Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article décrit l’environnement électrique et thermique des composants à semi-conducteurs de puissance (CSCP) afin d’introduire les principales contraintes et fonctionnalités requises des circuits de commande rapprochée. Les cellules de commutation, principalement issues de la brique de base des convertisseurs statiques modernes, que constitue le bras de pont, sont décrites. Les nouvelles spécificités et contraintes introduites par les composants grand gap (SiC et GaN) sont présentées ainsi que les évolutions technologiques en matière d’intégration fonctionnelle et de packaging. Des exemples en environnement réel mettent en évidence les interactions entre les CSCP et leurs circuits de commande rapprochée. L’ensemble des fonctionnalités attendues de la part de ces circuits sont résumées.
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This article presents the thermal and electrical environment of power semiconductor devices, along with the main constraints and requirements for their associated drivers. Since most modern power converters are built from power commutation cells, this simple converter topology is described. There follows an overview of the new specific features and novel constraints of wide-bandgap power devices (SiC, GaN), as power devices based on these materials are now competing with silicon. Technical trends are highlighted, from smart power to integrated power modules, with a focus on packaging solutions. Several examples are discussed, emphasizing the interactions between power devices and their associated drivers. Lastly the driver requirements are summarized.
Auteur(s)
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Stéphane LEFEBVRE : Professeur - SATIE, CNRS, Conservatoire national des arts et métiers, Paris, France
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Bernard MULTON : Professeur - SATIE, CNRS, École Normale Supérieure de Rennes, Rennes, France
-
Nicolas ROUGER : Chargé de recherche - Laplace, CNRS, Toulouse, France
INTRODUCTION
Les CSCP (composants à semi-conducteurs de puissance) permettent de réaliser des fonctions interrupteur toujours plus fiables et plus performantes.
Pour gérer et moduler les échanges d’énergie électrique via les convertisseurs électroniques de puissance, chaque CSCP ou chaque groupe de CSCP nécessite un circuit dédié de commande rapprochée (aussi appelé gate driver) afin de piloter son état (bloqué ou passant) et d’optimiser les transitions pendant les changements d’état (commutations au blocage et à l’ouverture).
Les circuits de commande rapprochée comprennent ainsi, a minima, un étage de contrôle statique et dynamique de l’interface de pilotage du ou des CSCP. D’autres fonctions complémentaires peuvent être intégrées ou associées permettant d’observer, de protéger et plus généralement de garantir le fonctionnement fiable et optimal du ou des CSCP. Une spécificité des CSCP réside dans leur mode de fonctionnement en régime de commutation, avec des contraintes fortes sur l’environnement du CSCP et du circuit de commande rapprochée : celui-ci doit, en particulier, s’adapter à des potentiels élevés et des variations rapides de tensions et courants. L’assemblage des CSCP à leur environnement rapproché est lui aussi critique, depuis leurs commandes rapprochées, les CSCP formant une ou plusieurs cellules de commutation, jusqu’à leur circuit de refroidissement. Cet environnement des CSCP est aussi important que ses performances intrinsèques, permettant alors de proposer un fonctionnement adapté et optimisé aux compromis classiques en électronique de puissance (thermique, compatibilité electromagnétique, rendement, densité de puissance, fiabilité).
D’autre part, de nouveaux matériaux dits grand gap (tels que SiC et GaN) et d’autres ruptures sur les architectures des transistors de puissance en silicium repoussent les contraintes et compromis classiques. Ceci est particulièrement d’actualité avec la montée en tension, la montée en fréquence et l’augmentation des vitesses de commutation, ainsi que les ruptures sur les structures de convertisseurs (architectures entrelacées, associations série/parallèle). Les composants à semi-conducteurs de puissance et leurs périphériques doivent toujours évoluer afin de permettre d’aller toujours plus loin dans l’amélioration de l’efficacité énergétique, de la sûreté de fonctionnement, de la fiabilité et de la compacité des convertisseurs statiques.
Selon la technologie de composants à semi-conducteur de puissance considérée et son environnement, mais également selon la nature des commutations, la réalisation des fonctions de commande et les possibilités de contrôle peuvent varier. C’est la raison pour laquelle nous avons séparé les composants à semi-conducteurs de puissance en trois familles technologiques [D3231] :
-
les thyristors et les triacs ;
-
les transistors bipolaires et les thyristors GTO ;
-
les transistors à grille (MOSFET, IGBT, HEMT GaN et JFET SiC) ;
Pour chacune de ces catégories de CSCP, les circuits de commande seront détaillés dans les articles suivants [D3232] et [D3233].
