wave letters, vol. 4, n° 6, June 1994.
-
(5) - DURAND (E.) - Électrostatique et magnétostatique, - Masson et Cie (1953).
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