- Article de bases documentaires |
- 10 nov. 2011 |
- Réf : E2450
Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V)
N, pouvant dépasser 6 eV pour l'AlN, une vitesse de saturation des porteurs supérieure à 1x10 7 cm... qu'en microélectronique, et ce plus particulièrement dans le cas des matériaux III-V, grâce à la richesse des combinaisons... possibles d'éléments III et V, et pour bénéficier de la gamme très étendue des propriétés de transport... -conducteurs III-V, dont GaAs, GaN et InP ne sont que les représentants les plus connus en microélectronique...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.