| Réf : IN40 v1

Autres compositions étudiées
Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel

Auteur(s) : Philippe BELLEVILLE, Philippe BOY

Date de publication : 10 août 2005

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INTRODUCTION

La chimie peut-elle aider la microélectronique dans sa course à la miniaturisation ? Les chimistes du CEA/Le Ripault ont mis au point une solution à base du meilleur matériau ferroélectrique connu, le PZT, stable sur plus d’une année, reproductible à grande échelle, compatible avec le silicium... Le procédé par voie sol-gel utilisé est beaucoup plus souple et économique que le dépôt sous vide classiquement utilisé, et exploite les machines habituellement consacrées à l’application de résine de gravure sur les substrats de silicium.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-in40


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5. Autres compositions étudiées

La variation de la polarisation des films PZT avec le champ électrique se traduit par une dépendance importante des propriétés diélectriques au potentiel appliqué (figure 10). Cela est particulièrement vrai pour la composition optimale PbZr0,5Ti0,5O3 . Il en découle la nécessité de mettre au point des procédés de dépôt parfaitement reproductibles. C’est une des forces de la méthode mise au point au laboratoire.

De plus, les films PZT peuvent présenter une faible résistance à la fatigue quand on réalise des balayages en potentiels .

Le fait de doper le PZT avec un élément de la famille des lanthanides semble améliorer la résistance à la fatigue . De plus, ils présentent des performances intéressantes  tout en ayant une moindre dépendance au potentiel appliqué. Deux compositions ont été étudiées au laboratoire : Pb0,91La0,09Zr0,50Ti0,50O3 (PLZT 9/50/50) et Pb0,91La0,09Zr0,65Ti0,35O3 (PLZT 9/65/35).

Les solutions sol-gel des deux compositions étudiées ont été préparées en utilisant le même protocole expérimental que celui utilisée pour PbZr0,5Ti0,5O3 . Il suffit simplement de rajouter le précurseur de lanthane à la solution contenant le précurseur du plomb. Les deux solutions ont également subit la même phase de vieillissement et de dilution. En utilisant également le même procédé de dépôt que pour le PZT, on réalise des revêtements performants dont les propriétés sont tout à fait comparables à celles de PbZr0,5Ti0,5O3...

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BIBLIOGRAPHIE

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  • (2) - OLDING et al -   *  -  Integrated Ferroelectrics, 26, p. 225-241 (1999).

  • (3) - LIVAGE et al -   *  -  Journal of sol-gel Science and Technology, 2, p. 605-609 (1994).

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  • (5) - WU et al -   *  -  Journal of sol-gel Science and Technology, 19, p. 671-676 (2000).

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  • (7) - KIM (K.) et al -   *  -  Exposé...

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