- Article de bases documentaires
|- 10 févr. 2007
|- Réf : D3120
. Une conséquence directe est le développement des études sur l’interrupteur de puissance de type MOSFET en SiSiC... dits à « large bande interdite » comme l’est le carbure de silicium (SiSiC). La « filière technologique... . Donnée économique : prix d’un wafer de 6′′ de silicium : 2 $ contre 2 000 $ pour un wafer 2′′ de SiSiC-4... H. Les inconvénients ayant jusqu’alors freiné le développement de la filière SiSiC sont en passe d...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2007
|- Réf : D3122
intégré monolithique en SiSiC (1 mm × 2 mm) fut un amplificateur opérationnel à MOSFET fonctionnant à 300... de type GTO, bipolaires, MOSFET ou IGBT. Le carbure de silicium n'est pas arrivé à un stade de maturité... avec les composants de type GTO, bipolaires, MOSFET, IGBT... Le développement de ces derniers a eu un impact... dans de nombreux domaines du génie électrique. Le SiSiC (carbure de silicium) n'est pas arrivé à un stade de maturité...
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- Article de bases documentaires
|- 10 août 2012
|- Réf : E1990
SiSiC semi-conducteur... graphène sur SiSiC... D'une façon générale, le domaine d'application privilégié du carbure de silicium (SiSiC... de graphène sur SiSiC. En quelques années à peine, et à cause de la nécessité toujours plus impérieuse d...
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