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1 - DÉTECTEURS UNITAIRES À L’ÉTAT SOLIDE

2 - TUBES VIDICON

3 - BARRETTES ET MATRICES DTC/CCD

4 - SENSEURS BAS NIVEAU DE LUMIÈRE

| Réf : E4065 v1

Détecteurs unitaires à l’état solide
Détecteurs ultraviolet, visible et proche infrarouge

Auteur(s) : Gilles BOUCHARLAT, Jean-Pierre TRAHAND

Date de publication : 10 févr. 1998

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Auteur(s)

  • Gilles BOUCHARLAT : Ingénieur de l’Institut national polytechnique de Grenoble (INPG) - Docteur-Ingénieur en Sciences Physiques - Coordinateur Recherche et Développement Capteurs d’images à Thomson-CSF Semi-conducteurs Spécifiques

  • Jean-Pierre TRAHAND : Ingénieur de l’École Supérieure d’Électricité (ESE) - Ingénieur Développement à Thomson-CSF Optronique

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INTRODUCTION

Cet article est consacré aux détecteurs couvrant les domaines spectraux : ultraviolet, visible, très proche infrarouge.

Ces détecteurs, très utilisés dans les domaines civil, industriel, militaire, spatial... peuvent se présenter sous diverses formes :

  • détecteurs unitaires ;

  • barrettes de détecteurs ;

  • multibarrettes ;

  • détecteurs surfaciques état solide ;

  • tubes de prise de vue.

Les principaux détecteurs du domaine considéré sont décrits.

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VERSIONS

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e4065


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1. Détecteurs unitaires à l’état solide

Les détecteurs décrits dans cette partie sont des détecteurs quantiques, c’est-à-dire qu’ils obéissent aux lois de la mécanique quantique régissant les niveaux d’énergie accessibles aux porteurs libres — électrons ou trous — dans les matériaux, et les échanges d’énergie possibles entre onde électromagnétique et matière. On s’intéressera uniquement aux détecteurs photovoltaïques, qui utilisent l’énergie présente unitairement dans chaque photon pour exciter une paire électron-trou d’un matériau semi-conducteur (cf. article Capteurs à semi-conducteurs [4]). Pour donner lieu à un phénomène détectable, il faut que l’énergie récupérée par un électron de la bande de valence soit supérieure à la largeur de la bande interdite du matériau considéré, afin de donner à cet électron la possibilité d’accéder à la bande de conduction. Une paire électron-trou est alors engendrée dans le matériau, et on aura constitué un détecteur si on sait déceler l’apparition de cet électron ou de ce trou supplémentaire dans la structure.

Le moyen couramment utilisé pour mettre en évidence l’apparition d’un électron supplémentaire dans la structure est une diode, c’est-à-dire un élément polarisé — ou dipôle — qui a la propriété de séparer les éléments d’une paire électron-trou grâce au champ électrique interne à la structure, créé dans cette dernière par une polarisation convenable. Cette apparition est alors traduite par une modification du potentiel d’une électrode du dipôle — lecture en circuit ouvert —, ou par la circulation d’un courant — lecture en circuit fermé.

1.1 Physique de la détection

Nous considérerons dans la suite, que le matériau est un semi-conducteur non dégénéré. La détection aura alors lieu lorsqu’un photon pénétrera dans un élément de matière, y sera absorbé en échangeant de l’énergie avec les atomes du réseau, donnant lieu à la création d’au moins une paire électron-trou, et qu’un porteur ainsi excité sera mis en évidence dans la structure par un dispositif convenable. Nous regarderons donc successivement l’interaction entre la...

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - SAVELI (M.), GASQUET (D.), ORSAL (B.) -   Physique des dispositifs électroniques  -  . , Traité Électronique, 1996.

  • (2) - SAVELLI (M.), COMALLONGA (J.), BOGGIANO (L.) -   Bruit de fond et mesures  -  . [E 1 150], Traité Électronique, vol. E1, 1992.

  • (3) - PERMUY (A.), REZGUI, DONZIER -   Capteurs à semi-conducteurs  -  . , Traité Électronique, 2004.

  • (4) - DANSAC (J.), COLLIN (P.), LE DORTZ (A.) -   Systèmes optroniques semi-actifs  -  . [E 4 400], Traité Électronique, vol. E4, 1996.

  • (5) - GAUSSORGUES (G.), MICHERON (F.), POCHOLLE (J.-P.), MEYZONNETTE (J.-L.) -   Détecteurs infrarouges  -  . , Traité Électronique, vol. E4, 1996.

1 Constructeurs - Fournisseurs

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