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RÉSUMÉ
Les conducteurs en hautes fréquences ont comme caractéristique essentielle de suivre de près les évolutions technologiques des matériaux dans le souci de limiter les pertes et de miniaturiser les dispositifs électroniques. Ceci exige une réévaluation théorique des phénomènes de transport, conséquence de l'introduction des nanotechnologies .Dans un cadre plus traditionnel, de nombreuses applications sont abordées : en compatibilité électromagnétique, circuits et lignes planaires, pertes par rayonnement et utilisation des techniques quasi-optiques.
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The essential characteristic of high-frequency conductors is that they keep pace with the technological developments of materials in order to limit losses and miniaturize electronic devices. This requires a theoretical reassessment of transportation phenomena due to the introduction of nanotechnologies. Numerous applications are discussed within a more traditional context: in electromagnetic compatibility (EMC), circuits and planar lines, losses by radiation and use of quasi-optical techniques.
Auteur(s)
-
Henri BAUDRAND : Ingénieur, docteur ès sciences - Professeur émérite à l'Institut national polytechnique de Toulouse
INTRODUCTION
L'utilisation des conducteurs en hautes fréquences a considérablement évolué depuis les années de la fin du dernier siècle. Il faut évoquer la révolution des nanotechnologies, dont les premières manifestations sont l'élaboration du microscope à effet tunnel et la découverte des nanotubes. Mais les technologies classiques de photolithographie ainsi que les procédés faisant appel à la micromécanique permettent de diminuer la dimension latérale des lignes jusqu'au micromètre. À ce propos, la fameuse loi de Moore se vérifie encore plus de quarante années après sa première formulation : le nombre de transistors d'un circuit intégrés double tous les deux ans (dix-huit mois dans l'article original), malgré les difficultés engendrées par le niveau moléculaire des plus petites dimensions atteintes maintenant. Cela implique une diminution d'autant des largeurs et longueurs de lignes. Si bien que certains sujets qui étaient très sensibles, en particulier concernant les pertes le long des lignes de transmission le sont beaucoup moins pour ce type de circuits vu la petitesse des connexions.
Par ailleurs, les progrès exponentiels des moyens de calcul ont amené progressivement les concepteurs de circuits à exploiter les couplages électromagnétiques directs, car ils sont devenus accessibles à la simulation électromagnétique et peuvent donc être contrôlés. L'exemple le plus connu et sans doute le plus ancien est la suppression de la tige d'excitation d'une antenne plaque, et son remplacement par une ouverture rayonnante dans le plan de masse . Depuis l'utilisation de surfaces sélectives en fréquences dans les circuits et la variété des dispositifs quasi optiques montre que la ligne, ou le guide traditionnel, n'est plus dans bien des cas la seule solution pour élaborer un circuit. Enfin, on constate que les métaux ne constituent plus la seule possibilité pour réaliser des conducteurs : les procédés de sérigraphie font appel à des encres conductrices, et des conducteurs moléculaires ou composites se développent, pour des raisons de coût mais aussi de souplesse dans la réalisation, certains sont même flexibles . Ces matériaux ne vont pas bien sûr remplacer dans un proche avenir les circuits planaires à plaque métallisée, (PCB : « Printed Circuits Boards » en anglais) très utilisés dans l'électronique courante.
Dans les paragraphes suivants, ces considérations seront illustrés par des exemples de réalisations industrielles, mais aussi par des recherches qui portent en elles des développements prometteurs. Une place sera faite aux dernières avancées qui risquent de bouleverser les techniques actuelles. Il y a les nanotubes, la spintronique, et, dans le domaine de l'optique, la plasmonique. L'enjeu est d'augmenter la fréquence des ordinateurs et le nombre de bascules, avec l'espoir que la loi de Moore se vérifie encore dans l'avenir proche (sa validité est souvent mise en doute au-delà des années 2020).
Cependant, les conducteurs en hautes fréquences ont un comportement de base qui n'a guère évolué depuis les années 1960. Les modèles sont simples et utiles, ils seront rappelés dans le premier paragraphe.
Il est important également de poser les bases de la compatibilité électromagnétique, discipline qui prend de plus en plus d'importance avec la multiplication des dispositifs communiquant sans fil, et le remplacement, maintenant courant, des métaux par des composites, en particulier pour les boîtiers des circuits, qui ont de bonnes performances en masse, en résistance mécanique et surtout en coût, mais, en revanche, qui sont plus transparents aux ondes électromagnétiques que les matériaux traditionnels, et donc plus sensibles aux perturbations électromagnétiques. Un modèle simple de l'impédance de transfert sera développé au paragraphe 2.
Le paragraphe suivant sera consacré aux différentes technologies les plus courantes, et aux pertes correspondantes.
Enfin, les dernières avancées dans l'utilisation et la conception des conducteurs seront évoquées dans le dernier paragraphe, elles concernent la micromécanique, les nanotechnologies, les conducteurs non métalliques, les techniques quasi optiques, la plasmonique et la spintronique.
MOTS-CLÉS
circuits hautes fréquences pertes ohmiques pertes par rayonnement blindages impédance de transfert nanoconducteurs électronique hyperfréquences
KEYWORDS
high frequencies circuits | ohmic losses | radiating losses | shielding | transfer impedance | nanoconductors | electronics | microwaves
VERSIONS
- Version archivée 1 de déc. 1993 par Henri BAUDRAND
- Version courante de août 2013 par Henri BAUDRAND
DOI (Digital Object Identifier)
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1. Phénomènes de transport dans les métaux
La plupart des métaux, mais aussi des semi-conducteurs très fortement dopés, ont un très grand nombre d'électrons libres (de l'ordre de un par atome du réseau). Ces électrons sont en permanence agités de mouvement aléatoires avec une vitesse moyenne, appelée vitesse de Fermi, qui est de l’ordre de 106 m·s–1 (tableau 1). Cette vitesse thermique est toujours très grande devant la vitesse acquise par l’effet d’un champ électrique appliqué, appelée vitesse de dérive, qui est de l’ordre du millimètre par seconde comme on le verra plus bas. Sa valeur relativement élevée est due à celle de l’énergie de Fermi, qui varie d’un métal à l’autre. Les deux grandeurs sont liées par :
![](figures/ul-e1205v2niv10001/2/sl4935087-web.gif)
avec :
- ∊F :
- énergie du niveau de Fermi,
- m :
- masse effective de l’électron.
Enfin, on définit le temps de relaxation, ou temps moyen entre deux collisions, relié au libre parcours moyen par :
![](figures/ul-e1205v2niv10001/2/sl4935089-web.gif)
avec :
- τ :
- temps de relaxation dû aux collisions,
- L :
- libre parcours moyen.
Remarque
Le libre parcours moyen est de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres, ce qui veut dire que sur ces distances, l’état de l’électron n’est pas perturbé par des collisions, et garde en mémoire son état initial, en particulier son spin, phénomène prometteur d’applications dans les nanotechnologies, dans la mesure où l’électron deviendra porteur d’une information selon l’orientation de son spin (voir plus loin, la spintronique, § ...
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