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RÉSUMÉ
Au sein du milieu scientifique, la nanoélectronique est un axe privilégié par la recherche. En effet, elle représente un enjeu technologique majeur pour faire face aux multiples défis technologiques lancés par la miniaturisation des dispositifs. L’idée est de promouvoir l’interdisciplinarité entre la physique, la chimie, la biologie, etc. Cet article propose une étude de la nanoélectronique qui permet d’ouvrir une porte sur le nanomonde. L’électronique ultime est abordé à travers le transistor monoélectron. Les filières émergentes sont ensuite analysées : composants quantiques, électroniques de spin et moléculaire, et nouvelles architectures.
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INTRODUCTION
Au-delà d'un prolongement naturel de la microélectronique vers les basses dimensions et les très hautes fréquences, la nanoélectronique représente un enjeu technologique majeur. Selon les prévisions, cette (r)évolution se situe à l'horizon 2020 pour le milieu économique, c'est-à-dire aujourd'hui dans les laboratoires de recherche.
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Nanoélectronique : un enjeu stratégique
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4. Conclusion
Comme l'illustrent les diverses filières émergentes (§ 3), les pistes de recherche sont multiples et, en laboratoire, envisager la remise en cause des technologies MOS en silicium ou FET en III-V n'est plus tabou, même si l'industrie ne peut encore s'y résoudre. Si la nanoélectronique s'intègre dans le domaine plus large des nanotechnologies, domaine pluridisciplinaire (chimie, biologie, physique, médecine, télécommunications, etc.) par excellence, elle n'est qu'une des facettes des immenses bouleversements à venir dans ce domaine dans les vingt années à venir. Elle restera une interface indispensable entre le nanomonde et l'utilisateur de ces nouveaux dispositifs.
Cet état des lieux de la nanoélectronique n'est certes pas exhaustif et le lecteur intéressé trouvera sur le site de l'ITRS une mine inépuisable, toujours réactualisée, d'informations et de références sur les derniers travaux dans ce domaine.
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BIBLIOGRAPHIE
-
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(2) - WICHMANN (N.), DUSZYNSKI (I.), WALLART (X.), BOLLAERT (S.), CAPPY (A.) - InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate. - IEEE Electron. Device Letters, 25(6), 354-6 (2004).
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(3) - GAIDIS (M.C.), PICKETT (H.M.), SMITH (C.D.) et coll - A 2.5 THz receiver front end for spaceborne applications. - IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, 48(4), 733-9 (2000).
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