Commande des composants à semi-conducteurs de puissance : contexte

Les CSCP (composants à semi-conducteurs de puissance) permettent de réaliser des fonctions interrupteur toujours plus fiables et plus performantes.

Pour gérer et moduler les échanges d’énergie électrique via les convertisseurs électroniques de puissance, chaque CSCP ou chaque groupe de CSCP nécessite un circuit dédié de commande rapprochée (aussi appelé gate driver) afin de piloter son état (bloqué ou passant) et d’optimiser les transitions pendant les changements d’état (commutations au blocage et à l’ouverture).

Les circuits de commande rapprochée comprennent ainsi, a minima, un étage de contrôle statique et dynamique de l’interface de pilotage du ou des CSCP. D’autres fonctions complémentaires peuvent être intégrées ou associées permettant d’observer, de protéger et plus généralement de garantir le fonctionnement fiable et optimal du ou des CSCP. Une spécificité des CSCP réside dans leur mode de fonctionnement en régime de commutation, avec des contraintes fortes sur l’environnement du CSCP et du circuit de commande rapprochée : celui-ci doit, en particulier, s’adapter à des potentiels élevés et des variations rapides de tensions et courants. L’assemblage des CSCP à leur environnement rapproché est lui aussi critique, depuis leurs commandes rapprochées, les CSCP formant une ou plusieurs cellules de commutation, jusqu’à leur circuit de refroidissement. Cet environnement des CSCP est aussi important que ses performances intrinsèques, permettant alors de proposer un fonctionnement adapté et optimisé aux compromis classiques en électronique de puissance (thermique, compatibilité electromagnétique, rendement, densité de puissance, fiabilité).

D’autre part, de nouveaux matériaux dits grand gap (tels que SiC et GaN) et d’autres ruptures sur les architectures des transistors de puissance en silicium repoussent les contraintes et compromis classiques. Ceci est particulièrement d’actualité avec la montée en tension, la montée en fréquence et l’augmentation des vitesses de commutation, ainsi que les ruptures sur les structures de convertisseurs (architectures entrelacées, associations série/parallèle). Les composants à semi-conducteurs de puissance et leurs périphériques doivent toujours évoluer afin de permettre d’aller toujours plus loin dans l’amélioration de l’efficacité énergétique, de la sûreté de fonctionnement, de la fiabilité et de la compacité des convertisseurs statiques.

Selon la technologie de composants à semi-conducteur de puissance considérée et son environnement, mais également selon la nature des commutations, la réalisation des fonctions de commande et les possibilités de contrôle peuvent varier. C’est la raison pour laquelle nous avons séparé les composants à semi-conducteurs de puissance en trois familles technologiques [D3231] :

• les thyristors et les triacs ;

• les transistors bipolaires et les thyristors GTO ;

• les transistors à grille (MOSFET, IGBT, HEMT GaN et JFET SiC) ;

Pour chacune de ces catégories de CSCP, les circuits de commande seront détaillés dans les articles suivants [D3232] et [D3233].