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Près d’un siècle après la découverte de ses propriétés semi-conductrices en 1907, le carbure de silicium apparaît sur la scène économique avec la mise sur le marché des premiers composants commerciaux : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine des hyperfréquences. Le prix très élevé des substrats et couches épitaxiées rend impératif d’avoir des simulations numériques très précises des comportements en régime statique et dynamique des composants. En effet, plus les simulations sont précises, plus on peut espérer réduire le nombre d’essais avant de réussir les composants.
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Almost a century after the discovery of its semi-conductive properties in 1907, the silicon carbide appeared on the economic scene with the placing on the market of the first commercial compounds: the Schottky diodes in 2002 and the JFET transistors shortly after as well as the MESFETs in the hyperfrequency field. The extremely high price of substrates and epitaxial layers requires very precise numerical simulations of behaviors in the static and dynamic regime of compounds. Indeed the more precise the simulations, the lesser the number of tests before the compounds are achieved.
Auteur(s)
-
Christophe RAYNAUD : Maître de conférences à l’INSA de LYON
INTRODUCTION
Près d’un siècle après la découverte de ses propriétés semi-conductrices en 1907, le carbure de silicium apparaît sur la scène économique avec la mise sur le marché des premiers composants commerciaux : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine des hyperfréquences. Le prix très élevé des substrats et couches épitaxiées rend impératif d’avoir des simulations numériques très précises des comportements en régime statique et dynamique des composants. En effet, plus les simulations sont précises, plus on peut espérer réduire le nombre d’essais avant de réussir les composants.
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BIBLIOGRAPHIE
-
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