Quelques projets de micro-nanotechnologie de la centrale IEF-MINERVE
La centrale de micro- nanotechnologie IEF-MINERVE

3.1 Nanodispositif magnétique à ancrage de parois de domaine

La jonction tunnel magnétique constitue le composant élémentaire des mémoires magnétiques développées par l'industrie de l'électronique. Les matériaux magnétiques utilisés dans ce type de composant sont des métaux, lesquels sont déposés sous forme d'empilement vertical. Une alternative intéressante à ce composant consiste, d'une part, à utiliser des oxydes magnétiques à forte magnétorésistivité à la place des métaux et, d'autre part, à les disposer simplement dans un plan, ce qu'on appelle une structure planaire ou horizontale. C'est effectivement ce nouveau type de composant qui a été récemment réalisé à la centrale IEF-MINERVE (figure 12).

Le composant se présente sous la forme d'un ruban d'oxyde magnétique (le LSMO, de formule chimique La_2/3Sr_1/3MnO₃) avec deux constrictions de largeur nanométrique (23 nm < L < 35 nm). La résistance du ruban dépend du champ magnétique appliqué, avec une commutation brutale d'un état peu résistif (état logique 1) à un état résistif (état logique 0) et vice versa. La transition franche d'un état à l'autre est, en fait, liée à la présence des constrictions. Lorsqu'on inverse la direction du champ magnétique d'écriture, l'aimantation du LSMO s'oriente dans cette nouvelle direction, sauf aux endroits des constrictions où l'aimantation reste inchangée : ceci s'explique simplement par le fait que les parois des domaines d'aimantation contraire restent ancrées à ces endroits. Le ruban est alors dans l'état résistif. L'orientation du domaine finit néanmoins par se retourner lorsqu'on augmente le champ appliqué jusqu'à atteindre une valeur suffisamment élevée. L'état de faible résistivité...