Présentation
EnglishAuteur(s)
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Isabelle RIBET : Ingénieure à l’ONERA, Palaiseau, France - Enseignante associée à l’IOGS, Palaiseau, France
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Marcel CAES : Ingénieur à l’ONERA, Palaiseau, France
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Sophie DERELLE : Ingénieure à l’ONERA, Palaiseau, France
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Sylvie BERNHARDT : Ingénieure à l’ONERA, Palaiseau, France
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Julien JAECK : Ingénieur à l’ONERA, Palaiseau, France
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Lire l’articleINTRODUCTION
Le silicium est le matériau sur lequel repose toute la technologie des détecteurs matriciels dans le domaine du visible (entre 0,4 et 0,8 μm de longueur d’onde). Il est en effet utilisé aussi bien pour absorber la lumière que pour traiter le signal électrique ainsi généré. À ce jour, l’architecture de lecture dite CMOS (Complementary Metal-Oxyde Semiconductor) s’est imposée pour les applications grand public, même si l’architecture CCD (Charge Coupled Device) reste utilisée pour certaines applications telles que l’astronomie. On trouve couramment des détecteurs matriciels pour le visible de format supérieur au mégapixel (103 × 103 pixels). Il est même possible d’aller jusqu’à la centaine de mégapixels sans aboutage (104 × 104 pixels) et jusqu’au gigapixel (109 pixels) par aboutage de plusieurs matrices.
Dans le domaine infrarouge, il n’est plus possible d’utiliser le silicium comme matériau absorbant. En effet, son énergie de bande interdite ou gap est de 1,12 eV à température ambiante, ce qui rend impossible l’absorption de longueurs d’ondes supérieures à 1,11 μm. Il faut donc se tourner vers d’autres matériaux. Les semiconducteurs candidats ne manquent pas, et il existe en conséquence de nombreuses filières technologiques pour l’infrarouge. Ainsi, le concepteur de caméras infrarouge doit, à chaque nouveau développement, se poser la question du choix de la filière de détecteurs qu’il retiendra, sachant que ce choix influencera les performances de la caméra (sensibilité, résolution, portée…), ses caractéristiques (volume, masse, consommation électrique…) et sa mise en œuvre (besoin éventuel en cryogénie, fréquence de rafraîchissement de l’étalonnage…). L’objectif de cet article est de donner au lecteur les informations nécessaires pour réaliser un choix éclairé en matière de détecteur infrarouge pour des applications en imagerie passive. Nous ne traitons pas ici du cas de l’imagerie active qui nécessite l’utilisation d’un laser en régime impulsionnel combiné à un détecteur spécifique.
Nous commençons par rappeler au paragraphe 1 quelques généralités sur l’infrarouge et sur la physique de la détection dans ce domaine spectral. Aux paragraphes 2 et 3, nous présentons les deux grandes familles de détecteurs infrarouge, à savoir les détecteurs quantiques et les détecteurs thermiques. Dans le paragraphe 4, nous passons en revue les fonctions de mérite utilisées pour tenter de comparer leurs performances. Nous expliquons ensuite au paragraphe 5 comment modéliser les performances de la brique détecteur pour l’intégrer à un modèle global de performances d’un instrument infrarouge. Enfin, dans le paragraphe 6, nous présentons un panorama des filières commerciales de détecteurs matriciels et nous concluons sur les tendances actuelles et les évolutions attendues dans les années à venir.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des sigles et des symboles utilisés.
VERSIONS
- Version archivée 1 de sept. 1996 par Gilbert GAUSSORGUES
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6. Panorama des filières existantes
Comme nous l’avons vu dans cet article, les filières de détecteurs infrarouge sont nombreuses et variées. Nous proposons dans ce paragraphe une synthèse des filières disponibles commercialement en format matriciel. Le but n’est pas ici de faire ressortir une filière plutôt qu’une autre, puisque nous avons vu que pour faire un choix, il était nécessaire de prendre en compte l’application visée et d’effectuer un bilan de performances dédié. Il n’est donc pas possible de conclure de manière générale sur le mérite d’une filière en particulier. Nous nous bornons donc à reporter de façon factuelle les caractéristiques des composants existants.
