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Article

1 - DIODES LASER

2 - BOÎTES QUANTIQUES AUTOASSEMBLÉES

3 - RÔLE DU GAIN

4 - LASERS À BOÎTES QUANTIQUES FABRIQUÉS PAR MOCVD

5 - CONCLUSION

Article de référence | Réf : NM2050 v1

Diodes laser
Lasers à boîtes quantiques autoassemblées d'InAs/GaAs

Auteur(s) : Denis GUIMARD, Yasuhiko ARAKAWA

Date de publication : 10 janv. 2009

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RÉSUMÉ

Les boîtes quantiques autoassemblées sont des nanostructures dans lesquelles l’électron est confiné dans les trois directions de l’espace. Les caractéristiques de modulation et la densité d’états discrète qui en résultent permettent d’envisager l’élaboration de diodes laser pour les télécommunications optiques avec des performances supérieures à celles des diodes laser à puits quantiques, commercialisées actuellement. Les procédés de fabrication en application industrielle seraient en plus accessibles à bas coût.

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ABSTRACT

Self -assembled quantum boxes are nanostructures in which the electron is confined to three directions of space. The resulting modulation characteristics allow for envisaging the elaboration of laser diodes for optical telecommunications presenting higher performances than that of the quantum well laser diodes which are currently on the market. In addition it would decrease the cost of the fabrication processes.

INTRODUCTION

La réalisation de boîtes quantiques autoassemblées, nanostructures dans lesquelles l’électron est confiné dans les trois directions de l’espace, et la discrétisation des états électroniques qui en résulte permettent d’envisager l’élaboration de diodes laser pour les télécommunications optiques avec des caractéristiques supérieures à celles des diodes laser à puits quantiques, commercialisées actuellement.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm2050


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1. Diodes laser

Denis GUIMARD, Associate Professor, the University of Tokyo et Yasuhiko ARAKAWA, Professor, the University of Tokyo.

Présentation de l'article

Dans une première partie, nous présenterons les caractéristiques générales des diodes laser à semi-conducteur. Dans une deuxième partie, nous expliquerons dans quelle mesure la réduction dans les trois dimensions de la région active du laser et la fabrication de boîtes quantiques peuvent s’avérer bénéfiques pour les propriétés des lasers. Le mode de croissance et les principales caractéristiques structurales et optiques des boîtes quantiques autoassemblées InAs/GaAs seront décrites. Dans une troisième partie, nous présenterons le rôle joué par les propriétés de gain du laser sur les caractéristiques d’émission, de courant et de modulation. Dans une quatrième partie, nous présenterons les travaux récents sur la fabrication de lasers à boîtes quantiques par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques, qui est le procédé de dépôt préconisé pour une production industrielle.

1.1 Contexte économique et technologique

Lorsqu’un matériau semi-conducteur est structuré à l'échelle du nanomètre, ses propriétés électroniques et optiques sont gouvernées par la mécanique quantique et se trouvent profondément modifiées. Un des domaines qui a bénéficié le plus de la réduction à l’échelle nanométrique de la couche active est celui des diodes laser à semi-conducteur, dispositif clé des télécommunications optiques. La montée en débit et l’augmentation de la capacité font croître l’intérêt pour des solutions optiques. Pour la transmission de données, les fibres optiques offrent plusieurs avantages par rapport aux câbles coaxiaux conventionnels, comme notamment des taux de transmission plus élevés, de plus grandes distances de transmission, et un coût inférieur.

La nature même de la silice impose certaines longueurs d’onde d’émission bien précises pour les diodes laser. La transmission par fibre optique est caractérisée en effet par une atténuation du rayonnement, résultat des phénomènes d’absorption et surtout de diffusion. Les fibres optiques ont la propriété...

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Livres

SHCHUKIN (V.A.) - LEDENTSOV (N.N.) - BIMBERG (D.) - Epitaxy of Nanostructures - Springer, serie : Nanoscience and Technology (2004).

USTINOV (V.M.) - ALFEROV (Z.I.) - LEDENTSOV (N.N.) - BIMBERG (D.) - GOSELE (U.) - CRYST (J.) - * - . – Growth 175-176, 689-695 (1997).

HAUT DE PAGE

2 Organismes et sites internet

Optoelectronics Industry Development Association (OIDA)

  http://www.oida.org/

Innolume

  http://www.innolume.com/

QD Laser Inc.

  http://www.qdlaser.com/

Compound Semiconductor

  http://www.compoundsemiconductor.net/

Laser Focus World

  http://lfw.pennnet.com/

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