Bibliographie & annexes
Présentation
RÉSUMÉ
La compatibilité magnétique s'applique aujourd'hui également au niveau des circuits et des composants mêmes. Cet article explicite les émissions produites par les circuits intégrés et leur susceptibilité. Il détaille les différentes méthodes de mesure de ces phénomènes, et présente un modèle, appelé ICEM pour Integrated Circuit Electromagnetic Model, permettant de simuler ces phénomènes. Enfin les éléments logiciels défensif, qui augmentent la robustesse du système, sont présentés.
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Lire l’articleAuteur(s)
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Mohamed RAMDANI : Docteur de l’université Paul-Sabatier de Toulouse - Enseignant-Chercheur à l’École supérieure d’électronique de l’Ouest à Angers Membre de l’UTE
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Étienne SICARD : Professeur à l’INSA de Toulouse, Docteur en microélectronique - Concours scientifique CEM composants à EADS-Corporate Research Center
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Sonia BENDHIA : Ingénieur INSA de Toulouse, Docteur en microélectronique - Maître de conférence à l’INSA de Toulouse
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Sébastien CALVET : Ingénieur INSA Toulouse, Physique des matériaux - microélectronique - Doctorant CIFRE à Motorola et au LESIA
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Stéphane BAFFREAU : Docteur en conception des circuits microélectroniques et microsystèmes
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Jean-Luc LEVANT : Expert technique analogique et CEM des circuits intégrés Atmel, Nantes - Membre de l’UTE
INTRODUCTION
La directive européenne définit la compatibilité électromagnétique (CEM) comme étant :
« L’aptitude d’un dispositif, d’un appareil ou d’un système à fonctionner dans son environnement électromagnétique de façon satisfaisante et sans produire lui-même des perturbations électromagnétiques intolérables pour tout ce qui se trouve dans cet environnement ».
Depuis une dizaine d’années, les circuits intégrés et plus particulièrement le composant rejoignent les appareils et les systèmes dans le domaine de la CEM.
En effet, l’apparition des nouvelles matrices de portes logiques à haute densité (plusieurs centaines de milliers de portes à plusieurs millions de portes), les nouvelles technologies (0,25 µm, 0,18 µm, 0,12 µm et bientôt moins de 90 nm) et les méthodes de conception haut niveau de type SOC (System On Chip), autorisent une forte intégration de fonctions complexes et rapides tels que processeurs de signaux numériques spécialisés, chaînes de traitement de signal, séquenceurs complexes d’algorithme de télécommunications, etc. Cela ne reste pas sans conséquences : la commutation simultanée de milliers de bascules, des variations rapides de courant sur les différents rails d’alimentation, des variations de potentiel sur les alimentations internes et externes qui peuvent être de l’ordre de grandeur des seuils logiques des portes. On entre de plain-pied dans le domaine de la compatibilité électromagnétique des circuits intégrés.
Dans cet article, on tentera d’expliquer l’origine des phénomènes majeurs qui ont lieu dans un circuit intégré, à savoir l’émission (conduite et rayonnée) et la susceptibilité. Les méthodes de mesure aussi bien pour l’émission que la susceptibilité seront décrites. On présentera le modèle permettant de simuler, voire prédire, l’émission des circuits intégrés, appelé ICEM (Integrated Circuit Electromagnetic Model), actuellement en cours de normalisation. Enfin, on décrira l’approche de logiciel « défensif », ensemble de techniques utilisées pour renforcer la robustesse d’un système.
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Vers un modèle des circuits intégrés : ICEM5. Méthodes de mesure CEM des circuits intégrés
Depuis quelques années, on voit apparaître un certain nombre de techniques de mesure de l’émission électromagnétique des circuits intégrés. Certaines d’entre elles sont devenues des standards internationaux alors que d’autres restent des moyens d’investigation de laboratoire.
Nous exposons ici plusieurs de ces méthodes de mesure.
5.1 Mesure de un ohm
Inspirée de la méthode de mesure proposée par le comité allemand nommé VDE, cette technique normalisée [IEC 61967-4 : Conducted Measurements ] permet de mesurer le courant consommé circulant à travers une broche d’alimentation d’un circuit intégré .
Le courant est déduit de la tension mesurée aux bornes d’une résistance R 1 de 1 Ω, placée entre le V SS du circuit intégré et la masse (figure 14).
La résistance R 2 de 49 Ω permet une adaptation d’impédance entre le point de mesure et l’entrée du matériel de mesure symbolisé par la prise SMB. Le condensateur C permet d’éliminer la composante continue du signal. Toutefois sa présence peut être néfaste et apporter des pertes en hautes fréquences.
La méthode de mesure en elle-même peut introduire une dégradation du signal à mesurer et nécessite donc une procédure de calibrage. Cette méthode donne des résultats très intéressants jusqu’aux environs de 1 GHz. Cependant, si l’on souhaite passer en revue l’ensemble des entrées d’alimentation...
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Méthodes de mesure CEM des circuits intégrés
BIBLIOGRAPHIE
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(1) - PFAFF (W.R.) - Application independent evaluation of electromagnetic emission for Ics by the measurement of conducted signal. - Proceedings of the IEEE International Symposium on EMC, p. 219-224 (1998).
-
(2) - FIORI (F.), PIGNARI (S.) - Analysis of a test set-up for the characterization of IC electromagnetic emission. - Proceedings of the IEEE EMC Symposium, p. 375-378 (2000).
-
(3) - MUCCIOLI (J.P.), NORTH (T.), SLATTERY (K.) - Investigations of the theoretical basis for using a 1 GHz TEM cell to evaluate the radiated emissions from integrated circuits. - In Proceedings of the IEEE international Symposium on Electromagnetic Compatibility, p. 63-67 (1996).
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(4) - MUCCIOLI (J.P.), NORTH (T.), SLATTERY (K.) - Characterization of the RF emissions from a family of microprocessors using a 1 GHz TEM cell. - In Proceedings of the IEEE EMC Symposium, Austin (1997).
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(5) - * - International Electro-technical Commission IEC 61967 : Integrated Circuits, Measurements of Conducted and Radiated Electromagnetic Emission, IEC standard (1999).
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