- Article de bases documentaires
|- 10 janv. 2021
|- Réf : E2427
Cet article décrit le fonctionnement du transistor bipolaire et présente les procédés de fabrication associés dans le cas plus spécifique du transistor bipolaire à hétérojonction silicium/silicium germanium intégré en technologie BiCMOS. Les avantages et les contraintes de différentes architectures de transistor et des nœuds CMOS les intégrant sont détaillés. Les états de l’art des transistors et...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- ARTICLE INTERACTIF
|- 10 sept. 2019
|- Réf : E2432
-monnaies. La technologie FinFET est fabriquée par INTEL et les fondeurs TSMC, Samsung et GlobalGlobalFoundries. La technologie... par STMicroelectronics et les fondeurs Samsung et GlobalGlobalFoundries. Concevoir des circuits... du graphe V th − L ( [E 2 430], figure 22), et que le gradient autour de ce point soit 10 mV.nm −1...
Les bases documentaires des Techniques de l'Ingénieur couvrent tous les grands domaines de l'ingénierie. Lancez votre recherche, affinez-là, obtenez vos réponses !
- FICHE PRATIQUE
|- 10 avr. 2024
|- Réf : FIC0818
en compte les spécificités de l’organisation en mode projet. Le FD X50-115 est un bon support... , exigences à respecter, intérêts et limites de la démarche). Le FD X50-117 souligne l’importance accrue... naturel au FD X50-115 dont il vient décliner les concepts en recommandations opérationnelles... sous une forme à la fois condensée et structurée. Le FD X50-118 met en évidence que les activités du projet...
Les fiches pratiques répondent à des besoins opérationnels et accompagnent le professionnel en le guidant étape par étape dans la réalisation d'une action concrète.