Les composants à semi-conducteurs de puissance (CSCP) commandés ont connu une évolution très rapide depuis l’avènement des premiers thyristors à la fin des années 1950 jusqu’à l’apparition des IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) au cours des années 1980 puis de l’émergence des matériaux grand gap (SiC et GaN) dans les années 2010. Les dernières décennies ont été marquées, en outre, par une progression continue des performances (pertes, rapidité, prix…) des composants de puissance, grâce aux designs des puces, des boîtiers et de leur connectique, mieux optimisés, mais grâce également à de nouveaux matériaux semi-conducteurs. Enfin une plus forte intégration des fonctions et l’accroissement des performances et des fonctionnalités des circuits de commande rapprochée ont contribué significativement aux progrès constatés. La facilité apparente de la commande des composants à grille isolée, qui a fortement contribué à leur succès, cache en réalité de nombreuses difficultés, surtout en haute fréquence et/ou en forte puissance. En réponse à la demande, de nombreux fabricants se sont mis à proposer toutes sortes de circuits (intégrés ou hybrides ou encore imprimés) destinés à la commande des composants à semi-conducteurs de puissance. C’est ainsi que le concepteur de convertisseur est devenu de plus en plus fréquemment un assembleur de fonctions ; il est néanmoins tenu de comprendre, ne serait-ce que pour conserver un esprit critique par rapport aux propositions des fournisseurs, comment fonctionnent ces commandes, quels sont les compromis rencontrés et quelles en sont les limites.
Les convertisseurs statiques d’énergie nécessitent, pour avoir des rendements compatibles avec nos exigences énergétiques et économiques, de fonctionner en commutation. À la suite des systèmes à commutation mécanique et des tubes à gaz, les CSCP ont permis de réaliser des fonctions « interrupteur » toujours plus fiables, plus compactes et énergétiquement plus efficaces. Ces progrès ont conduit à l’essor rapide de l’électronique de puissance que l’on connaît, des faibles puissances (microwatts) jusqu’aux très grandes (gigawatts), et qui joue un rôle majeur dans la transition énergétique en marche.
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MOTS-CLÉS
électronique de puissance intégration commande rapprochée composants à semi-conducteur de puissance
KEYWORDS
power electronics | integration | driver | power semiconductor devices
VERSIONS
- Version archivée 1 de août 2002 par Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON
DOI (Digital Object Identifier)
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Conclusion
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4. Vers les cellules de commutation réelles et leurs particularités
Afin d’introduire quelques spécificités des cellules de commutation réelles, nous proposons ici quelques exemples ciblés, en s’appuyant sur des simulations temporelles avec des modèles SPICE fournis par les constructeurs. Ces modèles, bien que basés sur une identification des paramètres d’un schéma équivalent, rendent fidèlement compte des évolutions des grandeurs électriques pendant la commutation. Ainsi, nous proposons dans un premier temps une cellule de commutation avec une tension d’entrée de V bus = 400 V et une charge de type courant constant I 0 = 10 A. Un des transistors proposés dans le tableau 2 a été utilisé, il s’agit d’un transistor MOSFET vertical à super jonction STB34N65M5 (650 V, 110 mΩ, STMicroelectronics), pour lequel le modèle fourni par le fabricant a été modifié dans la simulation (la résistance de grille interne a été annulée, de même que les inductances de boitier, afin d’inclure ces éléments de façon externe dans les analyses). Ce transistor est associé à une diode Schottky SiC STPSC10H065 (650 V, 120 mΩ équivalent, STMicroelectronics), selon le même schéma que celui de la cellule de commutation présentée figure 23 a. Le modèle de la diode Schottky SiC n’a, quant à lui, pas été modifié. L’impact du circuit de commande sur les commutations dures est discuté au paragraphe 4.1, puis quelques éléments d’effets du packaging sont détaillés au paragraphe 4.2.
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Vers les cellules de commutation réelles et leurs particularités
BIBLIOGRAPHIE
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(4) - PEREZ (M.A.), BERNET (S.), RODRIGUEZ (J.), KOURO (S.), LIZANA (R.) - Circuit Topologies, Modeling, Control Schemes, and Applications of Modular Multilevel Converters. - IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 30, no 1, pp. 4-17 (2015).
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(5) - CREE - Datasheet...
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