Pouvoir accéder, dès le début d’une cession, presque immédiatement aux informations de son ordinateur sans attendre que ce dernier démarre… telle est la promesse ouverte par les travaux des chercheurs des universités américaines de Cornell, Penn State et Northwestern. Financée par la National Science Foundation (NSF), cette équipe a publié dans le numéro du 17 avril 2009 de la revue Science (voir l’article de Science) un article sur la fabrication de transistors aux propriétés ferroélectriques.Certes, « un certain nombre de transistors hybrides ont déjà été proposés avec l’idée d’utiliser les propriétés des matériaux ferroélectriques, » déclare Darrell Schlom, chercheur spécialiste des matériaux à l’université de Cornell. Mais chose nouvelle, le procédé utilisé par son équipe permet d’espérer une mise en oeuvre relativement rapide, cette nouvelle technologie permettant, en théorie, de produire assez simplement des composants de ce type. Mais de quoi s’agit-il au juste ? Le principe consiste à prendre un oxyde bien connu mais qui n’est pas en temps normal ferroélectrique, le titane de strontium (SrTiO3), et de déposer un film de quelques atomes d’épaisseur de cet oxyde sur du silicium de telle sorte que le silicium va faire pression sur le titane de strontium le faisant passer ainsi à un état ferroélectrique. Une opération qui permet dès lors d’obtenir des transistors ferroélectriques qui pourront donner naissance à une nouvelle génération de mémoires électroniques dites « Instant on » (opérationnelle immédiatement) alliant faible consommation et haute efficacité.Dors et déjà, certaines cartes intelligentes utilisées dans les métros ou encore sur certains domaines skiables se servent des propriétés des matériaux ferroélectriques pour remettre à jour instantanément les informations stockées. Mais elles n’utilisent pas de titane de strontium , mais du titane de zirconium ou encore le tantalate strontium bismuth. Mais les travaux de l’université de Cornell ouvrent de nouvelles perspectives notamment en informatique. Des recherches supplémentaires seront toutefois nécessaires pour parvenir au stade de l’industrialisation.
Un pas de plus sur la voie des transistors « Instant on »
Attendre que son ordinateur démarre pourrait bientôt être de l'histoire ancienne. Comment ? Grace à la fabrication de transistors aux propriétés ferroélectriques, une technologie mise au point par une équipe de chercheurs américains.