La filière InGaAs couvre une partie de la fenêtre SWIR avec une longueur d’onde de coupure de 1,7 μm qui permet un fonctionnement à température ambiante, ce qui est évidemment un avantage. Il existe aujourd’hui dans le monde des matrices mégapixel au pas de 10 μm. Les composants classiques détectent entre 0,9 et 1,7 μm. Il est possible d’étendre la plage de détection vers le visible en enlevant le substrat en InP. On a alors des composants sensibles entre 0,4 et 1,7 μm. On tend également à étendre la longueur de coupure haute : il existe aujourd’hui dans le monde des composants dont la longueur d’onde de coupure est de 2,2 μm, adressant ainsi partiellement le domaine appelé eSWIR (Extended SWIR, avec des longueurs d’onde de coupure visées de 2,5 μm typiquement). Les travaux de recherche visent également à réaliser des matrices SWIR mégapixel à bas coût en utilisant des techniques d'hybridation par collage .
Avec une longueur d’onde de coupure de 5,3 μm à 77 K, la filière InSb couvre la bande MWIR dans sa totalité. Sa température de fonctionnement est comprise entre 77 et 95 K. Il existe aujourd’hui dans le monde des matrices de 3 millions de pixel au pas de 10 μm.
La filière InAsSb (aussi appelée XBn) ne couvre, elle, qu’une partie de la bande MWIR avec...
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BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - MEYZONNETTE (J.-L.), LEPINE (T.) - Bases de la radiométrie optique. - Cépaduès Éditions (2002).
-
(2) - VATSIA (L.M.) - Atmospheric optical environment. - Research and Development Technical Report ECOM-7023, Prepared for the Army Night Vision Lab, Fort Belvoir, Va (1972).
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(3) - SIMONEAU (P.), BELLISARIO (C.), DERELLE (S.), DESCHAMPS (J.), HENRY (D.), -LANGLOIS (S.) - Nightglow studies at Onera for night-vision applications. - In Optics in Atmospheric Propagation and Adaptive Systems XX, International Society for Optics and Photonics, vol. 10425, p. 104250E (2017).
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(4) - RIALLAND (V.), GUY (A.), GUEYFFIER (D.), PEREZ (P.), ROBLIN (A.), SMITHSON (T.) - Infrared signature modelling of a rocket jet plume-comparison with flight measurements. - In Journal of Physics : Conference Series, IOP Publishing, vol. 676, n° 1, p. 012020 (2016).
-
(5) - ROGALSKI (A.) - Infrared detectors. - CRC press (2010).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
-
Détecteurs quantiques pour l'ultraviolet, le visible et le proche infrarouge.
-
Caractérisations électro-optiques des détecteurs plans focaux IR.
-
Imagerie à bas niveau de lumière – Fondamentaux et perspectives.
NORMES
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« Standard for Characterization of Image Sensors and Cameras » - EMVA 1288 -
ANNEXES
WHITE (A.). – Infrared detectors, US Patent 4 679 063 (22 septembre 1983).
McKENZIE (T.K.C.), BORNFREUND (R.E.), LEONARD (D.) et CARLSON (G.A.) (2018). – US Patent n° 10, 153, 204. Washington, DC : US Patent and Trademark Office.
HAUT DE PAGE
AIM https://www.aim-ir.com/en/home.html
Chunghwa https://www.clpt.com.tw/
Fairchild Imaging (Bae Systems) https://www.fairchildimaging.com/products/thermal-cores
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Global Sensor Technology http://gsten.gst-ir.com/
Hamamatsu https://www.hamamatsu.com/eu/en/product/optical-sensors/image-sensor/ingaas-image-sensor/index.html
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