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Dans cet article sont présentés les aspects contrôle des différentes technologies de compensateurs statiques industriels de puissance réactive de charges fluctuantes. Sont considérés les compensateurs statiques à base de thyristors les « statocompensateurs » ainsi que les compensateurs statiques à base de convertisseurs à circuit intermédiaire de tension continue à base de composants blocables comme les IGBT et appelés plus communément « STATCOM ». Des parties communes peuvent être déduites mais chaque technologie ayant ses particularités, les contrôles des solutions à thyristors sera bien distinctes des solutions à IGBT. Enfin la révolution « MMC » permet d’envisager des alimentations directes de ces charges fluctuantes, permettant un rééquilibrage et un lissage de ces charges vis-à-vis du réseau.
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime hyperfréquence, caractérisation en puissance et caractérisation thermique. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
Cet article a pour sujet la thématique de la conversion d’énergie électrique à très haute fréquence de fonctionnement ( Very High Frequency : 30 – 300 MHz). Cet axe de recherche émerge depuis les années 2010 sur le plan international dans un contexte d’électrification massive des systèmes poussant à la conception de convertisseurs électroniques à forte densité de puissance et à haut rendement. Dans cet article, les objectifs de l’électronique de puissance aux fréquences VHF sont décrits, les enjeux, ainsi que l’état de l’art des travaux de recherche dans le domaine sont discutés, et des perspectives sont données.
Vous avez un assemblage de feuilles ou films à réaliser. Le choix de la technologie vous est imposé ou au contraire vous pouvez vous orienter vers une nouvelle technologie.
Vous avez au moins un thermoplastique qui compose votre assemblage et une compatibilité parfaite entre les matériaux pour répondre à votre cahier des charges. Pour plus de précision sur les compatibilités et plus particulièrement la tension de surface des matériaux voir la fiche 767.
La soudure par haute fréquence permet des soudures complexes dans les formes, et l’esthétique est inégalable (marquage, soudure et découpe).
Vous recherchez :
Pouvez-vous ou devez-vous choisir la technologie de soudure par haute fréquence (HF) pour votre domaine d’application ?
Cette fiche ainsi que la fiche 1101 vous permettra éventuellement de :
Un outil incontournable pour comprendre, agir et choisir- Nouveauté !
Votre entreprise utilise la technologie d’assemblage par haute fréquence (HF). Vous avez choisi une nouvelle technologie d’assemblage par soudure haute fréquence (HF).
Une de vos missions est de :
Cette fiche avec la fiche 1014 vous permet d’aller dans le détail des aspects techniques de la technologie de la soudure des thermoplastiques par HF.
Vous serez guidé dans votre travail quotidien en production d’articles soudés par haute fréquence.
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Vous avez un assemblage de pièces complexes, de plaques, de feuilles ou de films à réaliser. Vous recherchez un assemblage permanent et sans nuire à la géométrie initiale des pièces ou sans endommager des composants électroniques ou chimiques avoisinants. Vous voulez mieux connaître la soudure par laser afin de déterminer si elle répondra à vos besoins et à vos exigences de qualité.
L’objectif de cette fiche est donc de définir les principaux termes relatifs à cette technologie et, pour chacun d’eux, de présenter des exemples vous permettant d’appréhender au mieux ces notions et de les situer dans leur contexte.
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