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En anglaisNOTE DE L'ÉDITEUR
RÉSUMÉ
Les circuits intégrés CMOS avancés sont désormais implémentés dans des technologies dites à film mince (FinFET, FDSOI), afin d’améliorer le contrôle électrostatique du canal. Cet article présente brièvement ces technologies et introduit les techniques de caractérisation électriques. La conception de circuits intégrés nécessite l’utilisation de portes logiques, dont l’implémentation est décrite, ainsi que d’un flot de conception numérique : ce flot est scindé en deux parties, à savoir la conception Front-End et l’implémentation Back-End, correspondant à deux métiers différents. Enfin, des perspectives sont données avant la conclusion.
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Advanced CMOS integrated circuits are now implemented in so-called thin-film technologies (FinFET, FDSOI), to improve the electrostatic control of the channel. These technologies are presented briefly in this article and the electrical characterization techniques are introduced. The design of integrated circuits requires the use of logic gates, the implementation of which is described, as well as a digital design flow: this flow is split into two parts, namely the Front-End design and the Back-End implementation, corresponding to two different trades. Finally, perspectives are given before the conclusion.
Auteur(s)
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Alexandre VALENTIAN : Master ISEP, docteur en microélectronique ENST, - Ingénieur de recherche au CEA-LETI, Grenoble, France
INTRODUCTION
La technologie CMOS est la technologie dominante pour la réalisation des circuits intégrés. L’apparition régulière de nouvelles générations, appelées nœud technologique, permet d’augmenter le nombre de transistors par puce selon une loi empirique, la loi de Moore, qui s’applique depuis plus de 50 ans. En 2019, cette technologie permet de réaliser des microprocesseurs ou des processeurs graphiques avec plusieurs dizaines de milliards de transistors.
L’objectif de cet article est de présenter ce qui permet, à partir des caractéristiques de la technologie et des transistors, de réaliser des circuits avec un tel nombre de transistors.
La technologie CMOS, avec sa circuiterie associée, a remplacé les technologies nMOS parce qu’elle n’exhibait aucune puissance dissipée en statique. Il se trouve que les courants de fuite dans les technologies bulk utilisées jusqu’aux nœuds 28 nm sont devenus trop importants et que la puissance statique est devenue critique. Les technologies CMOS à film mince, avec les versions FinFET et FDSOI, sont utilisées depuis les nœuds 28 nm et 20 nm. Celles-ci sont décrites dans un chapitre dédié.
Tout nœud technologique CMOS doit être caractérisé, afin de pouvoir disposer de bibliothèques opérationnelles d’opérateurs utilisables par les outils de CAO. Cette caractérisation comprend l’extraction des paramètres électriques, le fonctionnement en température, la mesure des dispersions des paramètres, et les techniques de protection contre un fonctionnement anormal : verrouillage CMOS (latch-up), rayonnement, et protection des entrées/sorties.
Les portes élémentaires des bibliothèques de cellules doivent également être caractérisées. L’inverseur CMOS est étudié en détail : principe de fonctionnement, caractéristique statique, caractéristique dynamique, puissance dissipée. Les portes NAND, NOR, transmission, XOR sont aussi présentées. La réalisation des circuits séquentiels et des mémoires est présentée dans d’autres articles [E 181] [E 2 491].
Enfin, ces bibliothèques de cellules élémentaires seraient inutiles sans outils de Conception Assistée par Ordinateur (CAO), indispensables pour concevoir les circuits numériques dits VLSI (Very Large Scale Integration). Les flots de conception utilisés sont décrits. Ils se décomposent en deux domaines. La partie front-end comprend la description de la fonctionnalité du circuit, les étapes de simulation, la synthèse logique et la validation. La partie back-end comprend le floorplanning (placement des différents blocs sur le plan d’occupation de la surface), le placement des cellules standards, la synthèse de l’arbre d’horloge, le routage des connexions et la vérification finale.
Le lecteur, grâce à cet article, devrait être en mesure d’appréhender les enjeux et problématiques de la conception de circuits numériques complexes, ainsi que les différentes étapes nécessaires. Le contexte actuel de fabrication de circuits intégrés, notamment le modèle « fonderie », est rappelé ; ce contexte a eu des implications profondes dans le développement de la microélectronique, en réduisant les coûts de fabrication et en permettant l’accès aux technologies semi-conducteur d’un plus grand nombre d’acteurs.
MOTS-CLÉS
KEYWORDS
characterization | CMOS technology | CAD | CMOS gates
VERSIONS
- Version archivée 1 de févr. 2000 par Thomas SKOTNICKI
DOI (Digital Object Identifier)
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6. Perspective du développement des circuits CMOS
La technologie CMOS est la technologie dominante de l’industrie microélectronique. L’apparition des nœuds successifs a permis l’augmentation de la densité d’intégration exprimée par une loi expérimentale dite « loi de Moore », du nom de l’un des trois fondateurs de la société Intel. Cette loi dit que le nombre de transistors double tous les X mois, X = 12/18/24 selon le type d’utilisation des transistors et la période considérée. La figure 26 présente la loi de Moore pour les mémoires DRAM, les mémoires flash et reprogrammables (EPROM) et les microprocesseurs (MPU) jusqu’à 2005. Cette loi est toujours valable en 2019, mais la durée pour le doublement a tendance à augmenter comme le montre la figure 27 pour le demi-pas métal et pour les longueurs de grille (dessinées et physiques).
Par ailleurs, une autre loi exponentielle a également un impact important sur l’économie des semi-conducteurs : la loi empirique de Rock stipule que le coût d’une fonderie de circuits intégrés double tous les quatre ans. C’est ce qui explique qu’il y a de moins de moins de fonderies capables de produire dans le nœud le plus avancé : aujourd’hui, seuls TSMC et Samsung le sont en technologie FinFET 7 nm et en dessous.
Le développement futur des circuits CMOS devra faire face à plusieurs difficultés techniques, dont quelques exemples peuvent être cités :
-
les interconnexions deviennent les premiers facteurs limitatifs pour l’accroissement des performances ;
-
la mise en boîtier est de plus en plus difficile dans le cadre d’un boîtier conventionnel, le nombre de tiges étant déjà tellement grand que celles-ci entourent le boîtier sur les quatre côtés, entraînant ainsi des rejets dus à l’étape de mise en boîtier, impliquant une réduction non négligeable du rendement de la fabrication ;
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la dissipation de l’énergie, avec deux aspects peuvent être critiques : l’évacuation de la chaleur à partir des puces et la durée de vie des piles dans les équipements portatifs ;
-
la durée de vie des circuits et le vieillissement des composants, dus aux champs électriques intenses ;
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la baisse du rendement de la fabrication, due aux dispersions des caractéristiques...
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Perspective du développement des circuits CMOS
BIBLIOGRAPHIE
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(2) - GARGINI (P.) - The Roadmap to Success : ITRS Update. - http://www.ewh.ieee.org/r6/scv/eds/slides/2014-Mar-11-Paolo.pdf (2013).
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(6) - SALEMI (S.) - Physics-of-Failure Based Handbook of Microelectronic Systems. - Reliability Information Analysis Center, ISBN-13 : 978-1933904290 (2008).
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