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1 - DIODES LASER

2 - BOÎTES QUANTIQUES AUTOASSEMBLÉES

3 - LASERS À BOÎTES QUANTIQUES DE INAS/GAAS ÉMETTANT À 1 300 NM

4 - CONCLUSION

| Réf : RE48 v1

Diodes laser
Diodes laser pour les télécommunications optiques

Auteur(s) : Denis GUIMARD, Jyun TATEBAYASHI, Yasuhiko ARAKAWA

Date de publication : 10 juil. 2006

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RÉSUMÉ

Les diodes laser commercialisées actuellement sont élaborées à partir de puits quantiques, couches minces semi-conductrices d’épaisseur nanométrique. De nombreuses études sont aujourd’hui consacrées aux boîtes quantiques semi-conductrices, nanostructures capables de confiner les électrons à l’échelle du nanomètre dans toutes les directions de l’espace. Leurs caractéristiques supérieures à celles des diodes à puits quantique, notamment une réduction de la densité de courant de seuil et une plus grande stabilité en température, en font d’excellents candidats pour le marché des télécommunications optiques.

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ABSTRACT

 

INTRODUCTION

La réalisation de boîtes quantiques autoassemblées, nanostructures dans lesquelles l’électron est confiné dans les trois directions de l’espace, et la discrétisation des états électroniques qui en résulte, permettent d’envisager l’élaboration de diodes laser pour les télécommunications optiques avec des caractéristiques supérieures à celles des diodes laser à puits quantique, commercialisées actuellement.

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-re48


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1. Diodes laser

Denis GUIMARD est ingénieur de l’École nationale supérieure de chimie de Paris (ENSCP) et docteur de l’université de Paris-VI en physique et chimie des matériaux. Il est actuellement chercheur postdoctoral au laboratoire du professeur Arakawa, à l’université de Tokyo, associé au Laboratory for Integrated Micro-Mechatronic Systems (LIMMS/CNRS).

Jun TATEBAYASHI est docteur de l’université de Tokyo.

Yasuhiko ARAKAWA est professeur de l’université de Tokyo et directeur du Nanoelectronics Collaborative Research Center (NCRC).

1.1 Contexte économique et technologique

Sur les diodes laser :

Optoélectronique. Composants de B. Cabon, J. Chazelas et D. Dolfi

Optoélectronique hyperfréquence. Composants et fonctions Optoélectronique hyperfréquence[E 3 333] de B. Cabon, J. Chazelas et D. Dolfi

Sources laser de G. Brassart, J.-L. Meyzonnette et J.-P. Pocholle

Lasers à solides [AF 3 272] de A. Hirth

Luminescence cristalline appliquée aux sources laser ...

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