- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime h...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 janv. 2021
|- Réf : E2427
/DMOS). Les technologies intégrant des transistors bipolaires NPN et PNP complémentaires dans une technologie CMOS... Technologies BiCMOS silicium germanium... Transistor bipolaire à hétérojonction... Cet article décrit le fonctionnement du transistor bipolaire et présente les procédés...
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- Article de bases documentaires
|- 10 févr. 2000
|- Réf : E2430
technologique montre l’intérêt de tous les éléments de l’architecture du transistor et de leurs modes... de réalisation technologique. Différentes architectures de transistors (par exemple, à canal surfacique, à canal... dans une technologie CMOS La figure 4 montre la structure d’un transistor NMOS dans une technologie CMOS à la fin... ’une technologie CMOS par la longueur de grille d’un transistor nominal pour cette technologie : CMOS 0,18 µm...
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