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1 - RÔLE DES SEMI-CONDUCTEURS EN ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

2 - CARACTÈRES COMPORTEMENTAUX

3 - CARACTÈRES PHYSIQUES

4 - ÉLÉMENTS DE COMPARAISON DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE

Article de référence | Réf : D3100 v2

Rôle des semi-conducteurs en électronique de puissance
Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres

Auteur(s) : Philippe LETURCQ

Date de publication : 10 août 1999

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  • Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)

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INTRODUCTION

Les composants semi-conducteurs de puissance, par leurs principes physiques de fonctionnement, ne diffèrent pas fondamentalement de leurs homologues du traitement du signal analogique ou numérique. Ce qui les distingue, c’est leur fonction en électronique de puissance, qui est celle d’interrupteurs, mieux encore que les ordres de grandeur de tension et courant commutables, qu’on souligne parfois pour leur caractère spectaculaire (8kV/3kA par exemple pour tel thyristor Gate-Turn-Off). Quel que soit le niveau de puissance, en effet, l’accent est mis sur des caractéristiques telles que tension bloquée, courant passant, temps de fermeture et d’ouverture, pertes de puissance statiques et de commutation... avec des spécifications qui nécessitent une toute autre organisation des structures semi-conductrices que celle des composants microélectroniques.

Trop longtemps, le monde des semi-conducteurs, physiciens, technologues, concepteurs et fabricants de composants, et le monde du génie électrique, auquel appartient la communauté de l’électronique de puissance, ont peu communiqué à propos des composants de puissance sinon à travers les études de marché et les données des catalogues. Paradoxalement aussi, l’électrotechnique, discipline généraliste s’il en est, s’est toujours intéressée, jusqu’au niveau fondamental, aux matériaux magnétiques et diélectriques, mais a longtemps délaissé les semi-conducteurs.

Aujourd’hui, le raffinement des applications de l’électronique de puissance ne permet plus au concepteur de composants d’ignorer les spécificités et les contraintes de leur mise en œuvre, de même que l’électronicien de puissance ne peut mettre pleinement à profit les possibilités des composants de puissance modernes sans comprendre leur fonctionnement interne.

Ce fascicule constitue donc l’introduction générale à une série d’articles traitant successivement des propriétés électroniques du silicium, principal matériau semi-conducteur utilisé, des structures semi-conductrices élémentaires et des effets fondamentaux que celles-ci font naître, de la tenue en tension des composants de puissance, sujet générique, avant d’aborder de manière plus spécifique les principes de fonctionnement et l’étude des caractéristiques statiques et dynamiques des principaux composants de puissance actuellement utilisés. Un article complémentaire donne un aperçu des développements dans le domaine de l’intégration de puissance.

Dans ce chapitre introductif même, dont la conception doit beaucoup aux échanges de vues entre l’auteur et le Professeur Henri Foch, on présente les semi-conducteurs de puissance sous les différents aspects de leurs fonction, de leurs spécificités vis-à-vis des autres composants semi-conducteurs, et de leurs performances actuelles.

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VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v2-d3100


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1. Rôle des semi-conducteurs en électronique de puissance

Les composants semi-conducteurs de puissance sont les composants actifs du contrôle et de la conversion de l’énergie électrique.

À l’origine, ils sont sous-produits du gigantesque effort technologique qui a conduit à l’émergence de l’électronique à l’état solide puis de la microélectronique. Mais leur développement est rapidement devenu autonome, associé à celui de l’électronique de puissance. Les semi-conducteurs de puissance sont principalement destinés à des fonctions d’interrupteur, et, si les principes physiques mis en jeu sont les mêmes que pour les autres composants semi-conducteurs, les structures et les technologies − et les problèmes posés par leur mise en œuvre − sont très différents. Le champ de connaissances qui les concerne se situe à l’intersection de la physique électronique des solides, de la technologie microélectronique, de l’électronique de puissance, de l’analyse des systèmes, pour ne citer que les principales disciplines.

Bref historique

Par rapport aux composants de traitement numérique du signal, les composants semi-conducteurs de puissance ont connu une évolution décalée dans le temps mais tout aussi spectaculaire. Depuis les premiers redresseurs, d’abord au germanium (1952) puis au silicium (1955), et les premiers thyristors (1957), les progrès dans les technologies et les structures ont permis d’enrichir considérablement la panoplie de l’électronicien de puissance.

On doit citer les transistors bipolaires de puissance, apparus au début des années 1960, ainsi que de nombreux composants dérivés du thyristor primitif : triac (1964), thyristor asymétrique, à conduction inverse, à déclenchement optique, dont l’évolution se poursuit.

Les thyristors Gate-Turn-Off (GTO) ne sont parvenus que plus tard, dans les années 1980, à la maturité industrielle.

Les apparitions successives des transistors MOS de puissance et de toute une gamme de composants plus complexes associant l’effet de champ à l’effet bipolaire − le transistor « IGBT » en est l’exemple le plus représentatif − ont enfin jalonné les deux dernières décennies, préfigurant un changement qualitatif d’importance : commande « isolée » et compatibilité de technologies avec les circuits de la microélectronique permettent aujourd’hui, sous diverses formes, l’intégration...

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