Bibliographie & annexes
Présentation
English
Auteur(s)
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Didier BLAVETTE : Professeur des Universités Groupe de Physique des Matériaux – UMR CNRS 6634 Normandie Université, Université et INSA de Rouen UFR Sciences et Techniques
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François VURPILLOT : Maître de conférences Groupe de Physique des Matériaux – UMR CNRS 6634 Normandie Université, Université et INSA de Rouen UFR Sciences et Techniques
-
Bernard DECONIHOUT : Professeur des Universités Groupe de Physique des Matériaux – UMR CNRS 6634 Normandie Université, Université et INSA de Rouen UFR Sciences et Techniques
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Les progrès constants réalisés dans le domaine des nanosciences et de leurs applications, les nanotechnologies, n'ont pu se faire que grâce au développement de techniques d'analyse et d'imagerie de plus en plus performantes. Pendant longtemps, les nanostructures telles que les transistors, les vannes de spin, les LED étaient structurées en deux dimensions en densité croissante sur les substrats de silicium (wafers). Aujourd'hui, l'industrie de la nanoélectronique se heurte à une limite importante empêchant l'intégration en surface des nano-objets. Un pas vient d'être franchi cette année 2013 avec le lancement par INTEL de la technologie 3D sans laquelle la densité d'intégration ne peut plus croître. Alors que les techniques d'analyses et d'imagerie en deux dimensions sont légions (spectrométrie de masse d'ions secondaires, microscopie électronique haute résolution, techniques de champs proche…), aucune, jusqu'à l'avènement de la sonde atomique tomographique assistée par laser ne permettait l'étude des interfaces et de la chimie de ces nouveaux nano-objets à l'échelle atomique et en trois dimensions.
La sonde atomique est un instrument assez ancien qui est née trois fois. Pendant longtemps, elle fut limitée à l'étude des métaux. Elle a récemment subi une révolution permettant son utilisation sur des matériaux isolants et conducteurs. Cela a ouvert la voie à l'imagerie analytique 3D avec une résolution inférieure au nanomètre.
Dans cet article sont décrits les principes fondamentaux sur lesquels reposent la technique et les technologies développées au cours de ces dernières années pour aboutir à la version moderne de l'instrument suite à de nombreux développements ingénieux développés dans le cadre des nanosciences. Aujourd'hui, c'est dans le domaine des nanotechnologies que la sonde atomique tomographique SAT continue d'être développée et de trouver des applications variées sur des problématiques modernes.
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VERSIONS
- Version archivée 1 de juil. 1989 par Didier BLAVETTE, Alain MENAND
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Résolution spatiale
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4. Localisation des impacts d'ions et reconstruction des images
4.1 Localisation des impacts
Les sondes atomiques 3D doivent leur développement à la mise au point d'un détecteur sensible à la position et résolu en temps. Outre le temps de vol, le détecteur donne la position des impacts des ions (X, Y ). Selon le détecteur utilisé, la précision de localisation peut atteindre 100 μm. Diverses technologies ont été développées depuis les premiers instruments dans les années 1990. Les détecteurs actuels sont constitués d'un jeu de deux lignes à retards croisées (lignes enroulées, figure 5). Celles-ci sont placées derrière une paire de galettes de microcanaux (amplificateur de charge) qui transforment l'impact d'un ion (q = ne avec n = 1, 2, 3…) en une gerbe d'électrons (n = quelque 107) qui irradie le détecteur en provoquant une impulsion qui se propage dans les deux directions X et Y. La différence de temps de propagation de cette impulsion (δt ) entre les extrémités gauche et droite (resp. basse et haute) donne la position X (resp. Y ). La quantitativité de ce type de détecteur pour des impacts multiples est discutée par la suite. La grande nouveauté dans les détecteurs de dernière génération est l'utilisation de numériseurs ultrarapides permettant d'échantillonner les signaux et de garder leur trace post-mortem. Il est ainsi possible d'utiliser des procédures de déconvolution des signaux conservés et de les filtrer afin d'améliorer les mesures de temps et donc de positions ...
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BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - BRANDON (D.G.) - On field evaporation. - Philosophical Magazine, 14, p. 803-820 (1966).
-
(2) - TSONG (T.T.) - Field ion image formation. - Surface Science, 70, p. 211-233 (1978).
-
(3) - HAYDOCK (R.), KINGHAM (D.R.) - * - Surf. Sci., 103, p. 239 (1981).
-
(4) - KELLY (T.F.), LARSON (D.J.) - Materials characterization. - 44, p. 59-85 (2000).
-
(5) - DECONIHOUT (B.), VURPILLOT (F.), GAULT (B.), DA COSTA (G.), BOUET (M.), BOSTEL (A.), BLAVETTE (D.), HIDEUR (A.), MARTEL (G.), BRUNEL (M.) - Toward a laser assisted wide-angle tomographic atom-probe. - Proc. Intern. Field Emission Symposium, Graz (2004), Surface and Interface Analysis, 39, p. 278-282 (2007).
-
(6) - KELLOG (G.), TSONG (T.T.) - Pulsed laser atom-probe. - J. Appl. Phys., USA, 51, no 2, p.1184 (1980).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
ANNEXES
Sonde Atomique Tomographique Grand Angle Laser à très haute résolution en masse, BOSTEL Alain , DECONIHOUT Bernard , YAVOR Mickael , RENAUD ludovic, Date de dépôt 12/10/2007 Numero INIST 07 07178
Sonde Atomique Tomographique Grand Angle à évaporation assistée par une impulsion Laser femtoseconde " blanche ", DECONIHOUT Bernard, VELLA Angela, Francois Vurpillot, BREVET INTERNATIONAL n WO/2010/000574 Numéro de la demande int.: PCT/EP2009/057079 Date de la pub. int.:07.01.2010 Numero INIST 08_03218
HAUT DE PAGE2.1 Constructeurs – Fournisseurs – Distributeurs (liste non exhaustive)
Cameca (métrologie de semi-conducteurs) http://www.cameca.com
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