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Auteur(s)
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Jean-Paul BELAN : Ingénieur CNAM - Ingénieur à France Télécom - Branche Développement - Centre national d’études des télécommunications - Direction des services de diffusion et multimédia
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Pendant de nombreuses années, l’analyse d’images a fait appel à la technologie des tubes à vide dans lesquels un faisceau d’électrons vient adresser et lire chacun des points d’une « cible » photosensible. Cette cible est généralement constituée d’une couche transparente conductrice de polarisation superposée à une couche photoconductrice qui convertit l’image optique en image électronique.
Les tubes de prise de vues ont une longue histoire, diverses générations technologiques se sont succédé, les progrès ont été permanents. Les tubes ont finalement atteint des performances remarquables qui les ont fait utiliser en télévision couleur standard et à haute définition ainsi que dans des domaines très exigeants tels que le domaine médical, le domaine spatial et le domaine militaire.
Pour mémoire, on peut citer quelques ancêtres des tubes de prises de vue : Photicon, Orthicon et les familles plus récentes à photoconduction tels que : Vidicon, Plumbicon, Newvicon, Saticon ; ce dernier étant plus particulièrement adapté à la prise de vues à haute définition.
Cependant, bien que les tubes aient atteint de hauts niveaux de performance en résolution et sensibilité, ils ont toujours été des composants fragiles nécessitant un environnement complexe pour leur mise en œuvre. La difficulté majeure résulte de l’existence d’un faisceau électronique d’analyse qu’il faut créer, focaliser et dévier dans une enceinte à vide poussé. Les tubes ont de surcroît une durée de vie estimée à quelques milliers d’heures, des caractéristiques variables dans le temps et sont assez consommateurs de puissance électrique. La cible photoconductrice est aussi un élément destructible par suréclairement prolongé.
Les progrès fulgurants de la microélectronique ont conduit assez naturellement les constructeurs à réfléchir à une alternative technologique au tube.
La réponse à ces réflexions est venue avec les techniques d’intégration monolithique sur substrat semiconducteur silicium qui ont permis de regrouper les fonctions de conversion optoélectronique, de balayage et de préamplification sur un même substrat de silicium.
Les travaux sur les mémoires à haute densité pour calculateurs et, en particulier, les architectures de mémoires à bulles et de mémoires à cellules (MOSMetal Oxide Semiconductor) ont largement contribué à la recherche de solutions originales.
C’est finalement autour de la cellule MOS que se sont cristallisées les idées qui ont permis la naissance d’une nouvelle génération d’analyseurs d’images intégrés.
Ce document rappelle les principes de base et les caractéristiques essentielles des analyseurs d’images intégrés dont l’usage s’est généralisé dans les secteurs industriels, scientifiques, militaires, médicaux, de la télévision professionnelle et domestique, et des télécommunications.
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5. Circuit de sortie d’un analyseur d’images CCD
Que l’analyseur CCD soit linéaire ou matriciel, les charges créées optiquement vont être transférées vers un dispositif de sortie dont le rôle est de convertir les charges électroniques en signal vidéo.
Si on considère une barrette CCD, les registres de transfert latéraux vont aboutir à un dispositif de détection des charges couplé à un amplificateur intégré à la puce.
De façon identique, dans les analyseurs matriciels, le registre horizontal va aboutir à un système de détection et d’amplification basé sur le même principe que celui des barrettes.
Dans les matrices pour la télévision à haute définition, afin de préserver une bonne efficacité de transfert du registre horizontal de sortie, celui-ci est divisé en deux registres dont les fréquences de transfert sont également divisées par deux. Ce choix technologique ne modifie pas le principe de détection des charges.
À l’extrémité du registre horizontal de sortie se trouve un dispositif qui comprend deux transistors MOS à effet de champ(MOSFET) couplés à une grille de sortie du registre. Ce dispositif convertit les charges-signal en tension. Cette tension de sortie, développée aux bornes d’une charge résistive, a l’allure d’un signal analogique échantillonné à la fréquence de lecture du registre CCD.
Considérons le schéma typique de la figure 28.
Le dernier étage du registre CCD est couplé à une diffusion de type opposé à celui du substrat (exemple N+ pour substrat P) par l’intermédiaire d’une grille d’isolement. La diffusion peut être modélisée par une capacité située entre la grille du MOSFET de sortie et le substrat.
Le rôle de cette grille est d’isoler cette capacité des parasites induits par les horloges de transfert. Elle est, en général, polarisée à un potentiel légèrement supérieur au niveau bas de l’horloge de transfert.
Lorsque le MOSFET de recharge de la diffusion est ouvert, cette diffusion est isolée électriquement (diffusion flottante).
La capacité équivalente C est alors égale à la somme de la capacité de la diffusion flottante et des capacités parasites associées aux conducteurs métalliques et à la grille du transistor MOSFET de sortie.
La lecture de la charge correspondant à un pixel débute...
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