Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article concerne le principe de fonctionnement et les diverses architectures de circuits hautes fréquences dédiés à la génération de signal (oscillateur) ou dédiés au mélange ou à la transposition de fréquence (mélangeur, convertisseur de fréquence).
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This article sets out the principles underlying circuits designed for high frequency signal generation (oscillators), or for signal mixers and frequency converters, and describes various circuit architectures
Auteur(s)
-
Didier BELOT : Ingénieur - ST-Microelectronics, Crolles, France
INTRODUCTION
Dans les circuits amplificateurs ou déphaseurs, qui ont été présentés par ailleurs, la présence des non-linéarités est un inconvénient dont il faut éventuellement tenir compte. Cet article présente plutôt les circuits pour lesquels la présence d’une non-linéarité est essentielle pour la réalisation des fonctions. Ces fonctions sont par exemple l’oscillation, le mélange, la multiplication ou la division de fréquence. Mais ces circuits peuvent aussi présenter des non-linéarités plus globales comportant en particulier des bifurcations qui deviendront à leur tour des inconvénients à traiter.
Dans les domaines micro-ondes et millimétriques, les applications concernent des systèmes tels que les boucles locales radio, les liaisons à haut débit point à point à porteuse millimétrique ou les radars pour voiture. Ces systèmes imposent leurs types de modulation tels que modulations de phase, de fréquence ou d’amplitude (MAQ). Dans ces applications, pour des raisons de coût et de performances, les sous-ensembles sont de plus en plus réalisés en monolithique. Mais la réalisation monolithique des fonctions a des répercussions sur les circuits eux-mêmes car il faut éliminer le plus possible les parties qui doivent faire appel à des techniques hybrides. Ainsi pour les oscillateurs, les boucles à verrouillage de phase remplacent dans certains cas des résonateurs diélectriques, surtout depuis que sont apparus des résonateurs piézoélectriques qui peuvent être réalisés en technologie MEMS. Mais l’utilisation de ces boucles conduit à employer des circuits diviseurs ou multiplicateurs de fréquence. De même, lors de réalisations monolithiques de mélangeurs, les circuits de filtrage à bande étroite qui n’existent généralement qu’en hybride, sont remplacés par des circuits à suppression d’oscillateur local ou à suppression de fréquence image beaucoup plus faciles à réaliser en monolithique.
Ce sont tous ces aspects qui sont évoqués dans les circuits qui sont présentés dans cet article. Il s’agit d’abord de tous les circuits oscillateurs puis les circuits de modulation ou démodulation puis des multiplicateurs et enfin des diviseurs de fréquence. Les circuits diviseurs de fréquence à régénération ont conduit au développement de méthodes de traitement des non-linéarités globales, c’est-à-dire comportant des bifurcations. Bien que n’étant pas entièrement décantées, ces méthodes seront évoquées dans la mesure où elles sont destinées à être utilisées dans d’autres circonstances, par exemple, dans les circuits fonctionnant en impulsions où les temps de montée et de descente peuvent comporter des instabilités importantes.
Les techniques de réalisation monolithiques gagnent peu à peu les sous-ensembles et elles génèrent des règles de conception particulières. Le dernier paragraphe effectue un survol de ce domaine et présente quelques réalisations.
L’étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de plusieurs articles :
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[E 1 425] MMIC-Évolution et technologie traitant de l’évolution et de la technologie des MMIC ;
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[E 1 426] MMIC-Composants actifs et [E 1 427] MMIC- Composants passifs qui passent en revue les composants passifs et actifs micro-ondes ;
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[E 1 428] qui décrit les MMIC déphaseurs et amplificateurs ;
-
[E 1 429] MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs qui traite de la modulation, démodulation et conversion de fréquence.
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MOTS-CLÉS
KEYWORDS
MMIC | circuits architecture
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Présentation
Diviseurs de fréquence analogiques
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3. Multiplicateurs de fréquence
3.1 Les multiplicateurs monolithiques et leurs performances
-
Principaux types de multiplicateurs
Si un signal de fréquence F est appliqué à l’entrée d’un multiplicateur de fréquence, le signal de sortie sera à la fréquence nF où n est l’ordre de multiplication. Les premiers multiplicateurs de fréquence (, ch. 7) ont été réalisés avec des varactors dans des circuits du type amplificateurs paramétriques. Ils présentaient l’avantage d’avoir un faible bruit. Une autre possibilité a consisté à utiliser des diodes ayant une caractéristique
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très abrupte ou step recovery diodes. Ces diodes sont tout à fait indiquées pour des rangs de multiplication très élevés. Un troisième type de composant est la diode Schottky résistive qui permet de réaliser des multiplicateurs à large bande. Mais ces multiplicateurs à diodes ont un gain et un rendement électrique très faibles.La plupart des circuits multiplicateurs monolithiques sont réalisés à partir de transistors. Ce type de composant convient pour des rangs de multiplication de 2, 3 ou 4 et il donne des circuits ayant de bons rendements électriques et le gain du transistor permet d’avoir des gains de conversion élevés. La solution la plus utilisée consiste à utiliser les non-linéarités des transistors pour générer des harmoniques.
Il a été aussi proposé d’utiliser une contre-réaction qui conduit à un oscillateur verrouillé sur un sous-harmonique ...
très abrupte ou step recovery diodes. Ces diodes sont tout à fait indiquées pour des rangs de multiplication très élevés. Un troisième type de composant est la diode Schottky résistive qui permet de réaliser des multiplicateurs à large bande. Mais ces multiplicateurs à diodes ont un gain et un rendement électrique très faibles.
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Multiplicateurs de fréquence
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - ANASTASSIADES (J.), KAMINSKY (D.), PEREA (E.), POEZEVARA (A.) - Solid-State Microwave Generation (Génération de fréquences micro-ondes en état solide). - Microwave Technology Series 4, Chapman et Hall (1992).
-
(2) - PATAUT (G.), PAVLIDIS (D.) - X-band Varactor Tuned Monolithic GaAs FET Oscillators (Oscillateurs accordables par varactor monolithiques en bande X). - Int. J. Electronics, 64-5, p. 731-751 (1988).
-
(3) - KUROKAWA (K.) - Some Basic Characteristics of Broadband Negative Resistance Oscillator Circuits (Quelques caractéristiques de base des oscillateurs à résistance négative à large bande). - The Bell System technical Journal, p. 1937-1955, juil.-août 1969.
-
(4) - CASTAGNÉ (R.), DUCHEMIN (J.-P.), GLOANEC (M.), RUMELHARD (Ch.) - Circuits intégrés en Arséniure de gallium. - Masson (1989).
-
(5) - AHDJOUJ (A.) - Conception de VCO à faible bruit de phase en technologie monolithique PHEMT dans les bandes K et Ka. - Thèse...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
Plateformes de CAO (Cadence, ADS)
HAUT DE PAGE
En complément de cette étude sur les MMIC, nous avons sélectionné quelques photos de circuits qui nous ont semblé parmi les plus représentatives ou les plus intéressantes.
Ces photos proviennent de la société UMS (United Monolithic Semiconductors). [http://www.ums-gaas.com/]
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