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Auteur(s)
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Jean-Paul BELAN : Ingénieur CNAM - Ingénieur à France Télécom - Branche Développement - Centre national d’études des télécommunications - Direction des services de diffusion et multimédia
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Lire l’articleINTRODUCTION
Pendant de nombreuses années, l’analyse d’images a fait appel à la technologie des tubes à vide dans lesquels un faisceau d’électrons vient adresser et lire chacun des points d’une « cible » photosensible. Cette cible est généralement constituée d’une couche transparente conductrice de polarisation superposée à une couche photoconductrice qui convertit l’image optique en image électronique.
Les tubes de prise de vues ont une longue histoire, diverses générations technologiques se sont succédé, les progrès ont été permanents. Les tubes ont finalement atteint des performances remarquables qui les ont fait utiliser en télévision couleur standard et à haute définition ainsi que dans des domaines très exigeants tels que le domaine médical, le domaine spatial et le domaine militaire.
Pour mémoire, on peut citer quelques ancêtres des tubes de prises de vue : Photicon, Orthicon et les familles plus récentes à photoconduction tels que : Vidicon, Plumbicon, Newvicon, Saticon ; ce dernier étant plus particulièrement adapté à la prise de vues à haute définition.
Cependant, bien que les tubes aient atteint de hauts niveaux de performance en résolution et sensibilité, ils ont toujours été des composants fragiles nécessitant un environnement complexe pour leur mise en œuvre. La difficulté majeure résulte de l’existence d’un faisceau électronique d’analyse qu’il faut créer, focaliser et dévier dans une enceinte à vide poussé. Les tubes ont de surcroît une durée de vie estimée à quelques milliers d’heures, des caractéristiques variables dans le temps et sont assez consommateurs de puissance électrique. La cible photoconductrice est aussi un élément destructible par suréclairement prolongé.
Les progrès fulgurants de la microélectronique ont conduit assez naturellement les constructeurs à réfléchir à une alternative technologique au tube.
La réponse à ces réflexions est venue avec les techniques d’intégration monolithique sur substrat semiconducteur silicium qui ont permis de regrouper les fonctions de conversion optoélectronique, de balayage et de préamplification sur un même substrat de silicium.
Les travaux sur les mémoires à haute densité pour calculateurs et, en particulier, les architectures de mémoires à bulles et de mémoires à cellules (MOSMetal Oxide Semiconductor) ont largement contribué à la recherche de solutions originales.
C’est finalement autour de la cellule MOS que se sont cristallisées les idées qui ont permis la naissance d’une nouvelle génération d’analyseurs d’images intégrés.
Ce document rappelle les principes de base et les caractéristiques essentielles des analyseurs d’images intégrés dont l’usage s’est généralisé dans les secteurs industriels, scientifiques, militaires, médicaux, de la télévision professionnelle et domestique, et des télécommunications.
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6. Caractéristiques principales des analyseurs CCD
Les paramètres importants et les limitations des analyseurs d’images sont rappelés dans ce chapitre.
6.1 Réponse spectrale d’un analyseur CCD
Si l’énergie des photons incidents est supérieure à la largeur de la bande interdite du matériau semiconducteur, ces photons sont absorbés dans le matériau et il en résulte la création de paires électron-trou. La figure 29 rappelle ce processus.
L’énergie en électronvolts du photon s’exprime par la relation :
avec :
- E :
- énergie du photon
- e :
- charge de l’électron
- h :
- constante de Planck
- c :
- vitesse de la lumière
- λ :
- longueur d’onde de la lumière
Si λ est donnée en nanomètres (nm), E en électronvolts (eV) s’exprime par :
Pour le domaine visible qui couvre approximativement le spectre lumineux de 400 nm à 700 nm, l’énergie du photon évolue respectivement de 3,1 à 1,8 eV.
On rappelle que pour le silicium, l’énergie correspondant à la bande interdite est de 1,1 eV. À cette énergie correspond une longueur d’onde d’environ 1 100 nm qui se situe dans le domaine de l’infrarouge.
Les analyseurs CCD à substrat de silicium pourront donc être utilisés en prise de vues infrarouge (applications militaires en particulier).
La réponse spectrale d’un analyseur CCD est une courbe qui exprime l’efficacité quantique du matériau semiconducteur en fonction de la longueur d’onde de la lumière incidente.
L’efficacité quantique est définie par :
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