Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime h...
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nitruration... nitruration ionique... nitruration gazeuse... avec leurs conditions industrielles de mises en œuvre. Nitruration et nitrocarburation, dont les mécanismes...
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qui utilise comme substrats l’arséniure et le nitrure de gallium. Plus récemment, le gallium a été retenu... en électricité (panneaux solaires). Il est aussi utilisé dans les circuits intégrés ; le nitrure de gallium... , alliages à bas point de fusion). 1970 : utilisation du nitrure de gallium (GaN) dans les diodes... de la lumière en courant électrique. 2004 : utilisation du nitrure de gallium et d’aluminium (AlGa...
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