Article de référence | Réf : RE254 v1

Métriques de performance
Réacteurs ALD

Auteur(s) : Jacques Kools

Date de publication : 10 nov. 2016

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RÉSUMÉ

Les réacteurs de dépôt de couche minces par ALD (Atomic Layer Deposition) pour une variété d'applications de recherche, de développement et de fabrication sont présentés dans cet article. L'ensemble des conditions physiques et chimiques aux échelles nano- et micrométrique nécessaires pour obtenir un processus de croissance ALD sont passées en revue. Ensuite, les différentes approches qui ont été développées pour obtenir ces conditions dans un réacteur macroscopique sont discutées. La dernière partie de l’article est une discussion sur les différents types de réacteurs utilisés selon les applications.

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Auteur(s)

INTRODUCTION

Cet article traite des sciences et technologies à la base des réacteurs de dépôt ALD. Un réacteur de dépôt est un objet macroscopique permettant de réaliser des processus de croissance atomique de façon reproductible et contrôlée. Le choix du réacteur et sa configuration sont souvent les étapes les plus importantes dans la mise en place d’un projet d’ALD, à l’échelle d’un laboratoire ou à celle d’une usine.

Le développement et la commercialisation d’équipements d’ALD se déroulent dans le cadre de l’industrie des équipements de dépôts de couches minces sous vide. À l’échelle mondiale, cette industrie dédiée au marché mondial est née et s’est développée pendant les 35 dernières années afin de produire et commercialiser des machines utilisant des techniques telles que la PVD (Physical Vapor Deposition), la CVD (Chemical Vapor Deposition)…

Il y a une tendance générale dans l’industrie des équipements à couches minces d’accroître le contenu technologique, et donc la valeur ajoutée, de son offre. Tous les équipementiers ont maintenant des laboratoires d’ingénierie et de démonstration de procédés où ils se développent et démontrent les nouveaux procédés de dépôts. La pratique courante est de démontrer le dépôt de couches dans le cadre d’un projet d’achat d’équipement et de fournir le savoir-faire nécessaire pour le bon fonctionnement et l’entretien de l’équipement, y compris les paramètres de fonctionnement et recettes standards, des fournisseurs recommandés de consommables comme des produits chimiques et des pièces de rechange. La plupart des utilisateurs concentreront ensuite leurs efforts de développement sur l’intégration du procédé de dépôt développé par l’équipementier dans la séquence de fabrication particulière de leur dispositif. Cette route vers la commercialisation des progrès en nanotechnologie s’est avérée extrêmement efficace, ainsi les coûts importants de recherche et développement chez le fournisseur d’équipement peuvent être répartis sur un grand nombre de fabricants de composants, sans limiter la capacité des utilisateurs de l’équipement à se de différencier de leur concurrents dans leur marché.

Le marché de l’équipement de l’ALD a augmenté régulièrement au cours des deux dernières décennies. Le taux moyen de croissance annuel de l’industrie a été au-delà de 20 %, et l’ensemble du marché dépasse désormais 1 milliard d’euros par an. Ce marché est desservi par une variété de fournisseurs, établis principalement en Amérique du Nord, Europe et de plus en plus en Asie.

Dans cet article, nous passerons en revue les conditions de base qui sont nécessaires pour la réalisation d’un procédé d’ALD.

Nous allons ensuite formuler des critères de performance qui permettent d’évaluer et de comparer comment un certain équipement est adaptée à un usage particulier. Quelques architectures de réacteurs ALD qui ont été élaborés à ce jour sont présentées. Finalement, quelques applications pratiques seront décrites.

Points clés

Domaine : Nanotechnologie

Degré de diffusion de la technologie : Croissance

Technologies impliquées : Dépôt de couches minces, technique du vide, simulations numériques

Domaines d’application : Microélectronique, photovoltaïque, électronique souple, OLED, stockage d’électricité,

Principaux acteurs français :

  • Pôles de compétitivité : Minatec, SCS

  • Centres de compétence : CEA, CNRS

  • Industriels : Encapsulix, Kemstream, Annealsys

Autres acteurs dans le monde :

ASMI (Pays-Bas), Applied Materials (États-Unis), Beneq (Finlande), NCD (Corée du Sud), Picosun (Finlande), TES (Corée du Sud), Veeco (États-Unis),

Contact : [email protected]

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-re254


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2. Métriques de performance

Dans cette section, nous allons décrire les différents indicateurs de performance qui doivent être pris en considération lors de la conception et la sélection d’un réacteur ALD pour une application spécifique.

2.1 Propriétés physico-chimiques des couches et chimie des précurseurs

Le premier facteur à considérer est le choix des précurseurs et la gamme de températures de dépôt qui sont ciblés. La plupart des réacteurs modernes peuvent gérer un grand nombre de compositions chimiques de précurseurs. L’utilisation d’une certaine chimie peut néanmoins avoir un impact sur les détails de la mise en œuvre du réacteur. Par exemple, l’utilisation de précurseurs halogènes (par exemple TiCl4) peut générer des produits réactifs de corrosion (par exemple HCl) qui peuvent attaquer certains matériaux du réacteur (par exemple des parois en aluminium) et des composants actifs tels que des jauges et des pompes. En outre, la gamme de température de dépôt joue un rôle important, car plusieurs matériaux utilisés dans le réacteur peuvent avoir une limitation de la température (par exemple des joints toriques fabriqués en fluorocarbone Viton®).

À condition que le procédé de dépôt soit fait dans le régime ALD, les propriétés de la couche telles que la composition chimique, la taille des grains, la densité, la contrainte mécanique et les propriétés optiques sont souvent comparables entre les différents réacteurs, et la plupart du temps déterminées par la chimie des procédés (choix de précurseur, procédé plasma contre thermique) et la température. Une exception notable est la teneur en oxygène des nitrides (par exemple TiN), qui dépend fortement de la contamination résiduelle du système à vide et des conduites de gaz.

Le degré de couverture conformationnelle de topographie préexistante est typiquement très bon dans les procédés ALD. Des géométries avec des rapports hauter-largeur (aspect ratio) extrêmes (par exemple 1000-1) ainsi que des géométries ré-entrantes peuvent être couvert de façon homogène. Cependant, pour certains substrats poreux, le transport moléculaire à l’intérieur de ces microcanaux et/ou nanocanaux prend une quantité finie de temps (voir ...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - POODT (P.E.) et al -   Spatial atomic layer deposition : A route towards further industrialization.  -  J. Vac Sci Technology, A30, 010802 (2012).

  • (2) - ELAM (A.Y.-G.) -   Analytic expressions for atomic layer deposition : Coverage, throughput, and materials utilization in cross-flow, particle coating, and spatial atomic layer deposition.  -  J. Vac Sci. Technol., A32, 031504 (2014).

  • (3) - ERNST GRANNEMAN (P.F.) -   Batch ALD : Characteristics, comparison with single wafer ALD, and examples.  -  Surface & Coatings Technology, 201, p. 8899 (2007).

  • (4) - GEORGE (S.) -   Atomic Layer Deposition : An Overview.  -  Chem. Rev, 110, 111-131 (2010).

  • (5) - KOOLS (J.C.S.) -   High Throughput Atomic Layer Deposition for Encapsulation of Large Area Electronics.  -  ECS Transactions 41, 195 (2011).

  • (6) - J.W....

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