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RÉSUMÉ
Les hétérostructures semi-conducteurs sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et la nanophotonique. Cet article propose un tour d’horizon de ces composants à hétérostructures et des domaines couverts par leurs applications. Tout récemment, l'obtention d'interfaces de grande qualité permet d'atteindre une précision de l'ordre de la demi-couche atomique. Les exemples retenus illustrent parfaitement l'intérêt de ces structures hors normes : transistors bipolaires à hétérojonctions, effet tunnel résonnant interbande, lasers à cascade quantique. L'article s'ouvre pour terminer sur le confinement multiple avec les hétérostructures bi et tri-dimensionnelles
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INTRODUCTION
Les hétérostructures semi-conductrices sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et de la nanophotonique, impliquant l'émergence d'une nouvelle classe de dispositifs basée sur l'exploitation quasi systématique de la nature ondulatoire des particules.
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5. Conclusion
Ce tour d'horizon ne prétend pas décrire l'ensemble du domaine couvert par l'application des hétérostructures semi-conductrices en nanoélectronique et nanophotonique. Néanmoins, les pistes évoquées montrent le degré de complexité qui a pu être atteint grâce à la qualité sans cesse améliorée des techniques de fabrication. Cette course à la miniaturisation se poursuit encore dans une ou plusieurs directions de l'espace et s'accompagne à chaque fois d'une diminution du nombre d'électrons et/ou de photons impliqués dans le principe actif du dispositif. On se dirige vers l'électronique à un électron et on rêve de fabriquer une source à photon unique... Sans conteste, le recours aux structures artificielles permettra de progresser dans ce domaine. Cela impliquera certainement de profondes (r)évolutions dans les architectures de circuits, domaine encore relativement peu exploré même si l'on commence à trouver, dans la littérature, de nouvelles propositions de circuits numériques (« automates quantiques cellulaires ») basés sur des associations de boîtes quantiques...
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BIBLIOGRAPHIE
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(3) - GRIFFITH (Z.), DAHLSTRÖM (M.), URTEAGA (M.), RODWELL (M.J.W.), FANG (X.-M.), LUBYSHEV (D.), WU (Y.), FASTENAU (J.M.), LIU (W.K.) - InGaAs-InP Mesa DHBTs with simultaneously high fT and fmax and low Ccb/Ic ratio. - IEEE Electron Device Letters, 25(5), p. 250-2 (2004).
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