Présentation

Article

1 - ÉLECTRONS DANS UN RÉSEAU CRISTALLIN

2 - TYPES DE SOLIDES PARFAITS

3 - EFFETS DU DÉSORDRE

4 - DÉVELOPPEMENTS RÉCENTS

Article de référence | Réf : A1335 v1

Développements récents
Structure électronique des solides

Auteur(s) : Pierre AVERBUCH

Date de publication : 10 févr. 1996

Pour explorer cet article
Télécharger l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !

Sommaire

Présentation

Version en anglais English

Auteur(s)

  • Pierre AVERBUCH : Ancien Élève de l’École Normale Supérieure - Directeur de Recherche au Centre National de la Recherche Scientifique - Centre de Recherche sur les Très Basses Températures, Grenoble

Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.

Lire l’article

INTRODUCTION

Le présent article exige, pour sa compréhension, une connaissance des principes de Mécanique quantique que le lecteur trouvera dans l’article correspondant Mécanique quantique du présent traité. Des connaissances simples de physique atomique et de cristallographie (article Cristallographie géométrique Cristallographie géométrique dans le présent traité), sans être rigoureusement indispensables, sont néanmoins fort utiles.

Un solide est un ensemble de noyaux chargés positivement et d’électrons. Sa description théorique, tant dans un état d’équilibre que sous l’influence de perturbations externes, implique l’utilisation de la mécanique quantique appliquée aux mouvements des noyaux comme à ceux des électrons. Mais les noyaux sont beaucoup plus lourds que les électrons, leurs fonctions d’onde sont donc mieux localisées, comme l’ont montré Born et Oppenheimer ; en première approximation, il suffit de considérer les noyaux comme fixes, donc comme des particules classiques, et de décrire les électrons dans le potentiel électrostatique qu’ils créent. À quelques exceptions près, importantes comme la supraconductivité ou moins comme l’effet Jahn‐Teller, cette description est suffisante et ne sera pas dépassée dans cet article.

Il est logique, dans l’esprit de cette approximation, de laisser les positions des noyaux libres, puis de choisir ces positions pour rendre minimale l’énergie totale. Ce programme est en principe trop ambitieux, aussi s’est-on contenté, pendant longtemps, de ne calculer l’énergie totale (quand on l’a fait) que pour les positions observées des noyaux ou pour des positions voisines afin d’en déduire les forces de rappel. Récemment, on a cherché à aller plus loin, en utilisant la puissance des instruments de calcul modernes. Mais cette extension soulève encore de nombreuses difficultés et il n’y sera fait que légèrement allusion.

Dans la majorité des cas, on sait, sans pouvoir vraiment le démontrer, que l’état d’énergie minimal est cristallin. Aussi commence-t-on par traiter, dans une première partie, les électrons dans un réseau cristallin du point de vue des propriétés formelles. On décrit ensuite, dans une deuxième partie, les principaux types de solides cristallins. On aborde enfin, dans une troisième partie, le problème de la structure électronique des systèmes désordonnés, en partant de l’effet d’un défaut ponctuel isolé pour arriver à ce que l’on a appelé la localisation forte et la localisation faible. Enfin dans une quatrième partie sur les développements récents, on mentionnera, sans trop insister, les structures incommensurables, quasi-cristaux et ondes de densité de charge, l’effet Hall quantique et son importance métrologique, ainsi que quelques phénomènes où les corrélations entre électrons jouent un rôle fondamental et ont des effets spectaculaires ; ce sont également les propriétés des polymères conducteurs, l’effet Hall quantique fractionnaire et un thème encore très controversé du point de vue théorique, les supraconducteurs à haute température critique.

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 92% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-a1335


Cet article fait partie de l’offre

Physique Chimie

(202 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Version en anglais English

4. Développements récents

4.1 Problèmes à un électron

HAUT DE PAGE

4.1.1 Méthodes numériques a priori

Les progrès des ordinateurs ont permis de calculer les fonctions d’onde individuelles avec une précision de plus en plus grande et ont donc entretenu l’espoir d’arriver à prévoir, presque a priori, non seulement les structures électroniques des solides, mais aussi les arrangements d’atomes dans l’espace, c’est‐à‐dire les structures cristallographiques, les variations d’énergie pour des déformations faibles, ce qui donnerait les modes de vibrations ou phonons, les variations d’énergie pour des déformations plus grandes, pour des réarrangements atomiques plus importants, ce qui permettrait de comprendre les propriétés rhéologiques...

Il n’est quand même pas question de calculer des fonctions d’onde à N électrons dans des espaces à 3 N dimensions, avec des N de l’ordre du nombre d’Avogadro ; on se ramène à des calculs à un électron en utilisant un potentiel autocohérent plus approprié que celui de Hartree ou de Hartree‐Fock. Pour cela, on part d’une méthode due à Kohn, Sham et Hohenberg. Pour un nombre d’électrons N donné, dans un potentiel extérieur v (r ) donné, en tenant compte rigoureusement de l’interaction coulombienne entre électrons, on démontre le résultat suivant :

à une répartition dans l’espace de la charge électronique n (r ) donnée, il ne correspond qu’un seul potentiel extérieur v (r ) à une constante additive près, bien entendu.

Ce résultat provient de ce que la valeur moyenne de l’hamiltonien d’un système est minimale pour l’état fondamental (principe de Ritz). Soit deux systèmes à N électrons, correspondant à des potentiels extérieurs V1 (r ) et V2 (r ), à des fonctions d’onde Ψ1 et Ψ2 , pour les états fondamentaux respectifs. Les deux hamiltoniens diffèrent par le terme potentiel et l’on a :

...

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 92% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Physique Chimie

(202 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Lecture en cours
Développements récents
Sommaire
Sommaire

BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - KITTEL (C.) -   Physique de l’état solide.  -  Dunod Université Bordas (Introduction au sujet universellement utilisée) (1983).

  • (2) - ZIMAN (J.M.) -   Principles of the theory of solids.  -  Cambridge University Press (Introduit nombre de concepts théoriques à un niveau relativement élémentaire) (1964).

  • (3) - HARRISON (W.A.) -   Solid state theory.  -  McGraw‐Hill (1970).

  • (4) - MADELUNG (O.) -   Introduction to solid state theory.  -  Springer‐Verlag (HARRISON (W.A.) - Solid state theory. et MADELUNG (O.) - Introduction to solid state theory. sont des cours un peu plus avancés) (1978).

  • (5) - KITTEL (C.) -   Quantum theory of solids.  -  Wiley (Complément du livre cité plus haut du même auteur, clair mais déjà assez ancien) (1963).

  • (6) - JONES (W.), MARCH (H.) -   Theoretical...

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 93% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Physique Chimie

(202 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS