Bibliographie & annexes
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RÉSUMÉ
Cet article s’intéresse aux amplificateurs de puissance à état-solide en radiofréquence, notamment suite à l’introduction de technologies "grand gap" en nitrure de gallium (GaN). Il introduit les technologies état-solide de puissance MESFET, MOSFET et HEMT, décrit le fonctionnement des transistors et expose les performances accessibles en termes de puissance, fréquence et rendement. Il s’intéresse également aux différentes classes de fonctionnement et aux solutions permettant d’optimiser le compromis rendement - linéarité.
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Thierry LEMOINE : Directeur technique - THALES Microwave and Imaging Subsystems, Vélizy, France
INTRODUCTION
Depuis les années 1970, et davantage encore depuis 1985 et l’émergence des technologies de puissance en GaAs, les concepteurs de fonctions d’amplification de puissance ont accès à des dispositifs état solide (SSPA pour Solid-State Power Amplifiers). Par rapport aux tubes électroniques, l’état solide est en règle générale moins cher et plus (parfois beaucoup plus) intégré. Donc, si une fonction est réalisable avec des transistors, cette technologie sera préférée ; la puissance en fonction de la fréquence d’une fonction état solide est le premier paramètre à considérer dans une analyse comme celle-ci. Cependant, la comparaison peut être moins simple et les critères plus complexes. Volume, linéarité, facteur de bruit et rendement électrique en particulier sont souvent pris en compte [E 1 426].
Quelle puissance peut être obtenue avec un SSPA ? Comme pour les tubes, il faut distinguer entre les technologies : transistor à effet de champ ou bipolaire, MESFET, MOSFET ou HEMT. S’ajoutent deux autres niveaux de complexité non retrouvés dans les tubes hyperfréquence. D’une part, les dispositifs état solide, très intégrés, se prêtent à des arrangements divers (classes de polarisation, assemblage de composants, etc.), le spectre des solutions possibles est étendu, fruit de compromis entre puissance, bande passante, linéarité et rendement. D'autre part, les transistors élémentaires offrent des puissances limitées, et la réalisation d’amplificateurs de puissance exige de les combiner. Cette mise en parallèle est presque systématique, sur une puce s’il s’agit d’un MMIC, puis entre puces.
Nous décrivons les performances de l’état solide en adoptant une hiérarchie technologie des composants élémentaires / classes de fonctionnement / mise en parallèle. Les éléments nécessaires à une bonne compréhension sont donnés et le lecteur se reportera aux articles [E 1 426] [E 1 610] [E 1 611] [E 2 450] [E 2 810] pour davantage d’explications.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes et expressions importants de l’article, ainsi qu’un tableau des acronymes et un tableau des sigles utilisés.
L'auteur tient à exprimer sa reconnaissance envers les experts techniques de THALES, en particulier MM. Sylvain Delage, Philippe Thouvenin et Gildas Gauthier.
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Linéarité d’un SSPA
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3. Amplificateurs état solide et rendement
Dans le § 2, nous nous sommes intéressés au fonctionnement d’un transistor de puissance et à ses conditions d’adaptation en sortie. Cependant, la description de l’amplificateur qui intègre ce transistor nécessite de préciser aussi les conditions de polarisation (ou d’alimentation), qui définissent ce qu’on appelle la classe de fonctionnement, donnant accès à un paramètre essentiel, le rendement électrique.
Calculer le rendement d’un amplificateur revient à estimer la puissance dissipée. Considérons un transistor idéal dont la résistance R ON et la tension de déchet V d seraient nulles, et dont la résistance R DS_sat serait infinie. La dissipation ne serait pas nulle pour autant ! La figure 3 (par exemple) montre que les électrons, lorsqu’ils entrent dans la zone de drift, sont soumis à un champ électrique intense qui les accélère et leur communique une énergie cinétique e.V (V étant la tension aux bornes de la zone de drift, égale à V D − V d). Or, malgré cette accélération, leur vitesse reste constante, égale à la vitesse de saturation ! Par conséquent, l’apport d’énergie e.V est perdu, cédé au réseau cristallin sous forme thermique. L’énergie dissipée totale étant également proportionnelle au flux d’électrons, lui-même proportionnel au courant I DS_sat, la puissance dissipée dans la zone de drift est égale à (V D − V d).I DS. La figure 13 montre les...
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BIBLIOGRAPHIE
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(2) - BAHL (I.J.) - RF and Microwave Transistor Amplifier. - Wiley (2009).
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(3) - WALKER (J.L.B.) - Handbook of RF and Microwave Power Amplifiers. - Cambridge (2012).
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(5) - SZE (M.S.) - Physics of Semiconductors Devices (2nd Ed.). - Wiley (1981).
-
(6) - GREBENNIKOV (A.), SOKAL (N.O.), FRANCO (M.J.) - Switchmode RF and Microwave Power Amplifiers. - Academic Press (2012).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
L'édition annuelle des proceedings de l’IMS (MTT-S) et EuMW.
HAUT DE PAGE2 Données statistiques et économiques
Une liste complète serait difficile à établir dans le cas de l’état solide, compte tenu de la diversité des acteurs. Il faudrait prendre en compte les fabricants des wafers épitaxiés, les fonderies (ouvertes ou non, voire captives, certaines étant de gros laboratoires industriels avec une activité de recherche prédominante), les « design house », les sociétés d’assemblage micro-électronique, et les fabriquant d’émetteurs, voire certains distributeurs. Le tableau 1 ne s’intéresse qu’aux fonderies RF (hors composants pour alimentations et VDMOS).
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