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Article

1 - NANOMATÉRIAUX COLLOÏDAUX

2 - PROPRIÉTÉS OPTIQUES DES RÉSEAUX DE NANOCRISTAUX

3 - TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LES RÉSEAUX DE NANOCRISTAUX

4 - APPLICATIONS OPTOÉLECTRONIQUES

5 - CONCLUSION ET PERSPECTIVES

6 - GLOSSAIRE

Article de référence | Réf : NM2033 v1

Nanomatériaux colloïdaux
Nanocristaux colloïdaux pour l’optoélectronique

Auteur(s) : Emmanuel LHUILLIER, Benoît DUBERTRET

Date de publication : 10 juil. 2016

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RÉSUMÉ

Depuis son développement au début des années 1990, la croissance des nanocristaux colloïdaux a atteint un très haut niveau de maturité. Le premier intérêt pour ces matériaux résulte de leurs propriétés optiques accordables avec leur taille et leur composition. L’utilisation optoélectronique reste plus complexe que leur adressage optique car il faut en plus être capable de maîtriser le transport de charge dans un réseau de nanocristaux. Dans cet article, les applications optoélectroniques des nanocristaux pour l’émission de lumières (fluorescence, LED et laser) et d’absorption, principalement pour le photovoltaïque et la détection infrarouge, sont discutées.

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Auteur(s)

INTRODUCTION

Les nanocristaux colloïdaux sont des nanoparticules de semi-conducteurs synthétisées par voie chimique. Leur taille nanométrique leur confère des propriétés optiques modifiées par rapport au matériau massif. Cette modification est le résultat du confinement quantique. Ce dernier a constitué un véritable changement de paradigme dans le domaine des matériaux pour l’optique. Pour la première fois, il devenait possible de moduler le spectre via des propriétés géométriques plutôt que par des procédés de métallurgie consistant à faire des alliages.

En modulant à la fois la taille et la composition, il est possible d'obtenir des propriétés optiques accordables de l'ultraviolet jusqu'au THz. En particulier, la luminescence de ces nanocristaux a suscité un grand intérêt, pour la bio-imagerie ou encore pour l'optique quantique en tant que source de photon unique. À partir de 2013, c'est l'utilisation des nanocristaux comme fluorophores pour les écrans qui a généré l'intérêt pour ces nanomatériaux. Les nanocristaux sont en passe de devenir le standard des émetteurs dans les écrans LCD car ils permettent d'obtenir d'aussi bonnes propriétés optiques que les OLED à moindre coût. Ce marché représente pour les nanocristaux plus de 100 millions de dollars avec une très forte perspective de croissance.

Ce premier marché a permis de valider l'entrée dans le monde industriel des nanocristaux. À présent, le prochain enjeu pour ces matériaux est leur intégration dans des dispositifs optoélectroniques où ils seront actifs à la fois optiquement et électriquement. De ce point de vue, les nanocristaux sont très prometteurs pour obtenir des composants à bas coûts. En effet, les nanocristaux combinent la performance et la stabilité des matériaux inorganiques avec la facilité de processabilité des matériaux polymères.

Afin d'atteindre cet objectif, il est nécessaire que les propriétés de conduction des nanocristaux atteignent le même niveau de maturité que celui atteint pour les propriétés optiques. L'obtention de films conducteurs à partir de nanocristaux est critique pour obtenir des dispositifs optoélectroniques compétitifs vis-à-vis des semi-conducteurs historiques. Cela implique de contrôler le couplage inter-boîte qui est principalement lié à la chimie de surface des nanocristaux. Depuis 2009, des efforts de recherche importants ont permis de faire passer la mobilité des porteurs de charge de 10  −6 cm2V  −1s  −1 en fin de synthèse à plus de 100 cm2V  −1s  −1, ce qui permet d'envisager de façon réaliste la fabrication de composants optoélectroniques compétitifs.

Cet article s'organise de la façon suivante. Dans une première section, la synthèse chimique des nanocristaux est présentée. Cette discussion est suivie par une présentation des propriétés optiques et de transport des films de nanocristaux. La dernière section aborde l'intégration des nanocristaux dans les composants dédiés à l'émission et à la détection de lumière.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm2033


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1. Nanomatériaux colloïdaux

Encadré 1 – Historique

Jusque dans les années 1960, les objets de basse dimensionnalité restaient le domaine réservé des théoriciens. Dans les années 1970, avec le progrès des méthodes de fabrication et en particulier de l'épitaxie par jet moléculaire, il est devenu possible de concevoir des échantillons dont la taille est inférieure au rayon de Bohr du matériau qui le constitue. Alors que le silicium est le matériau roi de l'électronique, son gap indirect en fait un mauvais candidat pour des applications optiques. Au contraire, les semi-conducteurs III-V et en particulier GaAs présentent une structure de bande avec une bande interdite directe (ie le maximum de la bande de conduction se situe à la même impulsion que le minimum de la bande de conduction), c'est donc naturellement que ces matériaux se sont imposés pour l'optoélectronique. Dans les structures de semi-conducteurs de taille nanométrique, l'énergie de la bande interdite est modifiée par rapport au matériau massif par le confinement quantique. Le confinement quantique a permis un changement de paradigme pour ajuster les propriétés optiques des matériaux. Jusqu'ici, chaque matériau massif avait des propriétés optiques déterminées par l'énergie de sa bande interdite. Pour obtenir des propriétés accordables, il faut mettre au point un alliage de deux semi-conducteurs ce qui constitue un vrai problème de métallurgie. Avec le développement des structures de semi-conducteurs confinées, il devient au contraire possible d'ajuster l'énergie du matériau en modifiant ces propriétés géométriques. Au cours des années 1980-1990, cela a amené au développement d'une large gamme de dispositifs dont certains sont entrés dans la vie courante : la diode bleue composée de puits quantiques de GaN-InGaN , la diode laser de puissance en GaAs, les détecteurs infrarouges à puits quantiques à base de GaAs-AlGaAs ...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - NAKAMURA (S.), MUKAI (T.), SENOH (M.) -   Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes.  -  Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).

  • (2) - LEVINE (B.F.) -   Quantum-well infrared photodetectors.  -  J. Appl. Phys. 74, R1 (1993).

  • (3) - FAIST (J.), CAPASSO (F.), SIVCO (D.L.), SIRTORI (C.), HUTCHINSON (A.L.), CHO (A.Y.) -   Quantum cascade laser.  -  Science 264, 553 (1994).

  • (4) - MURRAY (C.B.), NORRIS (D.J.), BAWENDI (M.G.) -   Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites.  -  J. Am. Chem. Soc. 115, 8706-8715 (1993).

  • (5) - EKIMOV (A.I.), ONUSHCHENKO (A.A.) -   Quantum Size Effect in 3-Dimensional Microscopic Semiconductor Crystals.  -  Jetp Lett. 1981, 34, 345.

  • (6) - BRUS (L.E.) -   A...

1 Sites Internet

http://www.30-years-qds.com : site d’une conférence retraçant les 30 ans de recherche sur les nanocristaux. Le site contient des vidéos des exposés donnés par les principaux acteurs du domaine

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2 Événements et conférences

  • Gordon research conference : Colloidal Semiconductor Nanocrystals. Une fois tous les deux ans aux États-Unis.

  • Material Research Society meeting, conference deux fois par an aux États-Unis. L’équivalent européen (E-MRS) a également lieu deux fois par an.

  • QD conference : tous les deux ans, sur la thématique boîte quantique épitaxiée et colloidale.

  • Nanax : conférence europeénne sur les nanocristaux sous forme de workshop tous les deux ans.

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