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Auteur(s)
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Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)
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Lire l’articleINTRODUCTION
Les composants semi-conducteurs de puissance, par leurs principes physiques de fonctionnement, ne diffèrent pas fondamentalement de leurs homologues du traitement du signal analogique ou numérique. Ce qui les distingue, c’est leur fonction en électronique de puissance, qui est celle d’interrupteurs, mieux encore que les ordres de grandeur de tension et courant commutables, qu’on souligne parfois pour leur caractère spectaculaire (8kV/3kA par exemple pour tel thyristor Gate-Turn-Off). Quel que soit le niveau de puissance, en effet, l’accent est mis sur des caractéristiques telles que tension bloquée, courant passant, temps de fermeture et d’ouverture, pertes de puissance statiques et de commutation... avec des spécifications qui nécessitent une toute autre organisation des structures semi-conductrices que celle des composants microélectroniques.
Trop longtemps, le monde des semi-conducteurs, physiciens, technologues, concepteurs et fabricants de composants, et le monde du génie électrique, auquel appartient la communauté de l’électronique de puissance, ont peu communiqué à propos des composants de puissance sinon à travers les études de marché et les données des catalogues. Paradoxalement aussi, l’électrotechnique, discipline généraliste s’il en est, s’est toujours intéressée, jusqu’au niveau fondamental, aux matériaux magnétiques et diélectriques, mais a longtemps délaissé les semi-conducteurs.
Aujourd’hui, le raffinement des applications de l’électronique de puissance ne permet plus au concepteur de composants d’ignorer les spécificités et les contraintes de leur mise en œuvre, de même que l’électronicien de puissance ne peut mettre pleinement à profit les possibilités des composants de puissance modernes sans comprendre leur fonctionnement interne.
Ce fascicule constitue donc l’introduction générale à une série d’articles traitant successivement des propriétés électroniques du silicium, principal matériau semi-conducteur utilisé, des structures semi-conductrices élémentaires et des effets fondamentaux que celles-ci font naître, de la tenue en tension des composants de puissance, sujet générique, avant d’aborder de manière plus spécifique les principes de fonctionnement et l’étude des caractéristiques statiques et dynamiques des principaux composants de puissance actuellement utilisés. Un article complémentaire donne un aperçu des développements dans le domaine de l’intégration de puissance.
Dans ce chapitre introductif même, dont la conception doit beaucoup aux échanges de vues entre l’auteur et le Professeur Henri Foch, on présente les semi-conducteurs de puissance sous les différents aspects de leurs fonction, de leurs spécificités vis-à-vis des autres composants semi-conducteurs, et de leurs performances actuelles.
VERSIONS
- Version archivée 1 de sept. 1987 par Philippe LETURCQ
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3. Caractères physiques
3.1 Objectifs de performances
En dépit de la simplicité apparente de la fonction, la caractérisation d’un composant de puissance et l’évaluation des contraintes qu’il génère ou subit ne se limitent donc pas à l’indication des niveaux de tension bloquée ou de courant passant mais font intervenir bien d’autres grandeurs : niveaux de commande, durées des phases successives de la commutation, taux de variation dI/dt et dV /dt du courant et de la tension etc., sans oublier la grandeur ici cachée qu’est la température du cristal.
C’est la recherche de particularités structurales et de technologies de réalisation permettant de maîtriser ces caractéristiques et de résoudre les compromis entre exigences de performances souvent contradictoires qui confèrent aux composants semi-conducteurs de puissance leurs réelles spécificités.
Les principaux objectifs de performance concernent la tension blocable et le courant admissible (dont le produit représente la puissance théoriquement commutable), les niveaux de commande en courant ou en tension, les temps d’ouverture et de fermeture, les pertes de puissance, dans les états statiques et en commutation, les limites de sécurité.
HAUT DE PAGE3.2 Tension blocable
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Pour supporter des tensions qui peuvent s’étager de quelques dizaines de volts (alimentation par batteries, par exemple) à plusieurs kilovolts (réseaux électriques de la traction ferroviaire par exemple), une région large et peu dopée doit jouxter la jonction bloquante du dispositif semi-conducteur pour permettre à la charge d’espace de s’étendre. Les ordres de grandeur (épaisseur de 5 µm et concentrations d’impuretés de quelques 1015 cm−3 pour 100 V, 800 m et 1013 cm−3 pour des composants 8 kV) distinguent les structures de puissance, mieux que la surface de cristal, dans l’ensemble des composants semi-conducteurs.
Cette région, dont la désignation générique est la « base », constitue le « cœur » des dispositifs de puissance, comme on peut le voir plus loin sur la figure 5 où elle est représentée en grisé, reproduite à...
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