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RÉSUMÉ
Cet article traite du dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence, réservé il y a encore quelques temps aux domaines spatial et aéronautique. Désormais, ce procédé se propage à d’autres secteurs d’activités tels que la décoration ou le biomédical. L'article s’attache tout d'abord aux décharges basse température, basse pression : décharges diode continue et décharges radiofréquence (décharges excitées par des champs électriques haute fréquence). Les paramètres de dépôt sont ensuite passés en revue : les mécanismes de pulvérisation, la puissance, la pression et la distance cible-substrat.
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This article addresses the deposition of nanometric films by radiofrequency sputtering that, until recently, was reserved for use in the aeronautics and space fields. This process is now economically affordable for other industries as diverse as the decoration or biomedical sectors. Firstly, this article addresses low temperature and low pressure discharges: continuous discharge diodes and radio-frequency discharges (discharge excited by high-frequency electric fields). Following the deposition parameters are reviewed: spraying mechanisms, power, pressure as well as the target to substrate distance.
Auteur(s)
INTRODUCTION
Le dépôt de couches minces de quelques dizaines de nanomètres à quelques micromètres par pulvérisation cathodique (PVD en anglais : Physical Vapor Deposition) était réservé il y a quelque temps aux domaines spatial et aéronautique. Ce procédé, s'il reste toujours très utilisé en mécanique, est maintenant économiquement abordable pour d'autres secteurs d'activité aussi variés que la décoration ou le biomédical. La plupart des machines de dépôt par pulvérisation fonctionnent en diode magnétron. Mais dans certains cas, et en particulier lors de l'utilisation de cibles isolantes, l'utilisation d'un système radiofréquence est incontournable.
DOI (Digital Object Identifier)
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1. Présentation
Gilles RENOU est ingénieur en élaboration des matériaux au laboratoire d’études des milieux nanométriques, université d’Évry
Nous allons nous intéresser aux décharges basse température, basse pression. Nous nous attacherons aux spécificités des décharges excitées par des champs électriques haute fréquence qui constituent un cas très particulier de ces plasmas. On les appelle couramment décharges radiofréquence et la fréquence utilisée est souvent 13,56 MHz. Le gaz plasmagène le plus utilisé est l'argon en raison de sa neutralité chimique (gaz rare), de sa masse relativement élevée (M = 40) et de son coût modique par rapport aux autres gaz neutres.
Ces décharges basse température, basse pression, souvent appelées plasmas froids, sont caractérisées par un degré d'ionisation (ne nombre d'électrons, n0 nombre d'atomes) relativement faible, de l'ordre de 10−4 à 10–5 (plus élevé si le plasma baigne dans un champ magnétique).
Dans ces conditions, les collisions électrons/neutres sont prépondérantes par rapport aux collisions électrons/électrons ou électrons/ions. Les mécanismes fondamentaux qui décrivent ces plasmas sont donc liés principalement par des interactions électrons/neutres. Les électrons, de faible masse, sont très mobiles comparés aux ions. L'énergie apportée par le champ électrique est donc préférentiellement transmise aux électrons. L'expression du facteur cinématique de collision montre que, du fait de la différence importante de masse entre les électrons et les atomes, le transfert d'énergie se fait mal lors des collisions élastiques. Il n'en est pas de même pour les collisions inélastiques car une partie de l'énergie cinétique est transférée principalement sous les deux formes suivantes.
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L'excitation :
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BIBLIOGRAPHIE
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(7) - MAHAN...
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