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1 - ENJEUX DE LA VÉRIFICATION DES CIRCUITS INTÉGRÉS

  • 1.1 - Fiabilité dans les domaines d’applications critiques
  • 1.2 - Robustesse
  • 1.3 - Performance du simulateur
  • 1.4 - Algorithmes et méthodes pour la simulation des circuits

2 - FONCTIONNALITÉS AVANCÉES EN SIMULATION DES CIRCUITS

3 - TECHNIQUES D’AMÉLIORATION DE PERFORMANCE

4 - CONCLUSION

5 - GLOSSAIRE

6 - SIGLES

Article de référence | Réf : E3451 v1

Enjeux de la vérification des circuits intégrés
Méthodes avancées de simulation des circuits

Auteur(s) : Pascal BOLCATO, Dezaï GLAO, Xavier JONSSON

Date de publication : 10 juin 2023

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RÉSUMÉ

Cet article traite des méthodes de simulation des circuits électroniques. Suite à l’accroissement des tailles de circuits, ces méthodes répondent aux problématiques de précision tout en améliorant la rentabilité. L’analyse de bruit transitoire est destinée à étudier les perturbations sur des blocs tels que des PLL. Les analyses électrothermiques et le vieillissement se préoccupent de la fiabilité et la robustesse du circuit, tandis que les analyses de Monte-Carlo et de sensibilité s’attachent à évaluer les effets de dispersion des paramètres. La complexité des circuits devenant critique, des méthodes permettant d’augmenter les performances, en vitesse et en capacité des simulateurs sont aussi présentées.

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Auteur(s)

  • Pascal BOLCATO : Engineering director, Analog and RF Simulation - Siemens Electronic Design Automation, Montbonnot, France

  • Dezaï GLAO : Principal engineer, Analog and mixed-signal Simulation - Siemens Electronic Design Automation, Montbonnot, France

  • Xavier JONSSON : R&D engineer, Specialist Statistics and Optimization - Siemens Electronic Design Automation, Montbonnot, France

INTRODUCTION

Le marché des puces électroniques continue sa forte expansion du fait de l’augmentation entre autres, de la demande pour des dispositifs électroniques de communication, des moyens de transports autonomes, des objets connectés, du traitement des donnés en masse (big data) et de l’internet des objets.

Cette demande a conduit, pendant des décennies, à une course à la miniaturisation des transistors qui a eu, pour effets bénéfiques, une augmentation des puissances de calcul tout en réduisant la taille, la consommation et les coûts unitaires dans un cercle vertueux entraînant investissements et fortes rentabilités. Cependant, la poursuite de cette stratégie agressive de réduction d’échelle et particulièrement la descente dans les dimensions nanométriques, révèlent de nouveaux défis et poussent les outils de conception et de vérification à se réinventer. Les tailles des circuits à simuler, compte tenu de l’augmentation du nombre de composants et des interconnexions, deviennent critiques. Les densités surfaciques de puissances dissipées deviennent si importantes, que leurs impacts sur le fonctionnement des dispositifs et leur durée de vie doivent être efficacement pris en compte. Cela est vrai pour toutes les applications de l’électronique, mais reste un sujet sensible particulièrement dans les applications des transports, du médical ou du militaire, pour lesquelles la fiabilité est un facteur de premier ordre. De même, la sensibilité aux variations des process de fabrication devient si importante que sa prise en compte est un facteur clé pour la réduction des coûts de production. Un autre effet de la descente dans les dimensions nanométriques est celui de l’augmentation de façon drastique des coûts de production, compte tenu de la complexité des procédés de fabrication eux-mêmes, poussant les industriels à investir en masse dans les unités de production, dans le but de réduire les coûts unitaires.

C’est dans ce contexte que cet article vient exposer comment le simulateur AMS/RF, présent aussi bien dans les phases de conception que dans celles de vérification des circuits, est un facteur déterminant sur le plan économique, pour réduire les temps de mise sur le marché et pour garantir la robustesse et la fiabilité, tout en améliorant les rendements de production. Cet article s’intéresse donc aux méthodes d’accélération des performances du simulateur AMS/RF, puis aux méthodes statistiques d’analyse de la variabilité du process, et finalement aux méthodes permettant d’obtenir une conception de circuits fiables et robustes. De l’efficacité de ces méthodes dépend en partie la possibilité de pouvoir continuer la miniaturisation qui augmente les performances tout en baissant la consommation et les prix de revient unitaires.

Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des sigles utilisés.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e3451


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1. Enjeux de la vérification des circuits intégrés

L’article [E 3 450] a défini le rôle du simulateur de circuits AMS/RF dans les flots de conception et de vérification des circuits et a rappelé ses principales caractéristiques en introduisant les analyses de base. Parmi les critères principaux décidant du choix d’un simulateur, on trouve notamment :

  • la précision,

  • la performance (vitesse),

  • la capacité (taille des circuits à simuler),

  • la robustesse,

  • les analyses.

Bien entendu, la sélection des critères dépend de l’utilisation finale. Cependant, il y a une constante qui est celle de la poursuite de la course à la miniaturisation du transistor et ses conséquences sur les outils de conception. En 2022, l’IRDS (International Roadmap for Devices and Systems) a mis à jour sa feuille de route avec les mêmes trois axes :

  • la diversification fonctionnelle (More than Moore),

  • la poursuite de la miniaturisation autant que faire se peut (More Moore),

  • le développement des technologies alternatives au CMOS (Beyond CMOS).

La nouvelle feuille de route sur la miniaturisation du transistor fixée à l’horizon 2037 est donnée dans le tableau 1.

Il faut rappeler que si dans la feuille de route, lors de sa première phase (avant 2002), les noms des nœuds technologiques correspondaient aux dimensions géométriques physiques des transistors, ce n’est plus le cas aujourd’hui. Le nœud technologique est une dimension équivalente définie comme étant la moitié du pas (ligne + espacement) de la structure la plus dense dans le circuit. L’IRDS prévoit, dans le cadre du More Moore, la poursuite de l’utilisation des transistors en structure 2D, notamment les FinFETs jusqu’en 2025, pour s’effacer devant les GAAFET (Gate All Around) jusqu’en 2031. Au-delà de cette date, seules des structures de transistors en 3D sont attendues pour prendre le relais. Ce sera une transition vers...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - ROHER (R.), NAGEL (L.), MEYER (R.), WEBER (L.) -   Computationally efficient electronic circuit noise calculations.  -  IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-6 (1971).

  • (2) - TELICHEVESKY (R.), KUNDERT (K.), WHITE (J.) -   Efficient AC and noise analysis of two-tone RF circuits.  -  In Proc. IEEE DAC, p. 292-297 (1996).

  • (3) - ROYCHOWDHURY (J.), LONG (D.), FELDMANN (P.) -   Cyclostationary noise analysis of large RF circuits with multitone excitations.  -  IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 33, n° 3, p. 324-336 (1998).

  • (4) - BOLCATO (P.), NALLATAMBY (J.C.), LARCHEVÈQUE (R.), PRIGENT (M.), OBREGON (J.) -   Unified approach of PM noise calculation in large RF multitone autonomous circuits.  -  IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol. 1, p. 417-420 (2000).

  • (5) - BOLCATO (P.), TAWFIK (M.S.), POUJOIS (R.), JARRON (P.) -   A new efficient transient noise analysis technique for simulation of CCD image sensors or particle detectors.  -  Proceedings of IEEE Custom Integrated Circuits...

DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES

1 Annuaire

HAUT DE PAGE

1.1 Constructeurs – Fournisseurs – Distributeurs (liste non exhaustive)

Siemens EDA (AFS, Eldo, Symphony)

https://eda.sw.siemens.com

Cadence (Spectre, Spectre-RF, Ultrasim, AMS Designer)

http://www.cadence.com

Synopsys (Hspice, Hsim/XA, AMS Discovery)

http://www.synopsys.com

HAUT DE PAGE

1.2 Organismes – Fédérations

Organismes, comités œuvrant pour la standardisation :

IEEE-IRDS : définition de la feuille de route pour la réduction de la taille des transistors.

https://irds.ieee.org

IEEE : promotion de la connaissance dans le domaine de l'ingénierie électrique.

http://www.ieee.org

ACCELERA : standardisation des langages HDL (verilog, vhdl).

http://www.accellera.org

CMC : standardisation et promotion de l'utilisation et de l'implémentation des modèles « compacts » de composants.

https://www.si2.org/cmc

AEC : Automotive Electronic Council. Définitions Standardisation des méthodes de qualification et de tests des dispositifs électroniques utilisés...

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