- Article de bases documentaires
|- 10 mai 2010
|- Réf : D3116
Les boîtiers de puissance sont des éléments essentiels des semi-conducteurs. Ils ont pour objectifs de dissiper la chaleur et d'assurer les connexions électriques de la puce. Cet article expose dans une première partie, les caractéristiques d'un boîtier de puissance. En fonction des grandeurs liées à la thermique, à l'électrique et de la fiabilité, on peut comparer les performances de différentes...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 août 2012
|- Réf : E1990
D'une façon générale, le domaine d'application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l'énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600 V sont apparues les premières sur le marché, suivies par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, les différentes technologies de mises en œuvre (comme l’épitaxie, ...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- ARTICLE INTERACTIF
|- 10 août 2013
|- Réf : E2380
Dans cet article, l'état de l'art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d'abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoéle...
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