Présentation

Article

1 - COUPLEURS, COMMUTATEURS, ATTÉNUATEUR, DÉPHASEURS

  • 1.1 - Cellules de déphasage
  • 1.2 - Coupleurs
  • 1.3 - Interrupteurs, commutateurs
  • 1.4 - Atténuateurs
  • 1.5 - Déphaseurs quantifiés
  • 1.6 - Déphaseurs analogiques et vectoriels

2 - AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL

  • 2.1 - Montages de transistors à effet de champ et bipolaires
  • 2.2 - Amplificateurs à bande étroite à un et deux étages
  • 2.3 - Amplificateurs à large bande
  • 2.4 - Amplificateurs distribués
  • 2.5 - Amplificateurs à faible bruit
  • 2.6 - Amplificateur : architecture de type différentiel

3 - AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE

  • 3.1 - Fonctionnement en classe A. Définitions
  • 3.2 - Load pull et source pull
  • 3.3 - Classes de fonctionnement
  • 3.4 - Non-linéarités
  • 3.5 - Conception d’un amplificateur de puissance
  • 3.6 - Structures d’amplificateurs de puissance

4 - CONCLUSION

5 - GLOSSAIRE – DÉFINITIONS

Article de référence | Réf : E1428 v2

Amplificateur en petit signal
MMIC - Déphaseurs et amplificateurs

Auteur(s) : Didier BELOT, Gilles DAMBRINE

Date de publication : 10 janv. 2016

Pour explorer cet article
Télécharger l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !

Sommaire

Présentation

Version en anglais En anglais

RÉSUMÉ

L’article décrit les principales architectures de circuits hautes fréquences dont la fonction principale est de modifier l’amplitude et la phase des signaux ou encore de distribuer / coupler les signaux. Il s’agit de circuits atténuateurs ou amplificateur, de circuits déphaseurs ou encore de commutateurs.

Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.

Lire l’article

ABSTRACT

MMIC : Phase shifters and amplifiers

This article details the main architectural features of high-frequency circuits – amplifier, attenuator, phase shifter, coupler and switch. These circuits are designed to modify the magnitude and phase of high frequency signals, or to split, switch or combine them.

Auteur(s)

  • Didier BELOT : Ingénieur - ST-Microelectronics, Crolles, France

  • Gilles DAMBRINE : Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, France

INTRODUCTION

Cet article décrit les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui permettent de maîtriser la phase et l’amplitude des signaux micro-ondes.

Les antennes à balayage électronique utilisent des centaines de modules pour lesquels la phase et l’amplitude du signal émis doivent être commandées pour chacun des modules. Pour les transmissions numériques sur porteuse micro-onde (du radiotéléphone aux boucles locales radio), les modulations utilisées, qu’elles soient à décalage en phase (PSK) ou à modulation d’amplitude en quadrature (QAM), impliquent de maîtriser de nombreux déphasages mais aussi l’amplitude du signal dans les modulateurs et démodulateurs. Enfin, le remplacement des filtres dans les têtes d’émission et de réception par des circuits à suppression d’oscillateur local ou à suppression de fréquence image supposent eux aussi l’introduction de déphasages ou de différences de phases. Ces considérations montrent le très grand intérêt qu’il y a à étudier les différentes techniques de déphasage qui peuvent être introduites dans les MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit). C’est ce qui est fait dans le premier paragraphe.

Par ailleurs, l’amplitude du signal, soit à la réception, soit à l’émission, soit en cours de traitement, doit souvent être contrôlée, ce qui nécessite d’utiliser des cellules à atténuation ou à gain variable.

Mais la fonction d’amplification reste la fonction essentielle de tous ces circuits. Cela se fait dans des amplificateurs en petit signal où les grandeurs importantes sont le gain et le facteur de bruit (paragraphe 2). Les facteurs de bruit proches de 1 permettent de recevoir des signaux très faibles, ce qui augmente les distances des liaisons ou ce qui permet de diminuer les puissances d’émission. Les amplificateurs à large bande peuvent être utilisés pour des applications micro-ondes telles que les contre-mesures mais ces circuits permettent aussi d’amplifier des signaux numériques à quelques dizaines de Gbit/s.

La fonction d’amplification se retrouve aussi dans des amplificateurs de puissance où les grandeurs importantes sont le gain, les non-linéarités, la puissance en sortie et le rendement électrique (paragraphe 3). Par exemple, la consultation des essais comparatifs de téléphones portables montre que les durées de fonctionnement en émission-réception sont très variables. Ces durées sont directement fonction du rendement de l’amplificateur de puissance dans la voie émission. Dans un radar aéroporté, l’augmentation du rendement électrique permet de diminuer la puissance d’alimentation de l’antenne et donc diminuer le poids du générateur de puissance. Mais cette augmentation de rendement permet en même temps de diminuer le poids des circuits de refroidissement qui doivent évacuer la puissance non convertie en micro-ondes. Dans ce cas, l’amélioration du rendement est particulièrement recherchée parce qu’elle a un effet double.

