État de l’art
Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Parallèlement à la voie PVD, il existe dans la littérature de nombreuses descriptions de procédés d’élaboration de solutions à composition PZT par synthèse sol-gel. Les plus pertinentes d’entre elles présentent néanmoins une certaine restriction quant à une utilisation industrielle potentielle.

Ainsi, pour certains auteurs  , la synthèse sol-gel ne conduit pas à une solution stable dans le temps et l’obtention de constantes diélectriques élevées (» 1 000) est liée à la réalisation de films épais (de plusieurs micromètres) préparés par empilements multicouches.

D’autres  ont cependant examiné la stabilité d’une solution PZT préparée par voie sol-gel sur une période d’un an. Néanmoins, la pseudo-stabilité de la solution préparée est obtenue grâce à l’effet de dilution (0,4 M), ce qui accroît notablement le nombre de couches à déposer pour la même épaisseur de film. En outre, l’étude de suivi de viscosité laisse quand même apparaître une évolution suffisante pour que l’épaisseur des films générés dans les mêmes conditions augmente de près de 14 % en fonction du vieillissement de la solution utilisée. Cette variation d’épaisseur est incompatible avec la reproductibilité nécessaire à un process de fabrication industrielle.