- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
HEMT GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence... , et l’électronique de puissance. On peut fabriquer des composants à haute mobilité électronique (HEMTs... , et quaternaire, AIGaInN, ce qui autorise la conception de dispositifs à hétérojonctions comme le transistor HEMT...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
HEMT... Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de Ga... de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés... . En ce qui concerne la technologie des HEMTs (transistor à haute mobilité électronique), différentes étapes...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2011
|- Réf : E2450
des jonctions GaAlAs/GaAs des transistors à hétérojonction à effet de champ, appelés HEMT, et des transistors... désaccord de maille (de l'ordre de 1 % comme dans le cas des jonctions GaAlN/GaN des HEMT GaN (§ 3.1) ou Ga... 0,8 In 0,2 As/GaAs des HEMT GaAs dits pseudomorphiques (§ 2.4.1), voire en désaccord... spatiales brutales des potentiels et des champs [cf. le puits de potentiel du HEMT utilisé pour séparer...
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