- Article de bases documentaires
|- 10 févr. 2007
|- Réf : D3120
(V.) et al - SiC and GaN bipolar power devices. , ou de déterminer des « zones privilégiées » d... démontrée expérimentalement CHOW (T.P.) - High-Voltage SiC Devices for Power Applications-Future Prospects... Impact of 75 mm plus SiC High Quality Substrates and Epitaxial Layers on High Power Semiconductor Device... ohmic contacts on 4H-SiC for high power and high temperature device applications. . Oxyde de champ...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
en capacité de puissance RF par rapport à une structure classique sur substrat SiC : réduction... plus de puissance RF qu’un transistor sur substrat SiC, ce qui démontre l’intérêt du substrat diamant. Template 3... fortement les pertes de propagation RF dues à la diffusion d’Al ou de Ga dans le substrat Si, consécutive... les meilleures performances en RF, mais on s'intéresse aussi aux épitaxies sur substrat Si, dans le domaine...
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- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
the main origin of propagation losses in GaN on Si devices at microwave frequencies . . Il a été... (111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses... . . Les performances RF ont été rapportées sur des HEMTs sur des substrats 3C-SiC/Si en utilisant une couche... High electron mobility transistors grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications . . De plus...
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