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3 - NOUVELLES SOURCES COMMERCIALES

4 - NOUVEAUX TRAITEMENTS NUMÉRIQUES

5 - APPLICATIONS INDUSTRIELLES

6 - CONCLUSION GÉNÉRALE

7 - GLOSSAIRE

Article de référence | Réf : P2145 v1

Glossaire
Avancées technologiques des sources et capteurs térahertz - Vers le transfert industriel

Auteur(s) : Patrick MOUNAIX

Date de publication : 10 févr. 2022

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RÉSUMÉ

Le domaine térahertz aussi appelé « infrarouge lointain », reste une zone du spectre électromagnétique peu utilisée par les industriels. La cause principale est un manque certain de sources et de détecteurs compacts et performants, compatibles avec les exigences industrielles. Avec les avancées sur l’électronique ultra-haute fréquence et l’optique, des équipements deviennent plus performants sur une large bande de fréquences avec plus de puissance pour l’émission et plus de sensibilité en détection. Cet article propose d’éclairer des nouveautés récentes qui enrichissent l’exploitation de cette onde. De nombreuses applications industrielles seront détaillées.

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Auteur(s)

  • Patrick MOUNAIX : Directeur de recherche, CNRS IMS UMR CNRS 5218, Bât. A31, 351 cours de la Libération, Talence Cedex, France

INTRODUCTION

Le rayonnement térahertz (THz) est un candidat prometteur pour la radiographie industrielle et de nombreuses applications d’imagerie pour le contrôle non destructif CND en raison de ses nombreuses applications uniques et intéressantes propriétés. Dans le spectre électromagnétique, les ondes térahertz (THz) ou ondes submillimétriques sont situées entre l’infrarouge et les micro-ondes. La bande (ou gap) térahertz (THz) s’étale de 100 GHz à 10 THz, correspondant à une longueur d’onde d’environ 3 à 0,03 mm. Ce sont des rayonnements de très faible énergie, quelque meV, qui interagissant avec la matière principalement par des modes collectifs de vibration et de rotation des molécules. Ces rayonnements ont la propriété d’être très pénétrants dans les matériaux diélectriques ou peu conducteurs. Cette propriété permet d’obtenir des informations qualitatives ou quantitatives sur les matériaux par exemple la présence de défauts par des techniques d’imagerie, leur composition et le contrôle de leurs dimensions par spectroscopie. Les avantages de la technologie térahertz sont nombreux : une analyse en profondeur dans les matériaux diélectriques, une résolution submillimétrique, un rayonnement non ionisant donc sans danger pour l’opérateur, un diagnostic sans contact donc sans altération de la pièce ou de la surface de la pièce et une forte capacité à la détection ou la mesure de l’humidité.

Cependant, la mise en œuvre de sources térahertz reste difficile en raison des limitations actuelles de la technologie du silicium, et peu des recherches ont été menées. Tous ces systèmes d’imagerie sont, par conséquent, contraints à des améliorations progressives qui sont liées à la dynamique des progrès technologiques.

Grâce à la recherche en laboratoire dans les domaines de l’électronique ultra-haute fréquence et de l’optoélectronique, le développement de systèmes CND térahertz est maintenant rendu possible, notamment par le perfectionnement des briques technologiques et la baisse des coûts de fabrication de leurs composants. La technologie térahertz est applicable à différents secteurs de l’industrie tels que le bâtiment, les transports ou encore l’agroalimentaire.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-p2145


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7. Glossaire

Boucle à phase asservie ou Boucle à Verrouillage de Phase BVP ; Phase-Locked Loop PLL

Montage électronique permettant d’asservir la phase ou la fréquence de sortie d’un système sur la phase ou la fréquence du signal d’entrée. Il peut aussi asservir une fréquence de sortie sur un multiple de la fréquence d’entrée.

Circuit intégré monolithique hyperfréquence ; Monolithic Microwave Integrated Circuit MMIC

Type de circuit intégré fonctionnant aux fréquences radio entre l’infrarouge et les ondes de radiodiffusion dites « micro-ondes » (de 300 MHz à 300 GHz).

