- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
à hétérostructures III-V à base de GaN. Les cristaux de structure wurtzite s’organisent suivant deux sous-réseaux... HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2011
|- Réf : E2450
technologique remarquable. Les hétérostructures GaN sur Si souffrent malheureusement d'un désaccord de maille... désaccord de maille (de l'ordre de 1 % comme dans le cas des jonctions GaAlN/GaN des HEMT GaN (§ 3.1) ou Ga... .3) ainsi que des hétérostructures à base de nitrure de gallium (§ 3.1), où les différences de dimensions de mailles cristallines... -conducteurs III-V, dont GaAs, GaN et InP ne sont que les représentants les plus connus en microélectronique...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 avr. 2006
|- Réf : NM1100
Les hétérostructures semi-conducteurs sont devenues incontournables dans le développement... de la nanoélectronique et la nanophotonique. Cet article propose un tour d’horizon de ces composants à hétérostructures... multiple avec les hétérostructures bi et tri-dimensionnelles Les hétérostructures semi-conductrices... du Groupement de Recherche CNRS-Nanoélectronique (GdR 2054). Les hétérostructures unidimensionnelles...
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