- Article de bases documentaires
|- 10 mai 2022
|- Réf : D4762
Les composants élémentaires ainsi que le fonctionnement des liaisons à courant continu à thyristors sont ici présentés. Les convertisseurs à thyristors, disponibles sous de fortes valeurs de puissance et des tensions continues élevées, nécessitent une bonne puissance de court-circuit, consomment de la puissance réactive et engendrent des harmoniques. Cet article décrit les composants constituants ces convertisseurs dans un première partie, puis, dans une seconde partie, les fonctionnalités, les caractéristiques, les avantages et inconvénients de ce type de convertisseurs.
- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime hyperfréquence, caractérisation en puissance et caractérisation thermique. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
- Article de bases documentaires
|- 10 janv. 2021
|- Réf : E2427
Cet article décrit le fonctionnement du transistor bipolaire et présente les procédés de fabrication associés dans le cas plus spécifique du transistor bipolaire à hétérojonction silicium/silicium germanium intégré en technologie BiCMOS. Les avantages et les contraintes de différentes architectures de transistor et des nœuds CMOS les intégrant sont détaillés. Les états de l’art des transistors et des technologies BiCMOS sont également revus et les défis de la montée en fréquence sont discutés. Enfin, les principales applications radiofréquences en gamme d’onde millimétrique (fréquence > 30 GHz) sont brièvement abordées et des performances de circuits intégrés sont présentées.