Diode à temps de transit à avalanche à ionisation par impact ; IMPact ionization Avalanche Transit-Time (IMPATT) diode

Forme de diode semi-conductrice haute puissance utilisée dans les dispositifs électroniques hyperfréquences à haute fréquence. Elles ont une résistance négative et sont utilisées comme oscillateurs et amplificateurs aux fréquences micro-ondes

Diode à tunnel résonant ; Resonant Tuneling Diode RTD

Diode avec une structure à tunnel résonant dans laquelle les électrons peuvent traverser certains états résonants à certains niveaux d’énergie. La caractéristique courant-tension présente souvent des régions de résistances différentielle négatives.

Diode Gunn ; Gunn diode

Également connue sous le nom de dispositif à électrons transférés (TED), c’est une forme de diode, avec une résistance négative, utilisée dans l’électronique haute fréquence. Elle est basée sur « l’effet Gunn » découvert en 1962 par le physicien J. B. Gunn.

Diode Schottky DS ; Schottky diode SD

Du nom du physicien allemand Walter H. Schottky et également connue sous le nom de diode barrière Schottky ou diode à porteur chaud, c’est une diode semi-conductrice formée par la jonction d’un semi-conducteur avec un métal. Les non-linéarités sont utilisées comme origine de la détection ultrarapide.

Fonction d’étalement du point ; Point Spread Function PSF

Réponse d’un système d’imagerie à une source ponctuelle.

Hessien ; Hessien

En mathématiques, la matrice hessienne (ou simplement le hessien ou la hessienne) d’une fonction...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - HILLGER (P.), GRZYB (J.), JAIN (R.), PFEIFFER (U.R.) -   Terahertz imaging and sensing applications with silicon-based technologies.  -  IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, vol. 9, n° 1, p. 1-19 (2019) DOI:10.1109/TTHZ.2018.2884852

  • (2) - ODEN (J.) et al -   Imaging of broadband terahertz beams using an array of antenna-coupled microbolometers operating at room temperature.  -  Opt. Express, vol. 21, n° 4, p. 4817-4825 (2013) DOI:10.1364/OE.21.004817

  • (3) - AL HADI (R.) et al -   A 1 k-pixel video camera for 0.7–1.1 terahertz imaging applications in 65-nm CMOS.  -  Solid-State Circuits, IEEE Journal of, vol. 47, n° 12, p. 2999-3012 (2012) DOI:10.1109/jssc.2012.2217851

  • (4) - CAOL (C.) et al -   A 410GHz CMOS push-push oscillator with an on- chip patch antenna.  -  IEEE ISSCC 2008, vol. 53, n° 11, p. 472 (2008).

  • (5) - HEINEMANN (B.) et al -   SiGe HBT technology with fT/fmax of 300GHz/500GHz and 2,0 ps CML gate delay.  -  Technical Digest, International...

1 Annuaire

HAUT DE PAGE

1.1 Constructeurs – Fournisseurs – Distributeurs (liste non exhaustive)

Sources, intégrateurs, services, imageurs

Lytid (fabricant et intégrateur de sources millimétriques et THz QCL) https://lytid.com

RD&D Vision (intégration de système de vision High Tech donc imageur mm radar) https://www.rd-vision.com

Teratonics (solution imagerie THz rapide) https://www.teratonics.com

Virginia Diodes (fournisseurs de sources et systèmes mm et sub mm) https://vadiodes.com/en/

Terakalis (expertise des défauts et propriétés internes des matériaux) https://www.terakalis.com/

TiHive (systèmes THz) https://www.tihive.com

III-V lab (photodiodes InGaAs et InP HBT) http://www.3-5lab.fr/rd_activities.php

MC2 technologies (modules T/R en bande W, scanner corporel bande W) https://www.mc2-technologies.com/fr/mm-imager-2/

Caméras

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