Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article s’intéresse aux amplificateurs de puissance à état-solide en radiofréquence, notamment suite à l’introduction de technologies "grand gap" en nitrure de gallium (GaN). Il introduit les technologies état-solide de puissance MESFET, MOSFET et HEMT, décrit le fonctionnement des transistors et expose les performances accessibles en termes de puissance, fréquence et rendement. Il s’intéresse également aux différentes classes de fonctionnement et aux solutions permettant d’optimiser le compromis rendement - linéarité.
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This article focuses on solid-state RF power amplifiers, following the arrival on the market of wide-gap technologies such as gallium nitride (GaN). MESFET, MOSFET and HEMT RF power solid-state technologies are introduced, transistor principles are described, and accessible performance is assessed in terms of power, frequency and efficiency. Classes of operation are also presented, together with solutions to improve amplifier efficiency for a specified level of linearity.
Auteur(s)
-
Thierry LEMOINE : Directeur technique - THALES Microwave and Imaging Subsystems, Vélizy, France
INTRODUCTION
Depuis les années 1970, et davantage encore depuis 1985 et l’émergence des technologies de puissance en GaAs, les concepteurs de fonctions d’amplification de puissance ont accès à des dispositifs état solide (SSPA pour Solid-State Power Amplifiers). Par rapport aux tubes électroniques, l’état solide est en règle générale moins cher et plus (parfois beaucoup plus) intégré. Donc, si une fonction est réalisable avec des transistors, cette technologie sera préférée ; la puissance en fonction de la fréquence d’une fonction état solide est le premier paramètre à considérer dans une analyse comme celle-ci. Cependant, la comparaison peut être moins simple et les critères plus complexes. Volume, linéarité, facteur de bruit et rendement électrique en particulier sont souvent pris en compte [E 1 426].
Quelle puissance peut être obtenue avec un SSPA ? Comme pour les tubes, il faut distinguer entre les technologies : transistor à effet de champ ou bipolaire, MESFET, MOSFET ou HEMT. S’ajoutent deux autres niveaux de complexité non retrouvés dans les tubes hyperfréquence. D’une part, les dispositifs état solide, très intégrés, se prêtent à des arrangements divers (classes de polarisation, assemblage de composants, etc.), le spectre des solutions possibles est étendu, fruit de compromis entre puissance, bande passante, linéarité et rendement. D'autre part, les transistors élémentaires offrent des puissances limitées, et la réalisation d’amplificateurs de puissance exige de les combiner. Cette mise en parallèle est presque systématique, sur une puce s’il s’agit d’un MMIC, puis entre puces.
Nous décrivons les performances de l’état solide en adoptant une hiérarchie technologie des composants élémentaires / classes de fonctionnement / mise en parallèle. Les éléments nécessaires à une bonne compréhension sont donnés et le lecteur se reportera aux articles [E 1 426] [E 1 610] [E 1 611] [E 2 450] [E 2 810] pour davantage d’explications.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes et expressions importants de l’article, ainsi qu’un tableau des acronymes et un tableau des sigles utilisés.
L'auteur tient à exprimer sa reconnaissance envers les experts techniques de THALES, en particulier MM. Sylvain Delage, Philippe Thouvenin et Gildas Gauthier.
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Amplificateurs état solide et rendement
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2. Puissance maximale d’un transistor
2.1 Critère de Johnson et puissance linéaire maximale
Si V B représente la tension de claquage d’un FET, la puissance linéique hyperfréquence (ou RF) maximum (par unité de largeur de grille) qu’il peut délivrer s’écrit, en négligeant la tension de déchet :
Au premier ordre, cette puissance dépend de deux paramètres : V B et I DSS au travers de Z W_out. Il est d’usage de définir la fréquence de transition f t du transistor comme celle à laquelle le gain en courant est égal à 1, c’est-à-dire la fréquence à laquelle I GS = I DS (seule l’amplitude de la modulation RF du courant est considérée ici) (figure 8). Sachant que I GS≈V G.(C GS + C DG).ω et que I DS = V G.g m, on en déduit la valeur de f t :
Écrivons :
avec :
- Q :
- charge induite dans le canal.
Et : ∂Q/∂V G = C GS et ∂I DS_sat/∂Q = τ
avec :
- τ :
- temps de transit des électrons dans le canal) approché par le rapport L/vs (L = longueur de la grille) en supposant...
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Puissance maximale d’un transistor
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - MISHRA (U.K.), SINGH (J.) - Semiconductor Device Physics and Design. - Springer (2008).
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(2) - BAHL (I.J.) - RF and Microwave Transistor Amplifier. - Wiley (2009).
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(3) - WALKER (J.L.B.) - Handbook of RF and Microwave Power Amplifiers. - Cambridge (2012).
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(4) - MATHIEU (H.), FANET (H.) - Physique des semiconducteurs et composants électroniques. - Dunod (2009).
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(5) - SZE (M.S.) - Physics of Semiconductors Devices (2nd Ed.). - Wiley (1981).
-
(6) - GREBENNIKOV (A.), SOKAL (N.O.), FRANCO (M.J.) - Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers. - Academic Press (2012).
-
...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
L'édition annuelle des proceedings de l’IMS (MTT-S) et EuMW.
HAUT DE PAGE2 Données statistiques et économiques
Une liste complète serait difficile à établir dans le cas de l’état solide, compte tenu de la diversité des acteurs. Il faudrait prendre en compte les fabricants des wafers épitaxiés, les fonderies (ouvertes ou non, voire captives, certaines étant de gros laboratoires industriels avec une activité de recherche prédominante), les « design house », les sociétés d’assemblage micro-électronique, et les fabriquant d’émetteurs, voire certains distributeurs. Le tableau 1 ne s’intéresse qu’aux fonderies RF (hors composants pour alimentations et VDMOS).
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