Présentation
En anglaisRÉSUMÉ
Cet article décrit les caractéristiques électriques des principaux composants à semi-conducteur de puissance en lien avec les grandeurs électriques de commande. Il montre ainsi quels peuvent être les effets des caractéristiques du circuit de commande rapprochée sur les performances en conduction et en commutation des composants à semi-conducteur de puissance. Trois grandes familles de composants sont concernées : les thyristors et triacs qui se commandent principalement par l’injection d’un pic de courant de faible intensité et dont le blocage spontané peut être parfois amélioré par la commande ; les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les thyristors ouvrables par la gâchette (GTO) qui nécessitent une commande en courant durant la phase de conduction et une extraction intense au blocage ; et enfin les composants à grille et entrée capacitive (MOSFET, IGBT et HEMT) dont les états de conduction sont déterminés par des niveaux de tension mais qui peuvent nécessiter des courants transitoires importants pour permettre des commutations rapides. L’article présente également les spécificités vis-à-vis de leur commande rapprochée des composants grand gap, disponibles aujourd’hui dans le commerce, à savoir les BJT et MOSFET SiC ainsi que les HEMT GaN.
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This article describes the electrical characteristics of the main power semiconductor devices, in relationship with their drivers. The possible effects of the driving circuits on the power semiconductor devices are highlighted, covering the drivers’ impacts on conduction and switching transient performances. Three types of power devices are addressed: thyristors and triacs, bipolar junction transistors (BJT) and gate turn off thyristors (GTO), and gate-controlled field effect transistors (MOSFET, IGBT and HEMT). The state of thyristors and triacs is controlled by a reduced peak gate current, with a possibility to improve the uncontrolled turn off thanks to the gate driver. The BJT and GTO require a high gate energy, especially during the turn off transient. The FET power devices are controlled by a potential difference at their gate (capacitive input), possibly requiring high gate transient currents in the case of high switching speeds. This articles also presents the driving specificities of currently available wide bandgap power devices, such as SiC BJT, SiC MOSFET and GaN High Electron Mobility Transistors.
Auteur(s)
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Stéphane LEFEBVRE : Professeur - SATIE, Conservatoire national des arts et métiers, Paris, France
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Bernard MULTON : Professeur - SATIE, École Normale Supérieure de Rennes, Rennes, France
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Nicolas ROUGER : Chargé de recherche - Laplace, CNRS, Toulouse, France
INTRODUCTION
Dans cet article, nous étudions les spécificités des composants à semi-conducteurs de puissance, déjà présentés en [D 3230] :
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les thyristors et les triacs, qui fonctionnent aujourd’hui quasi exclusivement dans des convertisseurs où les blocages sont assistés par le réseau (redresseurs, gradateurs) ou par la charge (systèmes résonants) ;
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les transistors bipolaires (BJT) et les thyristors GTO et GCT dont les caractéristiques sont très proches ;
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les transistors à grille (notamment MOSFET, IGBT et HEMT) auxquels l’entrée capacitive confère un comportement tout à fait spécifique.
Pour chacun de ces composants nous spécifierons également les propriétés spécifiques des composants émergents à matériaux grand gap (SiC et GaN) et notamment des BJT et MOSFET SiC et des HEMT GaN
Pour chacune de ces catégories de composants à matériau semi-conducteurs de puissance, les circuits de commande seront détaillés dans les articles [D 3232] et [D 3233].
MOTS-CLÉS
KEYWORDS
thyristor | gate transistors | GTO | MOSFET SiC | HEMT GaN
VERSIONS
- Version archivée 1 de nov. 2002 par Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON
DOI (Digital Object Identifier)
CET ARTICLE SE TROUVE ÉGALEMENT DANS :
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3. Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances des composants à grille
Les transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) et HEMT (High Electron Mobility Transistor) se commandent par l’application d’une tension entre les électrodes de grille et de source (appelée également émetteur dans le cas des IGBT). La quasi-totalité des IGBT et la plupart des transistors MOSFET de puissance sont à canal N. Habituellement, une tension d’environ 15 V est optimale pour rendre passant les transistors MOSFET et IGBT, voire 20 V pour ceux au SiC, alors que 5 V peuvent suffire pour les transistors L2FET (Logic Level Field Effect Transistor), Logic Level IGBT (ou certains HEMT en GaN). Sous tension nulle, le transistor est bloqué dans la quasi-totalité des cas (composants normalement bloqués, dits « normally OFF »), mais une tension de polarisation négative augmente l’immunité du circuit de commande aux perturbations conduites, notamment en haute tension. Le basculement d’un état bloqué à un état conducteur se fait autour de la tension de seuil notée V T (ou VGS th, th pour threshold) et peut requérir des courants impulsionnels élevés pour obtenir des temps de commutation brefs et minimiser les pertes de commutation. La figure 49 présente l’évolution de la résistance à l’état passant d’un MOSFET à tension de seuil réduite en fonction de la différence de potentiel entre grille et source et d’un autre composant à tension de seuil plus élevée. On constate, sur ce dernier, l’effet significatif de la température sur la résistance à l’état passant (augmentation) et sur la tension de seuil (diminution).
La figure 50 décrit les caractéristiques de sortie d’un transistor à superjonction 650 V et celle d’un transistor très basse tension de tension de claquage égale à 25 V. Le premier à une tension de seuil de mise en conduction de 4 V. Il se commande entre ±15 V avec une tension maximale applicable entre grille et source de 20 V. La tension de seuil du second est de seulement 1,7 V typique et se commande entre ± 5 V avec une tension maximale applicable entre grille et source de ± 20 V.
Enfin, la figure ...
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BIBLIOGRAPHIE
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