Selon les applications, ces circuits de déphasage et d’amplification sont à bande étroite ou à large bande ce qui débouche aussi sur des circuits différents.

Cette étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de plusieurs articles :

  • [E1425] MMIC – Évolution et technologie traitant de l’évolution et de la technologie des MMIC,

  • [E1426] MMIC – Composants actifs et [E1427] MMIC – Composants passifs,

  • [e1428] MMIC – Déphaseurs et amplificateurs,

  • [E1429] MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs, qui traite de la modulation, démodulation et conversion de fréquence,

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 93% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v2-e1428


Cet article fait partie de l’offre

Électronique

(227 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Lecture en cours
Présentation
Version en anglais En anglais

2. Amplificateur en petit signal

2.1 Montages de transistors à effet de champ et bipolaires

  • Différents montages de transistors

    Le schéma de base d’un transistor bipolaire est un peu différent de celui d’un transistor à effet de champ ; un exemple a été donné dans l’article [E1426] MMIC – Composants sur les modèles de composants ; les définitions des différents gains restent les mêmes que celles données pour les transistors à effet de champ. Un modèle simplifié de transistor à effet de champ est donné sur la figure 23.

    Les quelques différences qui existent entre ces transistors sont les suivantes :

    • il n’y a pas d’équivalent en transistor bipolaire pour la structure bigrille du transistor à effet de champ ;

    • mais comme le montage cascode a un comportement identique à celui d’un transistor bigrille, ce montage cascode peut être utilisé à la place du transistor bigrille. Et le montage cascode existe aussi bien en version transistor à effet de champ qu’en version transistor bipolaire. La seule différence est due au fait qu’en version transistor à effet de champ, les connexions du montage cascode sont un peu plus faciles à réaliser qu’en version transistor bipolaire ;

    • le montage Darlington du transistor bipolaire (voir plus loin) n’existe pas en transistor à effet de champ.

    Les différents montages du transistor à effet de champ sont d’abord passés en revue. Les performances des montages équivalents pour les transistors bipolaires peuvent en être déduites par des raisonnements identiques.

  • Montage en source commune

    Le schéma de transistor qui sert à cette évaluation est très simplifié. Il est suffisant pour bien comprendre les principes de base.

    Les valeurs des éléments de la matrice admittance ont été données dans le fascicule sur les composants MMIC [...

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 95% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Électronique

(227 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS

Lecture en cours
Amplificateur en petit signal
Sommaire
Sommaire

BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - SMITH (B.L.) -   The Microwave Engineering Handbook Volume 2 : Microwave circuits, antennas and propagation (Le manuel d’ingénierie des micro-ondes, Volume 2 : Circuits micro-ondes, antennes et propagation) –,  -  Chapman & Hall, 1993.

  • (2) - ROBERTSON (I.D.) -   MMIC design (Conception des MMIC), Chapitre 7 : Lucyszyn (S.) and Joshi (J.S.), Phase shifters (Déphaseurs) –,  -  The Institution of Electrical Engineers, 1995.

  • (3) - SOARES (R.) -   * – GaAs MESFET Circuit Design (Conception des MESFET GaAs), Chapitre 9 : Kermarrec (C.) and Rumelhard (C.), Microwave Monolithic Integrated Circuits (Circuits intégrés monolithiques micro-ondes),  -  Artech House, 1988.

  • (4) - RUMELHARD (C.) -   Monolithic microwave integrated circuits (Circuits intégrés monolithiques micro-ondes) –,  -  Chapitre 10 de SMITH (B.L.) – The Microwave Engineering Handbook Volume 2 : Microwave circuits, antennas and propagation (Le manuel d’ingénierie des micro-ondes, Volume 2 : Circuits micro-ondes, antennes et propagation).

  • ...

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 95% à découvrir.

Pour explorer cet article
Téléchargez l'extrait gratuit

Vous êtes déjà abonné ?Connectez-vous !


L'expertise technique et scientifique de référence

La plus importante ressource documentaire technique et scientifique en langue française, avec + de 1 200 auteurs et 100 conseillers scientifiques.
+ de 10 000 articles et 1 000 fiches pratiques opérationnelles, + de 800 articles nouveaux ou mis à jours chaque année.
De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

Cet article fait partie de l’offre

Électronique

(227 articles en ce moment)

Cette offre vous donne accès à :

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques

Des services

Un ensemble d'outils exclusifs en complément des ressources

Un Parcours Pratique

Opérationnel et didactique, pour garantir l'acquisition des compétences transverses

Doc & Quiz

Des articles interactifs avec des quiz, pour une lecture constructive

ABONNEZ-VOUS